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開(kāi)關(guān)管電源模塊和開(kāi)關(guān)管結(jié)電容

發(fā)布時(shí)間:2020/3/25 22:56:11 訪問(wèn)次數(shù):819

W86L488AYPSE芯片組和輔助受電設(shè)備:

PSE芯片組的獨(dú)特設(shè)計(jì)在實(shí)現(xiàn)整個(gè)系統(tǒng)均衡散熱的同時(shí),憑借可擴(kuò)展性為采用單板設(shè)計(jì)的雙對(duì)、四對(duì)系統(tǒng)提供支持。它為打造業(yè)內(nèi)互操作性最強(qiáng)的PSE設(shè)備提供所有必要的管理和控制功能,可為每個(gè)端口提供90-99.9W電源,最多可支持48個(gè)IEEE 802.3bt第3類(1-6級(jí))和第4類(7-8級(jí))應(yīng)用端口。

基于Microchip第6代PSE芯片組的預(yù)標(biāo)準(zhǔn)PSE設(shè)計(jì)可通過(guò)更新軟件升級(jí)至IEEE 802.3bt,無(wú)需更換硬件。

基于MOSFET的IdealBridge™雙二極管全橋整流器用于PoE連接的受電側(cè),可避免極性反接對(duì)受電設(shè)備的影響,在提供IEEE 802.3bt第4類第8級(jí)電源的同時(shí),減少功耗、占用空間和成本。

FCO750泄漏檢測(cè)儀適用于單一或多程序檢測(cè)雙量程或自動(dòng)量程切換檢測(cè)泄露檢測(cè)靈敏度可低至 0.1 Pa 或 0.01 ml/min氣信號(hào)或電信號(hào)輸出,可編程檢測(cè)曲線顯示.

2個(gè)無(wú)應(yīng)力拋光工藝腔,1個(gè)化學(xué)機(jī)械平坦化工藝腔,和2個(gè)濕法刻蝕兼清洗腔。工藝化學(xué)包括:電化學(xué)拋光液,銅研磨液,銅刻蝕液,和鈦刻蝕液。以上三種工藝均提供0.5μm/min以上的去除速率,片內(nèi)均勻性(WIWNU)小于3%,以及片間均勻性(WTWNU)小于1.5%。


開(kāi)關(guān)管電源模塊由于開(kāi)關(guān)管結(jié)電容的存在,在工作時(shí),開(kāi)關(guān)管在快速開(kāi)關(guān)后會(huì)產(chǎn)生毛刺和尖峰,開(kāi)關(guān)管的結(jié)電容和變壓器的繞組漏感也有可能產(chǎn)生諧振而發(fā)出干擾。

抑制方法有:

開(kāi)關(guān)管D和G極串加磁珠環(huán),減小開(kāi)關(guān)管的電流變化率,從而實(shí)現(xiàn)減小尖峰。

開(kāi)關(guān)管處加緩沖電路或采用軟開(kāi)關(guān)技術(shù),減小開(kāi)關(guān)管在快速工作時(shí)的尖峰,使其電壓或電流能緩慢上升。

減小開(kāi)關(guān)管與周邊組件的壓差,開(kāi)關(guān)管結(jié)電容可充電的程度會(huì)得到一定的降低。

增大開(kāi)關(guān)管的G極驅(qū)動(dòng)電阻。

諧波頻率和相序特性進(jìn)行分類。 

根據(jù)頻率分類 根據(jù)工頻基波整數(shù)倍的頻率可分為2次諧波(100Hz)、3次諧波(150Hz)…非工頻整數(shù)倍的諧波稱為間諧波。 

根據(jù)相序旋轉(zhuǎn)作用分類 根據(jù)相序旋轉(zhuǎn)作用可負(fù)序諧波、零序諧波、正序諧波三種。分別對(duì)應(yīng)2、3、4次諧波,并依次類推分別對(duì)應(yīng)5、6、7次諧波,8、9、10次諧波……。其中正序諧波包括基波頻率,為正向旋轉(zhuǎn)。負(fù)序諧波為逆向旋轉(zhuǎn),產(chǎn)生的磁場(chǎng)抵消基波產(chǎn)生的磁場(chǎng)。

零序諧波不旋轉(zhuǎn),但會(huì)疊加到三相四線制系統(tǒng)中的中性線上。在三相四線制系統(tǒng)中,一些諧波能夠相互抵消,另一些卻會(huì)相互疊加,致使諧波被放大。 CA8335電能質(zhì)量分析儀中的諧波專家模式可以直接看到負(fù)序諧波、零序諧波和正序諧波的次數(shù)和大小



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(素材來(lái)源:eccn和21IC.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


W86L488AYPSE芯片組和輔助受電設(shè)備:

PSE芯片組的獨(dú)特設(shè)計(jì)在實(shí)現(xiàn)整個(gè)系統(tǒng)均衡散熱的同時(shí),憑借可擴(kuò)展性為采用單板設(shè)計(jì)的雙對(duì)、四對(duì)系統(tǒng)提供支持。它為打造業(yè)內(nèi)互操作性最強(qiáng)的PSE設(shè)備提供所有必要的管理和控制功能,可為每個(gè)端口提供90-99.9W電源,最多可支持48個(gè)IEEE 802.3bt第3類(1-6級(jí))和第4類(7-8級(jí))應(yīng)用端口。

基于Microchip第6代PSE芯片組的預(yù)標(biāo)準(zhǔn)PSE設(shè)計(jì)可通過(guò)更新軟件升級(jí)至IEEE 802.3bt,無(wú)需更換硬件。

基于MOSFET的IdealBridge™雙二極管全橋整流器用于PoE連接的受電側(cè),可避免極性反接對(duì)受電設(shè)備的影響,在提供IEEE 802.3bt第4類第8級(jí)電源的同時(shí),減少功耗、占用空間和成本。

FCO750泄漏檢測(cè)儀適用于單一或多程序檢測(cè)雙量程或自動(dòng)量程切換檢測(cè)泄露檢測(cè)靈敏度可低至 0.1 Pa 或 0.01 ml/min氣信號(hào)或電信號(hào)輸出,可編程檢測(cè)曲線顯示.

2個(gè)無(wú)應(yīng)力拋光工藝腔,1個(gè)化學(xué)機(jī)械平坦化工藝腔,和2個(gè)濕法刻蝕兼清洗腔。工藝化學(xué)包括:電化學(xué)拋光液,銅研磨液,銅刻蝕液,和鈦刻蝕液。以上三種工藝均提供0.5μm/min以上的去除速率,片內(nèi)均勻性(WIWNU)小于3%,以及片間均勻性(WTWNU)小于1.5%。


開(kāi)關(guān)管電源模塊由于開(kāi)關(guān)管結(jié)電容的存在,在工作時(shí),開(kāi)關(guān)管在快速開(kāi)關(guān)后會(huì)產(chǎn)生毛刺和尖峰,開(kāi)關(guān)管的結(jié)電容和變壓器的繞組漏感也有可能產(chǎn)生諧振而發(fā)出干擾。

抑制方法有:

開(kāi)關(guān)管D和G極串加磁珠環(huán),減小開(kāi)關(guān)管的電流變化率,從而實(shí)現(xiàn)減小尖峰。

開(kāi)關(guān)管處加緩沖電路或采用軟開(kāi)關(guān)技術(shù),減小開(kāi)關(guān)管在快速工作時(shí)的尖峰,使其電壓或電流能緩慢上升。

減小開(kāi)關(guān)管與周邊組件的壓差,開(kāi)關(guān)管結(jié)電容可充電的程度會(huì)得到一定的降低。

增大開(kāi)關(guān)管的G極驅(qū)動(dòng)電阻。

諧波頻率和相序特性進(jìn)行分類。 

根據(jù)頻率分類 根據(jù)工頻基波整數(shù)倍的頻率可分為2次諧波(100Hz)、3次諧波(150Hz)…非工頻整數(shù)倍的諧波稱為間諧波。 

根據(jù)相序旋轉(zhuǎn)作用分類 根據(jù)相序旋轉(zhuǎn)作用可負(fù)序諧波、零序諧波、正序諧波三種。分別對(duì)應(yīng)2、3、4次諧波,并依次類推分別對(duì)應(yīng)5、6、7次諧波,8、9、10次諧波……。其中正序諧波包括基波頻率,為正向旋轉(zhuǎn)。負(fù)序諧波為逆向旋轉(zhuǎn),產(chǎn)生的磁場(chǎng)抵消基波產(chǎn)生的磁場(chǎng)。

零序諧波不旋轉(zhuǎn),但會(huì)疊加到三相四線制系統(tǒng)中的中性線上。在三相四線制系統(tǒng)中,一些諧波能夠相互抵消,另一些卻會(huì)相互疊加,致使諧波被放大。 CA8335電能質(zhì)量分析儀中的諧波專家模式可以直接看到負(fù)序諧波、零序諧波和正序諧波的次數(shù)和大小。



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