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大幅縮小變壓器等器件的體積

發(fā)布時(shí)間:2020/4/11 17:51:21 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):864


SN7484AN制造商: CML Microcircuits

產(chǎn)品種類(lèi): 調(diào)節(jié)器/解調(diào)器

RoHS:  詳細(xì)信息  

類(lèi)型: Modulator/Demodulator

調(diào)制格式: FFSK, MSK

最大頻率: 4.036 MHz

最小頻率: 4.028 MHz

工作電源電壓: 2.7 V to 5.5 V

工作電源電流: 4.5 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-20

封裝: Tube  

商標(biāo): CML Microcircuits  

濕度敏感性: Yes  

Pd-功率耗散: 560 mW  

產(chǎn)品類(lèi)型: Modulator / Demodulator  

工廠(chǎng)包裝數(shù)量: 38  

子類(lèi)別: Wireless & RF Integrated Circuits

 

在5G的關(guān)鍵技術(shù)Massive MIMO應(yīng)用中,基站收發(fā)信機(jī)上使用大數(shù)量(如32/64等)的陣列天線(xiàn)實(shí)現(xiàn)更大的無(wú)線(xiàn)數(shù)據(jù)流量和連接可靠性,這種架構(gòu)需要相應(yīng)的射頻收發(fā)單元陣列配套。射頻器件的數(shù)量將大為增加,器件的尺寸大小很關(guān)鍵,利用GaN的尺寸小、效率高和功率密度大的特點(diǎn)可實(shí)現(xiàn)高集化的解決方案,如模塊化射頻前端器件。

基站射頻收發(fā)單元陳列中所需的射頻器件數(shù)量大為增加,基站密度和基站數(shù)量也會(huì)大為增加,因此相比3G、4G時(shí)代,5G時(shí)代的射頻器件將會(huì)以幾十倍、甚至上百倍的數(shù)量增加,因此成本的控制非常關(guān)鍵,而硅基氮化鎵在成本上具有巨大的優(yōu)勢(shì),隨著硅基氮化鎵技術(shù)的成熟,它能以最大的性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)取得市場(chǎng)的突破。

在5G毫米波應(yīng)用上,GaN的高功率密度特性在實(shí)現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶(hù)追蹤功能下,可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體方案的尺寸,實(shí)現(xiàn)性能成本的最優(yōu)化組合。

 


時(shí)間常數(shù)

15ms

特性

非接觸表面溫度測(cè)量;5.5um紅外濾光片;快速響應(yīng)時(shí)間;寬測(cè)量溫度范圍-30~100℃

響應(yīng)率

125 V/W

探測(cè)率

0.63E08 cm·Hz1/2/W

噪聲

等效噪聲功率—0.44 nW·Hz1/2

溫度系數(shù)

熱電堆溫度系數(shù)-0.06 %/℃

RoHS

電阻

熱電堆電阻-350 kΩ(Typ)

封裝 / 箱體

TO-46

工廠(chǎng)包裝數(shù)量

1

溫度閾值

-30~100℃

準(zhǔn)確性

測(cè)溫精度-0.1℃(35℃-41℃)0.2℃(-10℃-85℃) 0.3℃(-30℃-100℃)

深圳市金嘉銳電子有限公司http://xczykj.51dzw.com/

(素材來(lái)源:ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

 

 

 


SN7484AN制造商: CML Microcircuits

產(chǎn)品種類(lèi): 調(diào)節(jié)器/解調(diào)器

RoHS:  詳細(xì)信息  

類(lèi)型: Modulator/Demodulator

調(diào)制格式: FFSK, MSK

最大頻率: 4.036 MHz

最小頻率: 4.028 MHz

工作電源電壓: 2.7 V to 5.5 V

工作電源電流: 4.5 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-20

封裝: Tube  

商標(biāo): CML Microcircuits  

濕度敏感性: Yes  

Pd-功率耗散: 560 mW  

產(chǎn)品類(lèi)型: Modulator / Demodulator  

工廠(chǎng)包裝數(shù)量: 38  

子類(lèi)別: Wireless & RF Integrated Circuits

 

在5G的關(guān)鍵技術(shù)Massive MIMO應(yīng)用中,基站收發(fā)信機(jī)上使用大數(shù)量(如32/64等)的陣列天線(xiàn)實(shí)現(xiàn)更大的無(wú)線(xiàn)數(shù)據(jù)流量和連接可靠性,這種架構(gòu)需要相應(yīng)的射頻收發(fā)單元陣列配套。射頻器件的數(shù)量將大為增加,器件的尺寸大小很關(guān)鍵,利用GaN的尺寸小、效率高和功率密度大的特點(diǎn)可實(shí)現(xiàn)高集化的解決方案,如模塊化射頻前端器件。

基站射頻收發(fā)單元陳列中所需的射頻器件數(shù)量大為增加,基站密度和基站數(shù)量也會(huì)大為增加,因此相比3G、4G時(shí)代,5G時(shí)代的射頻器件將會(huì)以幾十倍、甚至上百倍的數(shù)量增加,因此成本的控制非常關(guān)鍵,而硅基氮化鎵在成本上具有巨大的優(yōu)勢(shì),隨著硅基氮化鎵技術(shù)的成熟,它能以最大的性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)取得市場(chǎng)的突破。

在5G毫米波應(yīng)用上,GaN的高功率密度特性在實(shí)現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶(hù)追蹤功能下,可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體方案的尺寸,實(shí)現(xiàn)性能成本的最優(yōu)化組合。

 


時(shí)間常數(shù)

15ms

特性

非接觸表面溫度測(cè)量;5.5um紅外濾光片;快速響應(yīng)時(shí)間;寬測(cè)量溫度范圍-30~100℃

響應(yīng)率

125 V/W

探測(cè)率

0.63E08 cm·Hz1/2/W

噪聲

等效噪聲功率—0.44 nW·Hz1/2

溫度系數(shù)

熱電堆溫度系數(shù)-0.06 %/℃

RoHS

電阻

熱電堆電阻-350 kΩ(Typ)

封裝 / 箱體

TO-46

工廠(chǎng)包裝數(shù)量

1

溫度閾值

-30~100℃

準(zhǔn)確性

測(cè)溫精度-0.1℃(35℃-41℃)0.2℃(-10℃-85℃) 0.3℃(-30℃-100℃)

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