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模帶低導(dǎo)通電阻塊的熱性能

發(fā)布時(shí)間:2020/7/28 18:17:21 訪問次數(shù):963

TB9120AFTG采用帶低導(dǎo)通電阻(上橋臂+下橋臂=0.8Ω(典型值))的DMOS FET,可實(shí)現(xiàn)的最大電流為1.5A[1]。DMOS FET和產(chǎn)生微步正弦波(最高可支持1/32步)的控制器均封于一個(gè)小型QFN型封裝(6mm×6mm)中。

新款I(lǐng)C的工作溫度范圍為-40至125℃,符合車載應(yīng)用電子組件認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q100的要求。它適用于使用步進(jìn)電機(jī)的多種通用車載應(yīng)用,例如調(diào)節(jié)抬頭顯示器的投影位置以及制冷劑回路的膨脹閥。

主要特性:

通用多用途規(guī)格,特別適用于車載應(yīng)用

搭載帶低導(dǎo)通電阻(上橋臂+下橋臂=0.8Ω(典型值))的DMOS FET,可實(shí)現(xiàn)的最大電流為1.5A。

內(nèi)置錯(cuò)誤檢測(cè)及警告信號(hào)輸出功能:過流檢測(cè)、過熱保護(hù)和負(fù)載開路檢測(cè)。

采用可焊錫側(cè)翼VQFN封裝(6mm×6mm),提供極佳的可焊性。

工作溫度范圍:-40℃至125℃。

AEC-Q100認(rèn)證。

微步驅(qū)動(dòng),最高可支持1/32步

降低電機(jī)噪聲,實(shí)現(xiàn)更平滑、更精準(zhǔn)的控制。

僅使用一個(gè)簡(jiǎn)單的時(shí)鐘輸入接口,無需功能先進(jìn)的MCU或?qū)S密浖?

恒流PWM控制:混合衰減模式有助于穩(wěn)定電流波形。

失速檢測(cè)功能

檢測(cè)到失速后從SD引腳輸出失速檢測(cè)信號(hào)。

可使用微控制器接收檢測(cè)信號(hào)并反饋給系統(tǒng)。

應(yīng)用:

抬頭顯示器投影位置鏡像調(diào)節(jié)。

汽車空調(diào)和電池管理系統(tǒng)用制冷劑回路膨脹閥。

62mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì),以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應(yīng)用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎(chǔ)上,將碳化硅的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到了太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。

該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。在高開關(guān)頻率下運(yùn)行時(shí),可使用更小的磁性元件。借助英飛凌CoolSiC芯片技術(shù),客戶可以設(shè)計(jì)尺寸更小的逆變器,從而降低整體系統(tǒng)成本。

它采用62mm標(biāo)準(zhǔn)基板和螺紋接口,具有高魯棒性的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),從而最大限度地優(yōu)化并提高系統(tǒng)可用性,同時(shí)降低維修成本并減少停機(jī)損失。出色的溫度循環(huán)能力和150°C的連續(xù)工作溫度(Tvjop),帶來出色的系統(tǒng)可靠性。其對(duì)稱的內(nèi)部設(shè)計(jì),使得上下開關(guān)有了相同的開關(guān)條件?梢赃x裝“預(yù)處理熱界面材料”(TIM)配置,進(jìn)一步提高模塊的熱性能。

供貨情況

采用62 mm封裝的1200 V CoolSiC™MOSFET有6mΩ/ 250 A、3mΩ/ 357 A和2mΩ/ 500A型號(hào)可供選擇。

 

小型ENYCAP系列電容器包括標(biāo)準(zhǔn)型220 EDLC、加固型225 EDLC-R、高壓230 EDLC-HV和加固型高壓235 EDLC-HVR,具有更高功率密度,節(jié)省各種工業(yè)、再生能源和汽車應(yīng)用空間,包括智能電表、手持電子設(shè)備、機(jī)器人、能量采集設(shè)備、電子門鎖系統(tǒng)、應(yīng)急照明等。

Vishay的ENYCAP電容器適用于各種標(biāo)準(zhǔn)和惡劣高濕環(huán)境,+85 °C條件下使用壽命長(zhǎng)達(dá)2,000小時(shí),免維護(hù),具有極高的設(shè)計(jì)靈活性。器件堅(jiān)固耐用,經(jīng)過1500小時(shí)85 °C / 相對(duì)濕度85 %帶電測(cè)試,耐潮能力達(dá)到最高等級(jí),高壓電容器額定電壓達(dá)3.0 V。器件經(jīng)過AEC-Q200認(rèn)證,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),可進(jìn)行快速充放電,提供通孔封裝版本。

外型尺寸更小的ENYCAP電容器現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、通信、國(guó)防、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。

深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com

(素材來源:chinaaet.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

 

TB9120AFTG采用帶低導(dǎo)通電阻(上橋臂+下橋臂=0.8Ω(典型值))的DMOS FET,可實(shí)現(xiàn)的最大電流為1.5A[1]。DMOS FET和產(chǎn)生微步正弦波(最高可支持1/32步)的控制器均封于一個(gè)小型QFN型封裝(6mm×6mm)中。

新款I(lǐng)C的工作溫度范圍為-40至125℃,符合車載應(yīng)用電子組件認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q100的要求。它適用于使用步進(jìn)電機(jī)的多種通用車載應(yīng)用,例如調(diào)節(jié)抬頭顯示器的投影位置以及制冷劑回路的膨脹閥。

主要特性:

通用多用途規(guī)格,特別適用于車載應(yīng)用

搭載帶低導(dǎo)通電阻(上橋臂+下橋臂=0.8Ω(典型值))的DMOS FET,可實(shí)現(xiàn)的最大電流為1.5A。

內(nèi)置錯(cuò)誤檢測(cè)及警告信號(hào)輸出功能:過流檢測(cè)、過熱保護(hù)和負(fù)載開路檢測(cè)。

采用可焊錫側(cè)翼VQFN封裝(6mm×6mm),提供極佳的可焊性。

工作溫度范圍:-40℃至125℃。

AEC-Q100認(rèn)證。

微步驅(qū)動(dòng),最高可支持1/32步

降低電機(jī)噪聲,實(shí)現(xiàn)更平滑、更精準(zhǔn)的控制。

僅使用一個(gè)簡(jiǎn)單的時(shí)鐘輸入接口,無需功能先進(jìn)的MCU或?qū)S密浖?

恒流PWM控制:混合衰減模式有助于穩(wěn)定電流波形。

失速檢測(cè)功能

檢測(cè)到失速后從SD引腳輸出失速檢測(cè)信號(hào)。

可使用微控制器接收檢測(cè)信號(hào)并反饋給系統(tǒng)。

應(yīng)用:

抬頭顯示器投影位置鏡像調(diào)節(jié)。

汽車空調(diào)和電池管理系統(tǒng)用制冷劑回路膨脹閥。

62mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì),以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應(yīng)用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎(chǔ)上,將碳化硅的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到了太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。

該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。在高開關(guān)頻率下運(yùn)行時(shí),可使用更小的磁性元件。借助英飛凌CoolSiC芯片技術(shù),客戶可以設(shè)計(jì)尺寸更小的逆變器,從而降低整體系統(tǒng)成本。

它采用62mm標(biāo)準(zhǔn)基板和螺紋接口,具有高魯棒性的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),從而最大限度地優(yōu)化并提高系統(tǒng)可用性,同時(shí)降低維修成本并減少停機(jī)損失。出色的溫度循環(huán)能力和150°C的連續(xù)工作溫度(Tvjop),帶來出色的系統(tǒng)可靠性。其對(duì)稱的內(nèi)部設(shè)計(jì),使得上下開關(guān)有了相同的開關(guān)條件?梢赃x裝“預(yù)處理熱界面材料”(TIM)配置,進(jìn)一步提高模塊的熱性能。

供貨情況

采用62 mm封裝的1200 V CoolSiC™MOSFET有6mΩ/ 250 A、3mΩ/ 357 A和2mΩ/ 500A型號(hào)可供選擇。

 

小型ENYCAP系列電容器包括標(biāo)準(zhǔn)型220 EDLC、加固型225 EDLC-R、高壓230 EDLC-HV和加固型高壓235 EDLC-HVR,具有更高功率密度,節(jié)省各種工業(yè)、再生能源和汽車應(yīng)用空間,包括智能電表、手持電子設(shè)備、機(jī)器人、能量采集設(shè)備、電子門鎖系統(tǒng)、應(yīng)急照明等。

Vishay的ENYCAP電容器適用于各種標(biāo)準(zhǔn)和惡劣高濕環(huán)境,+85 °C條件下使用壽命長(zhǎng)達(dá)2,000小時(shí),免維護(hù),具有極高的設(shè)計(jì)靈活性。器件堅(jiān)固耐用,經(jīng)過1500小時(shí)85 °C / 相對(duì)濕度85 %帶電測(cè)試,耐潮能力達(dá)到最高等級(jí),高壓電容器額定電壓達(dá)3.0 V。器件經(jīng)過AEC-Q200認(rèn)證,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),可進(jìn)行快速充放電,提供通孔封裝版本。

外型尺寸更小的ENYCAP電容器現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、通信、國(guó)防、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。

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