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毫米波與波束成形的本地振蕩器

發(fā)布時(shí)間:2020/6/27 7:23:39 訪問(wèn)次數(shù):3104

寬帶毫米波合成器,具備業(yè)界高性能,并擁有針對(duì)5G與寬帶無(wú)線應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化的獨(dú)特功能。

旗艦產(chǎn)品8V97003是用于毫米波與波束成形的本地振蕩器(LO),以及高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器精確參考時(shí)鐘的理想之選,適合多種應(yīng)用,如測(cè)試與測(cè)量、光網(wǎng)絡(luò)及數(shù)據(jù)采集等。

為最新一代高性能毫米波通信設(shè)備開(kāi)發(fā)了全新的8V97003,以確保滿足客戶在頻率范圍、相位噪聲和輸出功率等方面最嚴(yán)苛的要求。8V97003在單芯片架構(gòu)的同類產(chǎn)品中具有一流性能,特別適合載波頻率6GHz以上的新興應(yīng)用,包括無(wú)線寬帶、微波回傳及5G通信。

8V97003在寬頻率范圍(171.875 MHz至18 GHz)、超低輸出相位噪聲(6GHz載波 20 kHz~100 MHz積分區(qū)域達(dá)到 -60.6dBc)和高輸出功率的整個(gè)頻率范圍內(nèi),提供了業(yè)界最佳組合。寬頻率范圍幫助用戶可以采用單個(gè)8V97003替代多個(gè)合成器模塊,從而減少解決方案的占板面積和成本。

高輸出功率消除了對(duì)外部驅(qū)動(dòng)器的需求,從而進(jìn)一步降低復(fù)雜性和總體功耗,同時(shí)做到不影響性能。超低輸出相位噪聲可實(shí)現(xiàn)出色的系統(tǒng)級(jí)信噪比(SNR)和矢量幅度誤差(EVM),使其成為5G及其它無(wú)線應(yīng)用的絕佳選擇。

作為高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的參考時(shí)鐘,8V97003通過(guò)改善SNR和無(wú)雜散動(dòng)態(tài)范圍(SFDR)來(lái)最大化系統(tǒng)性能。以上就是業(yè)界高性能寬帶毫米波合成器解析。

1200 V器件的額定電流高達(dá)103 A(最大ID),而900 V器件的額定電流高達(dá)118 A。對(duì)于需要更高電流的應(yīng)用,安森美半導(dǎo)體的MOSFET可易于并聯(lián)運(yùn)行,因其正溫系數(shù)/不受溫度影響。

設(shè)計(jì)工程師要達(dá)到現(xiàn)代可再生能源、汽車、IT和電信應(yīng)用要求的具挑戰(zhàn)性的高能效和功率密度目標(biāo),他們需要高性能、高可靠性的MOSFET器件。安森美半導(dǎo)體的WBG SiC MOSFET提升性能至超越硅器件所能提供的,包括更低的損耗,更高的工作溫度,更快的開(kāi)關(guān)速度,改善的EMI和更高的可靠性。安森美半導(dǎo)體為進(jìn)一步支援工程界,還提供廣泛的資源和工具,簡(jiǎn)化和加速設(shè)計(jì)流程。

超延時(shí)型熔斷特性的抗脈沖表面貼裝(SMD)陶瓷保險(xiǎn)絲,特別適合在要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場(chǎng)合用作故障保護(hù)裝置。

該長(zhǎng)方形(5.3x16mm)SMD保險(xiǎn)絲結(jié)構(gòu)特別緊湊,提供從5A至20A的五種額定電流。交流和直流額定電壓可達(dá)125V,分?jǐn)嗄芰ψ罡呖蛇_(dá)1000A。此獨(dú)特的SMD保險(xiǎn)絲具有超慢熔斷及精確定義的熔斷特性。

SCHURTER公司的UMT-W系列保險(xiǎn)絲特別適用于涌入電流較高的場(chǎng)合(如馬達(dá)控制系統(tǒng))。UMT-W尤其適用于電纜較長(zhǎng)的應(yīng)用場(chǎng)合(如,航空電子設(shè)備),此類場(chǎng)合通常采用電子保險(xiǎn)絲進(jìn)行保護(hù)。如果電子保險(xiǎn)絲出現(xiàn)故障,或者未能正確執(zhí)行熔斷任務(wù),則此時(shí)可通過(guò)UMT-W保險(xiǎn)絲來(lái)發(fā)揮故障安全裝置的作用,從而將系統(tǒng)轉(zhuǎn)入一種安全的斷電狀態(tài)。由于在4xIn時(shí)最小/最大熔斷時(shí)間的精確定義,所以可以在電子保險(xiǎn)絲前端實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健和可選的安全理念。

COTS+UMT-W保險(xiǎn)絲是一種“COTS+”(商用現(xiàn)貨+)產(chǎn)品!+”表示保險(xiǎn)絲經(jīng)過(guò)很長(zhǎng)時(shí)間的合格測(cè)試(如AEC-Q200),同時(shí)制造流程經(jīng)過(guò)嚴(yán)格控制,這些優(yōu)勢(shì)是SCHURTER所有客戶均可以享受到的。為了實(shí)現(xiàn)更高的可靠性要求,我們還根據(jù)MIL-PRF 55342提供外觀檢查,并可根據(jù)要求提供各種類型的加檢(老化)測(cè)試以及詳細(xì)的測(cè)試報(bào)告。以上就是設(shè)備故障保護(hù)的UMT-W系列產(chǎn)品解析

(素材來(lái)源:21IC和ttic和eechina.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

深圳市永拓豐科技有限公司http://ytf01.51dzw.com/


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旗艦產(chǎn)品8V97003是用于毫米波與波束成形的本地振蕩器(LO),以及高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器精確參考時(shí)鐘的理想之選,適合多種應(yīng)用,如測(cè)試與測(cè)量、光網(wǎng)絡(luò)及數(shù)據(jù)采集等。

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8V97003在寬頻率范圍(171.875 MHz至18 GHz)、超低輸出相位噪聲(6GHz載波 20 kHz~100 MHz積分區(qū)域達(dá)到 -60.6dBc)和高輸出功率的整個(gè)頻率范圍內(nèi),提供了業(yè)界最佳組合。寬頻率范圍幫助用戶可以采用單個(gè)8V97003替代多個(gè)合成器模塊,從而減少解決方案的占板面積和成本。

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設(shè)計(jì)工程師要達(dá)到現(xiàn)代可再生能源、汽車、IT和電信應(yīng)用要求的具挑戰(zhàn)性的高能效和功率密度目標(biāo),他們需要高性能、高可靠性的MOSFET器件。安森美半導(dǎo)體的WBG SiC MOSFET提升性能至超越硅器件所能提供的,包括更低的損耗,更高的工作溫度,更快的開(kāi)關(guān)速度,改善的EMI和更高的可靠性。安森美半導(dǎo)體為進(jìn)一步支援工程界,還提供廣泛的資源和工具,簡(jiǎn)化和加速設(shè)計(jì)流程。

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該長(zhǎng)方形(5.3x16mm)SMD保險(xiǎn)絲結(jié)構(gòu)特別緊湊,提供從5A至20A的五種額定電流。交流和直流額定電壓可達(dá)125V,分?jǐn)嗄芰ψ罡呖蛇_(dá)1000A。此獨(dú)特的SMD保險(xiǎn)絲具有超慢熔斷及精確定義的熔斷特性。

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