游標(biāo)電流標(biāo)稱電阻容差誤差

發(fā)布時(shí)間:2020/6/9 23:48:04 訪問次數(shù):2052

標(biāo)稱電阻容差誤差：±8%（最大值）

游標(biāo)電流：±6 mA

可變電阻器模式下

的溫度系數(shù)： 35 ppm/°C

低功耗：2.5 μA（最大值，2.7 V，125°C）

寬帶寬：4 MHz（5 kΩ選項(xiàng)）

上電EEPROM刷新時(shí)間：< 50 μs

125°C時(shí)典型數(shù)據(jù)保留期：50年

100萬寫周期

模擬電源電壓：2.3 V至5.5 V

邏輯電源電壓：1.8 V至5.5 V

寬工作溫度范圍：−40℃至+125℃

2 mm × 2 mm × 0.55 mm、

8引腳超薄

LFCSP封裝

應(yīng)用

機(jī)械電位計(jì)

替代產(chǎn)品

便攜式電子設(shè)備

電平調(diào)整

音量控制

低分辨率DAC

LCD面板亮度

和對比度控制

可編程電壓至電流轉(zhuǎn)換

可編程濾波器、

延遲、

時(shí)間常數(shù)

反饋電阻可編程電源

傳感器校準(zhǔn)

用一根很細(xì)的金屬絲壓在光潔的半導(dǎo)體晶片表面，通以脈沖電流，使觸絲一端與晶片牢固地?zé)Y(jié)在一起，形成一個“PN結(jié)”。

面接觸型二極管的“PN結(jié)”面積較大，允許通過較大的電流（幾安到幾十安），主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。

平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠，多用于開關(guān)、脈沖及高頻電路中。

二極管又稱晶體二極管,簡稱二極管(diode)，在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個PN結(jié)兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流傳導(dǎo)性。

晶體二極管是一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。

頻率彈性可在線編程的CMOS時(shí)鐘發(fā)生器。新推出的8路時(shí)鐘發(fā)生器Si5350/51內(nèi)置壓控石英晶體振蕩器(VCXO)，能以單一時(shí)鐘IC取代傳統(tǒng)的多器件鎖相環(huán)(PLL)解決方案，與其他時(shí)鐘產(chǎn)品相比，Si5350/51可提供兩倍的頻率彈性，且可分別降低70%的抖動和30%的功耗。Si5350/51時(shí)鐘發(fā)生器針對成本敏感的消費(fèi)性電子產(chǎn)品提供最佳化方案，例如數(shù)字錄像機(jī)(DVR)、高清電視(HDTV)、機(jī)頂盒和游戲機(jī)系統(tǒng)，以及打印機(jī)、投影儀、視頻會議設(shè)備、刀片式服務(wù)器(Blade Server)、單板計(jì)算機(jī)、磁盤陣列(RAID)系統(tǒng)、超微型基站(Femtocell)及電信客戶端設(shè)備等。

Si5350/51時(shí)鐘發(fā)生器采用Silicon Labs專利的MultiSynth技術(shù)，可比目前市場上所有的3-PLL或4-PLL時(shí)鐘發(fā)生器提供更優(yōu)異的頻率彈性、更低的抖動、更少的功耗和更小的電路板面積。不同于傳統(tǒng)的時(shí)鐘發(fā)生器需使用獨(dú)立的PLL去合成每一個非整數(shù)(non-integer)相關(guān)的輸出頻率，Si5350/51可依據(jù)其8路輸出時(shí)鐘中的每一個頻率合成特定的頻率，通過將頻率合成功能集成至?xí)r鐘IC上的輸出分頻器而非PLL中，Si5350/51可提供等同于8個PLL所能達(dá)到的頻率合成能力，同時(shí)還能大幅降低板卡面積和功耗。