高效隔離的集成變壓器技術(shù)
發(fā)布時(shí)間:2020/7/28 18:07:27 訪問次數(shù):2889
UCC12050/40特色在于集成變壓器技術(shù),能夠?qū)㈦娏鬏敻綦x開來,并且將這樣的功效性能在非常小型的IC尺寸內(nèi)封裝,能夠提供500mW高效隔離的DC/DC電源。這款產(chǎn)品是第一款采用TI新型專有集成變壓器技術(shù)的產(chǎn)品,能夠?qū)崿F(xiàn)業(yè)界上更低的EMI效率。
UCC12050在運(yùn)輸、電網(wǎng)架構(gòu)、醫(yī)療應(yīng)用等需要隔離的場(chǎng)景下具有很大優(yōu)勢(shì),能夠確保產(chǎn)品在高低電位差里受到保護(hù),并正常地運(yùn)作。
太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用的全SiC功率模塊,該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺(tái)達(dá)選用,用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。
NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個(gè)1200V、40mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級(jí)的1200V,40A SiC升壓二極管。SiC技術(shù)的使用提供了實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速開關(guān)特性。
NXH40B120MNQ集成度高,引腳分配針對(duì)逆變器設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化。 通過使用SiC器件,功率模塊提供低導(dǎo)通和開關(guān)損耗,從而支持使用更高的開關(guān)頻率,有助于提高逆變能效。 這些模塊易于使用,可根據(jù)客戶的喜好,采用無焊壓合連接和客戶定義的熱接口選項(xiàng)。
NXH40B120MNQ全SiC電源模塊有2通道和3通道版本,還有2通道模塊NXH80B120MNQ0,集成了一個(gè)1200 V、80 mΩ SiC MOSFET和1200 V、20 A SiC二極管。
AP64350Q/AP64351Q/AP64352Q 系列用于負(fù)載點(diǎn)(POL)應(yīng)用的3.5A同步降壓轉(zhuǎn)換器,且符合汽車規(guī)格。AP6435xQ具備低靜態(tài)電流與3.8V至40V的寬輸入電壓范圍。本系列裝置開發(fā)用于汽車應(yīng)用,包括信息娛樂系統(tǒng)、儀表板燈組、遠(yuǎn)程信息、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)與前照燈。
AP6435xQ完全整合75mΩ高側(cè)電源MOSFET和45mΩ低側(cè)電源MOSFET,提供高效率的 DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換功能。AP6435xQ 采用閘極驅(qū)動(dòng)器/自舉式設(shè)計(jì),使裝置可在低壓差 (LDO) 模式下運(yùn)作,允許接近100%的占空比。
負(fù)載電流接近零時(shí),裝置為提升效率便會(huì)進(jìn)入脈沖頻率調(diào)變 (PFM) 模式,靜態(tài)電流僅 22μA。本系列裝置亦采用頻率展頻 (FSS) 技術(shù),具 ±6% 的切換頻率抖動(dòng)以及專有的閘極驅(qū)動(dòng)器機(jī)制,能有效降低 MOSFET 切換產(chǎn)生的高頻輻射 EMI 噪聲。
AP64350Q、AP64351Q及AP64352Q三者各具特色,以略微不同的方式將效能優(yōu)化。AP64350Q與AP64352Q 具有可調(diào)整的切換頻率(100kHz 至 2.2MHz),更可與外部時(shí)鐘同步,還提供設(shè)計(jì)彈性,可為切換頻率在AM帶寬外的精巧外型解決方案提供極高效率低頻模式或高頻模式的選擇。AP64351Q與AP64352Q具有能降低涌浪電流的可編程軟啟動(dòng)功能,而AP64350Q與AP64351Q 的外部補(bǔ)償可將回路響應(yīng)優(yōu)化。
AP64350Q、AP64351Q與AP64352Q符合AEC-Q100 Grade 1等級(jí)規(guī)范支持PPAP文件,并由IATF 16949認(rèn)證的設(shè)施制造。裝置采用SO-8EP封裝。
D-Sub 輕型 backshell 是在重量和空間受到嚴(yán)格限制的航天應(yīng)用中保護(hù)連接器和電纜的關(guān)鍵元件。C&K 現(xiàn)在推出了新型式以便在需要屏蔽的應(yīng)用中滿足客戶需求。
D-Sub backshell 和 haloring 有兩種質(zhì)量等級(jí)可供選擇:ESA/ESCC 認(rèn)證型和工程型。這兩種型號(hào)都主要針對(duì)航天市場(chǎng), 主要應(yīng)用在發(fā)射器、衛(wèi)星和宇宙飛船等應(yīng)用的線束中。
6 種不同規(guī)格的外殼有 11 種插口形狀并可選擇黃金或鎳飾面, C&K 相信總有一款解決方案可以滿足任何客戶需求。除多樣性外, 它還具有極高可靠性、緊湊尺寸并更易控制公差。
(素材來源:chinaaet.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
深圳市永拓豐科技有限公司http://ytf02.51dzw.com/
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太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用的全SiC功率模塊,該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺(tái)達(dá)選用,用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。
NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個(gè)1200V、40mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級(jí)的1200V,40A SiC升壓二極管。SiC技術(shù)的使用提供了實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速開關(guān)特性。
NXH40B120MNQ集成度高,引腳分配針對(duì)逆變器設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化。 通過使用SiC器件,功率模塊提供低導(dǎo)通和開關(guān)損耗,從而支持使用更高的開關(guān)頻率,有助于提高逆變能效。 這些模塊易于使用,可根據(jù)客戶的喜好,采用無焊壓合連接和客戶定義的熱接口選項(xiàng)。
NXH40B120MNQ全SiC電源模塊有2通道和3通道版本,還有2通道模塊NXH80B120MNQ0,集成了一個(gè)1200 V、80 mΩ SiC MOSFET和1200 V、20 A SiC二極管。
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AP6435xQ完全整合75mΩ高側(cè)電源MOSFET和45mΩ低側(cè)電源MOSFET,提供高效率的 DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換功能。AP6435xQ 采用閘極驅(qū)動(dòng)器/自舉式設(shè)計(jì),使裝置可在低壓差 (LDO) 模式下運(yùn)作,允許接近100%的占空比。
負(fù)載電流接近零時(shí),裝置為提升效率便會(huì)進(jìn)入脈沖頻率調(diào)變 (PFM) 模式,靜態(tài)電流僅 22μA。本系列裝置亦采用頻率展頻 (FSS) 技術(shù),具 ±6% 的切換頻率抖動(dòng)以及專有的閘極驅(qū)動(dòng)器機(jī)制,能有效降低 MOSFET 切換產(chǎn)生的高頻輻射 EMI 噪聲。
AP64350Q、AP64351Q及AP64352Q三者各具特色,以略微不同的方式將效能優(yōu)化。AP64350Q與AP64352Q 具有可調(diào)整的切換頻率(100kHz 至 2.2MHz),更可與外部時(shí)鐘同步,還提供設(shè)計(jì)彈性,可為切換頻率在AM帶寬外的精巧外型解決方案提供極高效率低頻模式或高頻模式的選擇。AP64351Q與AP64352Q具有能降低涌浪電流的可編程軟啟動(dòng)功能,而AP64350Q與AP64351Q 的外部補(bǔ)償可將回路響應(yīng)優(yōu)化。
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D-Sub 輕型 backshell 是在重量和空間受到嚴(yán)格限制的航天應(yīng)用中保護(hù)連接器和電纜的關(guān)鍵元件。C&K 現(xiàn)在推出了新型式以便在需要屏蔽的應(yīng)用中滿足客戶需求。
D-Sub backshell 和 haloring 有兩種質(zhì)量等級(jí)可供選擇:ESA/ESCC 認(rèn)證型和工程型。這兩種型號(hào)都主要針對(duì)航天市場(chǎng), 主要應(yīng)用在發(fā)射器、衛(wèi)星和宇宙飛船等應(yīng)用的線束中。
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