大幅縮小變壓器等器件的體積
發(fā)布時(shí)間:2020/4/11 17:51:21 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):864
SN7484AN制造商: CML Microcircuits
產(chǎn)品種類(lèi): 調(diào)節(jié)器/解調(diào)器
RoHS: 詳細(xì)信息
類(lèi)型: Modulator/Demodulator
調(diào)制格式: FFSK, MSK
最大頻率: 4.036 MHz
最小頻率: 4.028 MHz
工作電源電壓: 2.7 V to 5.5 V
工作電源電流: 4.5 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-20
封裝: Tube
商標(biāo): CML Microcircuits
濕度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 560 mW
產(chǎn)品類(lèi)型: Modulator / Demodulator
工廠(chǎng)包裝數(shù)量: 38
子類(lèi)別: Wireless & RF Integrated Circuits

在5G的關(guān)鍵技術(shù)Massive MIMO應(yīng)用中,基站收發(fā)信機(jī)上使用大數(shù)量(如32/64等)的陣列天線(xiàn)實(shí)現(xiàn)更大的無(wú)線(xiàn)數(shù)據(jù)流量和連接可靠性,這種架構(gòu)需要相應(yīng)的射頻收發(fā)單元陣列配套。射頻器件的數(shù)量將大為增加,器件的尺寸大小很關(guān)鍵,利用GaN的尺寸小、效率高和功率密度大的特點(diǎn)可實(shí)現(xiàn)高集化的解決方案,如模塊化射頻前端器件。
基站射頻收發(fā)單元陳列中所需的射頻器件數(shù)量大為增加,基站密度和基站數(shù)量也會(huì)大為增加,因此相比3G、4G時(shí)代,5G時(shí)代的射頻器件將會(huì)以幾十倍、甚至上百倍的數(shù)量增加,因此成本的控制非常關(guān)鍵,而硅基氮化鎵在成本上具有巨大的優(yōu)勢(shì),隨著硅基氮化鎵技術(shù)的成熟,它能以最大的性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)取得市場(chǎng)的突破。
在5G毫米波應(yīng)用上,GaN的高功率密度特性在實(shí)現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶(hù)追蹤功能下,可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體方案的尺寸,實(shí)現(xiàn)性能成本的最優(yōu)化組合。

時(shí)間常數(shù)
15ms
特性
非接觸表面溫度測(cè)量;5.5um紅外濾光片;快速響應(yīng)時(shí)間;寬測(cè)量溫度范圍-30~100℃
響應(yīng)率
125 V/W
探測(cè)率
0.63E08 cm·Hz1/2/W
噪聲
等效噪聲功率—0.44 nW·Hz1/2
溫度系數(shù)
熱電堆溫度系數(shù)-0.06 %/℃
RoHS
是
電阻
熱電堆電阻-350 kΩ(Typ)
封裝 / 箱體
TO-46
工廠(chǎng)包裝數(shù)量
1
溫度閾值
-30~100℃
準(zhǔn)確性
測(cè)溫精度-0.1℃(35℃-41℃)0.2℃(-10℃-85℃) 0.3℃(-30℃-100℃)

深圳市金嘉銳電子有限公司http://xczykj.51dzw.com/
(素材來(lái)源:ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
SN7484AN制造商: CML Microcircuits
產(chǎn)品種類(lèi): 調(diào)節(jié)器/解調(diào)器
RoHS: 詳細(xì)信息
類(lèi)型: Modulator/Demodulator
調(diào)制格式: FFSK, MSK
最大頻率: 4.036 MHz
最小頻率: 4.028 MHz
工作電源電壓: 2.7 V to 5.5 V
工作電源電流: 4.5 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-20
封裝: Tube
商標(biāo): CML Microcircuits
濕度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 560 mW
產(chǎn)品類(lèi)型: Modulator / Demodulator
工廠(chǎng)包裝數(shù)量: 38
子類(lèi)別: Wireless & RF Integrated Circuits

在5G的關(guān)鍵技術(shù)Massive MIMO應(yīng)用中,基站收發(fā)信機(jī)上使用大數(shù)量(如32/64等)的陣列天線(xiàn)實(shí)現(xiàn)更大的無(wú)線(xiàn)數(shù)據(jù)流量和連接可靠性,這種架構(gòu)需要相應(yīng)的射頻收發(fā)單元陣列配套。射頻器件的數(shù)量將大為增加,器件的尺寸大小很關(guān)鍵,利用GaN的尺寸小、效率高和功率密度大的特點(diǎn)可實(shí)現(xiàn)高集化的解決方案,如模塊化射頻前端器件。
基站射頻收發(fā)單元陳列中所需的射頻器件數(shù)量大為增加,基站密度和基站數(shù)量也會(huì)大為增加,因此相比3G、4G時(shí)代,5G時(shí)代的射頻器件將會(huì)以幾十倍、甚至上百倍的數(shù)量增加,因此成本的控制非常關(guān)鍵,而硅基氮化鎵在成本上具有巨大的優(yōu)勢(shì),隨著硅基氮化鎵技術(shù)的成熟,它能以最大的性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)取得市場(chǎng)的突破。
在5G毫米波應(yīng)用上,GaN的高功率密度特性在實(shí)現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶(hù)追蹤功能下,可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體方案的尺寸,實(shí)現(xiàn)性能成本的最優(yōu)化組合。

時(shí)間常數(shù)
15ms
特性
非接觸表面溫度測(cè)量;5.5um紅外濾光片;快速響應(yīng)時(shí)間;寬測(cè)量溫度范圍-30~100℃
響應(yīng)率
125 V/W
探測(cè)率
0.63E08 cm·Hz1/2/W
噪聲
等效噪聲功率—0.44 nW·Hz1/2
溫度系數(shù)
熱電堆溫度系數(shù)-0.06 %/℃
RoHS
是
電阻
熱電堆電阻-350 kΩ(Typ)
封裝 / 箱體
TO-46
工廠(chǎng)包裝數(shù)量
1
溫度閾值
-30~100℃
準(zhǔn)確性
測(cè)溫精度-0.1℃(35℃-41℃)0.2℃(-10℃-85℃) 0.3℃(-30℃-100℃)

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