TMP87CH46N-4192封裝技術(shù)SiC器件即可作為獨立器件提供也可在需要大功率電平時置于功率模塊中。目前的市場主流產(chǎn)品為獨立的功率器件，不過模塊的市場份額正在迅速增長。

SiC 二極管和晶體管的各種可用獨立封裝。UnitedSiC在不斷迅速增加封裝類型，為功率電路設(shè)計師提供他們所需的能滿足系統(tǒng)約束的各種選擇。幾乎所有這些封裝都是眾所周知的行業(yè)標(biāo)準封裝，與硅器件配合使用且應(yīng)用廣泛。雖然封裝的形狀系數(shù)保持不變，但是內(nèi)部可以添加許多增強功能，以更好地利用 SiC器件的能力。

二極管和晶體管的典型可用封裝選項系列，額定功率從左到右依次遞增。2A 至 200A 器件有獨立外形。由于支持非�？斓拈_關(guān)速度，源級開爾文封裝會讓 SiC晶體管表現(xiàn)突出，幾乎所有的 UnitedSiC 二極管和晶體管都使用銀燒結(jié)的方式將 SiC晶粒粘接到引腳框架上。在使芯片變得更薄的同時，這種方式還能幫助克服由于芯片體積變小產(chǎn)生的熱阻難題。

器件可幫助克服部分柵極驅(qū)動問題，這些問題與快速開關(guān)和使用更成熟的 D2PAK-3L、TO220-3L 和 TO247-3L等有大型常見源級電感的封裝相關(guān)。雖然傳統(tǒng)的引腳封裝是工業(yè)領(lǐng)域的主力產(chǎn)品，但是它正在讓位于“開爾文源級”封裝，因為這種封裝支持更加清晰和快速的開關(guān)且影響很小或者沒有影響。

共源共柵器件對因修改柵極電阻造成的短暫關(guān)閉的控制能力通常十分有限，尤其是在延遲時間較長并導(dǎo)致電路運行干擾時。為管理這一點，UnitedSiC提供了具有不同速度范圍的器件，器件內(nèi)部經(jīng)過預(yù)先調(diào)整，以適應(yīng)某個最大開關(guān)速度（UJ3C 和 UF3C 系列）。如果電路經(jīng)受過渡電壓過沖或電源環(huán)路振鈴，則采用小RC 緩沖電路會非常有效，且能將耗損影響減到最低。UnitedSiC 網(wǎng)站上提供了用戶指南，為用戶提供了柵極驅(qū)動和緩沖電路建議，讓器件更易用。

鑒于相比硅器件，SiC器件的電流密度越來越大，從頂部源級端子提取電流的封裝技術(shù)也在不斷進步。鋁條帶鍵合、使用銅緩沖的粗銅引線鍵合、使用銅夾的無接線封裝等都是能夠延長獨立封裝和功率模塊中的 SiC晶體管功率循環(huán)壽命的重要新興方法。

預(yù)計嵌入式封裝能讓低電感體系結(jié)構(gòu)未來有更大改善空間，甚至能整合驅(qū)動器和電容，從而通過盡可能降低電感來提高快速開關(guān)效率。

許多功率模塊正在紛紛涌入市場，包括 Easy-1B/2B 這樣的較小模塊和標(biāo)準 IGBT中的較大模塊，如 34mm 和 62mm 占板空間以及 Econodual 樣式模塊。在電動車逆變器方面，許多技術(shù)正在針對 SiC

進行優(yōu)化，包括帶翅片式散熱器的混合封裝式模塊和雙面冷卻選項。Semikron 提出的超低電感模塊，它能實現(xiàn)非�？斓拈_關(guān)速度且過沖電壓可控。Apex 制造的含半橋驅(qū)動器和 FET 的 SIP 模塊，及其在使用 UnitedSiC 35mohm，1200V堆疊式共源共柵產(chǎn)品時的相應(yīng)高速開關(guān)波形。

Semikron 展示的 400A，1200V 模塊，其回路電感僅為 1.4nH。磁通相抵的低電感設(shè)計有助于 SiC

充分發(fā)揮開關(guān)速度的優(yōu)勢，可在系統(tǒng)層面上實現(xiàn)性能提高和成本降低1200V 堆疊式共源共柵器件和內(nèi)置半橋驅(qū)動器的 SIP 模塊，正在 40A，800V且上升和下降時間極短的條件下進行開關(guān)工作。雖然采用緊湊的高頻設(shè)計，但是這種進步不僅讓使用高速器件變得更簡單，而且由于縮小了無源器件，系統(tǒng)層面獲得了很大的成本優(yōu)勢。

SiC 器件會對電壓較高的應(yīng)用產(chǎn)生很大影響。首批位于 XHP 型占板空間中的 3300V和 6500V 模塊現(xiàn)已發(fā)布，而 10kV 模塊也即將誕生。UnitedSiC 利用超共源共柵技術(shù)這一獨特方法進入此領(lǐng)域，它將 1700V低電阻器件串聯(lián)，打造電壓更高的器件，且所有器件都由位于末端的一個低壓 FET 控制。已證實該方法具備很高的可擴展性，能實現(xiàn) 3300V – 20kV的模塊，而無需高壓芯片。這對高壓固態(tài)斷路器和實施連接到中壓電網(wǎng)的固態(tài)變壓器都非常有用。

SiC器件和封裝技術(shù)還在繼續(xù)快速發(fā)展，促使在許多快速發(fā)展的終端市場應(yīng)用中的市場采用率不斷提高。這將推動許多不同方向的新寬帶隙產(chǎn)品開發(fā)，如用于直流轉(zhuǎn)換的極高速開關(guān)器件、電動車車載充電器、服務(wù)器電源、電感損耗非常低的電動車逆變器模塊。大量擁有這種改進的寬帶隙器件能力的新一代系統(tǒng)設(shè)計目前正處于開發(fā)階段，SiC技術(shù)必將使得市場上的整體功率性能和能效更上一層。

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