CL31B104KCNEVD 為MOSFET 關(guān)斷期間的漏源電壓，ID 是MOSFET 導(dǎo)通期間的溝道電流，tSW(ON)和tSW(OFF)是導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間。降壓電路轉(zhuǎn)換，VIN 是MOSFET 關(guān)斷時(shí)的電壓，導(dǎo)通時(shí)的電流為IOUT。

驗(yàn)證MOSFET 的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，降壓轉(zhuǎn)換器中集成高端MOSFET 的典型波形：VDS和IDS。電路參數(shù)為：VIN = 10V、VOUT = 3.3V、IOUT = 500mA、RDS(ON) = 0.1Ω、fS = 1MHz、開(kāi)關(guān)瞬變時(shí)間(tON + tOFF)總計(jì)為38ns。

開(kāi)關(guān)變化不是瞬間完成的，電流和電壓波形交疊部分導(dǎo)致功率損耗。MOSFET“導(dǎo)通”時(shí)，流過(guò)電感的電流IDS 線性上升，與導(dǎo)通邊沿相比，斷開(kāi)時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗更大。

MOSFET 的平均損耗可以由下式計(jì)算：

PT(MOSFET) = PCOND(MOSFET) + PSW(MOSFET)

= [(I13 - I03)/3] × RDS(ON) × VOUT/VIN + 0.5 × VIN × IOUT × (tSW(ON) + tSW(OFF)) × fS

= [(13 - 03)/3] × 0.1 × 3.3/10 + 0.5 × 10 × 0.5 × (38 × 10-9) × 1 × 106

= 0.011 + 0.095 = 106mW

Microchip推出了一種PSE芯片組，95W受電設(shè)備PoH四對(duì)供電標(biāo)準(zhǔn)。Microchip又率先推出了幫助預(yù)標(biāo)準(zhǔn)交換機(jī)與符合IEEE 802.3bt-2018標(biāo)準(zhǔn)的新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)互操作性的IEEE 8023af/at/bt芯片組。Microchip推出的符合IEEE 802.3bt標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品包括：

PoE供電器和中跨設(shè)備：

在受電設(shè)備和現(xiàn)有交換機(jī)之間部署單端口或多端口解決方案之后，用戶可以為預(yù)標(biāo)準(zhǔn)受電設(shè)備和符合IEEE 802.3bt-2018標(biāo)準(zhǔn)的受電設(shè)備同時(shí)供電.

產(chǎn)品包括單端口和多端口型號(hào)，還支持符合IEEE 802.3bt標(biāo)準(zhǔn)的新型交換機(jī)為預(yù)標(biāo)準(zhǔn)受電設(shè)備供電。

FCO730泄漏檢測(cè)儀,泄漏量程檔手動(dòng)切換檢測(cè)適宜用于單一泄露檢測(cè)檢測(cè)壓力從真空至30 bar泄露檢測(cè)靈敏度可低至 0.1 Pa 或 0.01 ml/min氣信號(hào)或電信號(hào)輸出，可編程檢測(cè)曲線顯示,FCO210泄漏檢測(cè)儀,操作簡(jiǎn)便多種流速清晰明了的顯示帶截止閥.

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