表面貼裝式封裝的低噪聲放大器（LNA）TQP3M9036和TQP3M9037的初始樣品，為面向基站和類似應(yīng)用的集成、封裝解決方案提供最低的噪聲系數(shù)。

這些采用TriQuint砷化鎵E-pHEMT工藝的新器件，包括工作頻率為400至1500 MHz、噪聲系數(shù)為0.45 dB的TQP3M9036和工作頻率為1500至2700 MHz、噪聲系數(shù)為0.40 dB的TQP3M9037。兩款放大器均非常適用于基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，如蜂窩基站、塔頂放大器（TMA）、小蜂窩無線網(wǎng)絡(luò)、中繼器、700 MHz LTE網(wǎng)絡(luò)以及使用UHF頻譜中“空白信號頻譜”（white space）的新興無線系統(tǒng)。

最新的1 Mb SRAM使設(shè)計人員能夠以比轉(zhuǎn)而采用更大存儲容量單片機或處理器低得多的成本彌補這一不足，而且還比并行SRAM的功耗和成本更低、引腳數(shù)更少。對于需要非易失性RAM的應(yīng)用，我們還首度增加了有電池備份的兩款器件，其成本明顯低于任何其他類型非易失性RAM。

最新串行SRAM系列的所有六款器件提供8引腳SOIC、TSSOP和PDIP封裝。容量有512 Kb的1 Mb供選擇。兩款易失性器件——23A1024和23LC1024——現(xiàn)已提供樣片并批量生產(chǎn)，10,000片起批量供應(yīng)。23A512及23LC512預(yù)計將于10月份提供樣片并批量生產(chǎn)。

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