VM5621PLJ包括6個(gè)速度高達(dá)11.25 Mb/s的USART

3個(gè)速度高達(dá)45 Mb/s的SPI、3個(gè)I2C

2個(gè)CAN和1個(gè)SDIO

模擬：2個(gè)12位DAC

3個(gè)速度為2.4 MSPS

7.2 MSPS（交錯(cuò)模式）

12位ADC

定時(shí)器多達(dá)17個(gè)：

頻率高達(dá)168 MHz的16

32位定時(shí)器

可以利用支持Compact Flash

SRAM、PSRAM、NOR

NAND存儲(chǔ)器的靈活靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器輕松擴(kuò)展存儲(chǔ)容量

基于模擬電子技術(shù)的真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器

STM32F417還整合了加密/HASH處理器

為AES 128、192、256、3DES和HASH（MD5、SHA-1）

實(shí)現(xiàn)了硬件加速

集成：STM32F417x系列具有512KB（僅限于WLCSP90封裝）

~1MB Flash和192KB SRAM

采用尺寸小至4 x 4.2 mm

64~144引腳封裝。

STM32F407/417產(chǎn)品系列

具有512KB~1MB Flash

192KB SRAM

采用尺寸小至10 x 10 mm

100~

176引腳封裝

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 12.7 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 14.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.75 mm

長(zhǎng)度: 4.9 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.9 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 16 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 38 ns

工廠包裝數(shù)量: 2500

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 30 ns

典型接通延遲時(shí)間: 7.9 ns

單位重量: 540 mg

光探測(cè)和測(cè)距（LIDAR）系統(tǒng)

使用光來回飛行到物體所花費(fèi)的時(shí)間

以測(cè)量到該目標(biāo)的距離

TIDA-00663

參考設(shè)計(jì)展示了如何基于時(shí)間數(shù)字轉(zhuǎn)換器（TDC）

以及相關(guān)的前端設(shè)計(jì)

LIDAR的時(shí)間測(cè)量后端

LIDAR脈沖飛行時(shí)間參考設(shè)計(jì)

可用于所有那些通過建立物理接觸

來測(cè)量到目標(biāo)距離的應(yīng)用

典型的例子包括測(cè)量物流中心

傳送帶上物體的存在

確保移動(dòng)機(jī)器人手臂周圍的安全距離。

(素材來源：21IC和ttic和eechina.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

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