SN761025DL-TFB內部存儲器，但可用存儲器的數(shù)量始終比專用存儲器芯片的存儲器數(shù)量級低幾個數(shù)量級。因此許多FPGA設計人員在其FPGA上附加某種類型的存儲器也就不足為奇了。由于其高速和低成本，SDRAM是非常流行的存儲器。它們不像靜態(tài)存儲器那樣容易控制，因此經常使用SDRAM控制器。

FPGA器件屬于專用集成電路中的一種半定制電路，是可編程的邏輯列陣，能夠有效的解決原有的器件門電路數(shù)較少的問題。FPGA的基本結構包括可編程輸入輸出單元，可配置邏輯塊，數(shù)字時鐘管理模塊，嵌入式塊RAM，布線資源，內嵌專用硬核，底層內嵌功能單元。由于FPGA具有布線資源豐富，可重復編程和集成度高，投資較低的特點，在數(shù)字電路設計領域得到了廣泛的應用。

對于控制器，針對的可能是最簡單的SDRAM：一款支持用于Xilinx FPGA或Altera FPGA中的32位DDR4 SDRAM。如Kintex Ultrascale FPGA中可支持32位DDR4 SDRAM,支持免費送樣及測試。

32位 DDR4 SDRAM特征

密度

-8Gb

組織

-32M字×32位×8組

-無鉛/RoHS

電源

-VDD=VDDQ=1.14V-1.26V

-VPP=2.375V–2.75V

數(shù)據(jù)速率：

-3200Mbps/2933Mbps/2666Mbps/2400Mbps/

2133Mbps/1866Mbps/1600Mbps

接口：偽漏極開路（POD）

爆破長度（BL）：爆破（BC）為8和4

預充電：每個突發(fā)訪問自動預充電選項

刷新：自動刷新，自刷新

刷新周期

平均刷新周期0℃≤TC≤+85℃時為7.8μs+85℃

工作箱溫度范圍

商業(yè)：TC=0℃至+95℃

工業(yè)：TC=-40℃至+95℃

雙數(shù)據(jù)速率架構：每個時鐘周期兩次數(shù)據(jù)傳輸

高速數(shù)據(jù)傳輸通過8位預取流水線架構實現(xiàn)

雙向差分數(shù)據(jù)選通（DQS_t和DQS_c）與數(shù)據(jù)一起發(fā)送/接收，以便在接收器處捕獲數(shù)據(jù)

每個DRAM尋址能力（PDA）

每個DRAM可以分別設置不同的模式寄存器值，并可以單獨調整。

細粒度刷新

2x，4x模式用于較小的tRFC

最大的省電模式，功耗最低，無需內部刷新

可編程的部分陣列自刷新（PASR）

RESET_n引腳用于上電序列和復位功能

(素材來源：ttic和eechina.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）

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