NCV8842PWR2旁路電容實際也是去耦合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關(guān)噪聲提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據(jù)諧振頻率一般取0.1μF、0.01μF 等;而去耦合電容的容量一般較大，可能是10μF 或者更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)、以及驅(qū)動電流的變化大小來確定。旁路是把輸入信號中的干擾作為濾除對象，而去耦是把輸出信號的干擾作為濾除對象，防止干擾信號返回電源。這應該是他們的本質(zhì)區(qū)別。

云母電容器具有以下特點：

容量范圍不寬，一般在10-51000pF之間。

穩(wěn)定性高，可靠性高，且可制成高精度電容器。

固有電感小，不易老化，頻率特性穩(wěn)定，是性能優(yōu)良的高頻電容器之一

絕緣電阻高，一般可達1000 -7500MΩ。

溫度特性好，使用環(huán)境溫度一般在-55℃ ~ +85℃范圍內(nèi)。

介質(zhì)損耗小，損耗角正切值一般為(5 - 30) x 10 -4 。

價格較貴，逐漸被陶瓷電容器和有機薄膜電容器所取代。

SiC FET器件的導電損耗更低，它在150°C下比SJ部件耗散的功率少了30%。應用程序?qū)⒍x當前級別，而不是開關(guān)中消耗的功率。給定的電流，SiC fet的表現(xiàn)可能比Si更好，因為SiC的熱阻比Si低，所以溫度更低。較低的開關(guān)損耗和碳化硅場效應晶體管的體二極管損耗也降低了整體封裝損耗，使得相對結(jié)溫升更低，相對Rds(on)值更低�？紤]到碳化硅場效應晶體管器件的門極費用較低，再加上相應的節(jié)能措施，采用更小的緩沖器，好處就會大大增加。

                         

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