SIC1182K是采用eSOP-R16B封裝的單通道SiC MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器。該器件利用Power Integrations革命性的固體絕緣FluxLink技術(shù)實(shí)現(xiàn)了加強(qiáng)絕緣。其峰值輸出驅(qū)動(dòng)電流可達(dá)±8A，可直接驅(qū)動(dòng)600A（典型值）以下的開關(guān)器件。

器件還具有原方和副方欠壓保護(hù)(UVLO)、帶溫度和過程補(bǔ)償輸出阻抗的軌到軌輸出等更多特性，可確保產(chǎn)品即使在嚴(yán)苛的條件下也能安全工作。

門極驅(qū)動(dòng)器IC還具有一項(xiàng)新特性 —— 高級(jí)有源鉗位（關(guān)斷時(shí)），可通過一個(gè)檢測(cè)管腳同時(shí)提供短路保護(hù)（開通時(shí)和開通過程中）和過壓限制。如果所驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體提供電流檢測(cè)端子，則支持可調(diào)過流檢測(cè)。

產(chǎn)品詳情

主要特征

高度集成，外形緊湊

適合600V/650V/1200V SiC MOSFET功率開關(guān)

±8A峰值門極輸出電流

集成的FluxLink™技術(shù)提供加強(qiáng)絕緣

高級(jí)有源鉗位功能

原方和副方欠壓保護(hù)(UVLO)

過流故障關(guān)斷

短路故障關(guān)斷

軌到軌輸出電壓且穩(wěn)壓

副方單電源供電

開關(guān)頻率最高至150kHz

±5ns傳輸延遲抖動(dòng)

-40℃至+125℃工作環(huán)境溫度

具有較高的共模瞬態(tài)抗擾性

采用9.5mm電氣間隙和爬電距離的eSOP封裝

保護(hù)/安全特性

原方和副方欠壓保護(hù)（包括故障反饋）

電流檢測(cè)端子可提供SiC MOSFET過流檢測(cè)

超快速短路檢測(cè)

關(guān)斷過壓限制（高級(jí)有源鉗位）

完全符合各項(xiàng)安規(guī)要求

產(chǎn)品100%進(jìn)行局部放電測(cè)試

產(chǎn)品100%進(jìn)行HIPOT合規(guī)性測(cè)試

VDE 0884-10的加強(qiáng)絕緣認(rèn)證正在申請(qǐng)中

UL 1577認(rèn)證正在申請(qǐng)中

環(huán)保封裝

無鹵素且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用

通用變頻器和伺服驅(qū)動(dòng)器

UPS、光伏逆變器(PV)、電焊機(jī)和電源

其他工業(yè)應(yīng)用

產(chǎn)品型譜

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