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高性能D類音頻功率放大器

發(fā)布時(shí)間:2020/4/28 8:32:57 訪問次數(shù):895

CS83785單節(jié)鋰電池輸出恒定20瓦功放R類立體聲,CS83711雙節(jié)鋰電池供電輸出恒定2*16.5W雙聲道功率CS8139S是一款高效率、無破音、超低EMI、帶AB/D切換免濾波5.0W單聲道D類音頻放大器CS8139S輸出功率簡(jiǎn)介:輸出功率(D類工作模式) Po at 10%THD+N,VDD=5V RL=4Ω 3.1W(典型值) RL=2Ω 5W(典型值)Po at 10%THD+N,VDD=3.7V RL=4Ω 1.7W(典型值) RL=2Ω 2.42W(典型值)。CS8139S輸出功率圖表D類模式CS8139 AB類輸出功率CS8139

去耦電容(CS):CS8139是一款高性能D類音頻功率放大器。電源端需要加適當(dāng)?shù)碾娫垂╇娙ヱ铍娙輥泶_保其高效率和諧波失真度。同時(shí)為了得到良好的高頻瞬態(tài)性能,希望電容ESR的值要盡量的小。一般選擇典型值為1μF的電容旁路到地。去耦電容在布局上盡可能的靠近CS8139的Vdd腳放置,把去耦電容放在CS8139較近的地方對(duì)于提高D類放大器的效率非常重要。因?yàn)槠骷c電容之間的任何電阻或者自感都會(huì)導(dǎo)致效率的降壓,如果希望更好的濾掉低頻噪音,則根據(jù)具體需要添加一個(gè)10μF的電容或者更大的去耦電容。電容和磁珠:CS8139在沒有任何磁珠跟電容的情況下,對(duì)于60cm的音頻線仍然能滿足FCC的標(biāo)準(zhǔn)要求。在輸出音頻線過長(zhǎng)或者布局本身靠近EMI敏感元件時(shí),建議使用磁珠跟電容。磁珠跟電容建議靠近CS8139。

(749.13 KB)CS8576功放AB/D切換功放芯片CS8576E工作電壓2.5V-6.2VPO=4.55W@10% THD VDD=6.0V RL=4 ΩPO=3.20W@10% THD VDD=5.0V RL=4 ΩCS8508E:AB/D可轉(zhuǎn)換,CS8575雙聲道3W功放,8W單聲道功放IC。CS8509E:AB/D可轉(zhuǎn)換,CS8575立體聲3W功放,8W單聲道功放IC。CS8508:2.5-8.8V寬電壓工作范圍,D類模式高達(dá)90%的效率,CS8575,快速啟動(dòng)時(shí)間和纖小的封裝尺寸使得CS8508E成為雙節(jié)鋰電池在串聯(lián)的電源供電情況下適用的音頻功率放大器。CS8508的全差分結(jié)構(gòu)和極高的PSRR有效的提高了CS8508E對(duì)RF噪聲的抑制能力,并且省去了傳統(tǒng)音頻功放額BYPASS電容。CS8508E內(nèi)置了過流保護(hù),短路保護(hù)和過熱保護(hù),有效的保護(hù)芯片在異常的工作條件下不被損壞。帶耳機(jī)驅(qū)動(dòng)音頻功率放大器IC系列:CS8573E:4.5W立體聲功放IC。CS8575S:,3W立體聲功放IC,CS8532S:2X9W立體聲功放IC。CS8532S采用HSOP28封裝,是一款雙端輸出的音頻功率放大器,內(nèi)部集成兩級(jí)四個(gè)運(yùn)算放大器,構(gòu)成雙通道的放大器。CS8532可以廣泛應(yīng)用于藍(lán)牙音箱,擴(kuò)音器等音頻電子產(chǎn)品THD+N=0.1%@5V 8 Ω PO=1W無輸出濾波器調(diào)制頻率500KHZPOP聲抑制90%效率短路和熱保護(hù)自動(dòng)回復(fù)ESOP10封裝符合ROHS兼容指令

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去耦電容(CS):CS8139是一款高性能D類音頻功率放大器。電源端需要加適當(dāng)?shù)碾娫垂╇娙ヱ铍娙輥泶_保其高效率和諧波失真度。同時(shí)為了得到良好的高頻瞬態(tài)性能,希望電容ESR的值要盡量的小。一般選擇典型值為1μF的電容旁路到地。去耦電容在布局上盡可能的靠近CS8139的Vdd腳放置,把去耦電容放在CS8139較近的地方對(duì)于提高D類放大器的效率非常重要。因?yàn)槠骷c電容之間的任何電阻或者自感都會(huì)導(dǎo)致效率的降壓,如果希望更好的濾掉低頻噪音,則根據(jù)具體需要添加一個(gè)10μF的電容或者更大的去耦電容。電容和磁珠:CS8139在沒有任何磁珠跟電容的情況下,對(duì)于60cm的音頻線仍然能滿足FCC的標(biāo)準(zhǔn)要求。在輸出音頻線過長(zhǎng)或者布局本身靠近EMI敏感元件時(shí),建議使用磁珠跟電容。磁珠跟電容建議靠近CS8139。

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