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電池開關(guān)模式全集成降壓

發(fā)布時間:2020/8/3 0:17:04 訪問次數(shù):1207

RN5RZ26BATR芯片制造設(shè)備的外國公司必須先獲得美國許可證,然后才能向華為海思提供某些芯片或服務(wù),這意味著為華為海思芯片代工的臺積電也將受到限制,因此很多人都將希望寄在了中芯國際身上。中芯國際回歸A股事件,之所以受到資本如此追捧,其實(shí)與華為等高科技公司被美國“卡脖子”息息相關(guān)。

中芯國際是大陸最先進(jìn)的晶圓體代工廠,不過現(xiàn)階段中芯國際只有14nm工藝的技術(shù),對比臺積電的7nm甚至5nm,差距確實(shí)非常明顯,至于為什么有這么大的差距,主要是因?yàn)橹行緡H無法購買到全球最先進(jìn)的ASML光刻機(jī)。

國內(nèi)代工最先進(jìn)的芯片的有實(shí)力的廠商確實(shí)仍是比較少,因?yàn)檫@是一個長期的資金投入與研制發(fā)的過程,想在短時間內(nèi)打破仍是較難的。最主要是因?yàn)樾酒み^高的門檻,其中最大的門檻是科技水平:

臺積電的最新工藝是5nm,據(jù)稱蘋果的A14芯片臺積電已經(jīng)使用5nm的工藝開始量產(chǎn)了;而像其它芯片代工企業(yè),格芯等停留在10nm停滯不前,三星則據(jù)稱今年也將進(jìn)入5nm,但還沒完全確切的消息。

科技門檻之外還有一個資金門檻。尤其是當(dāng)芯片進(jìn)入到5nm時代后,想要繼續(xù)往下研究發(fā)展,那就真的是“機(jī)器一響,黃金萬兩”,除了三星、臺積電外,其他企業(yè)都很難有這種級別的資金支持。

IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷,被稱為“電力電子行業(yè)的CPU”。隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和低碳環(huán)保的概念越來越深入人心,能源綠色化和家電智能化與變頻化的需求已勢不可擋,將持續(xù)推動IGBT市場的高速增長。

華虹半導(dǎo)體作為全球首家提供場截止型(FS, Field Stop)IGBT量產(chǎn)技術(shù)的8英寸晶圓代工企業(yè),在IGBT制造領(lǐng)域具有深厚經(jīng)驗(yàn),無論是導(dǎo)通壓降、關(guān)斷損耗還是工作安全區(qū)、可靠性等目前均達(dá)到了國際領(lǐng)先水平。公司擁有先進(jìn)的全套IGBT薄晶圓背面加工工藝。華虹半導(dǎo)體量產(chǎn)的IGBT產(chǎn)品系列眾多,電壓涵蓋600V至1700V,電流從10A到400A,產(chǎn)品線逐漸從民生消費(fèi)類跨入工業(yè)商用、新能源汽車等領(lǐng)域。除了追求高壓功率器件所需的更高功率密度和更低損耗,公司正在開發(fā)片上集成傳感器的智能化IGBT工藝技術(shù)與更高可靠性的新型散熱IGBT技術(shù),以更好地服務(wù)全球市場對IGBT產(chǎn)品的增長性需求。

12英寸功率器件代工生產(chǎn)線,‘8英寸+12英寸’齊頭并進(jìn),提供客戶更廣泛的差異化技術(shù)與更充足的產(chǎn)能。近年來,公司瞄準(zhǔn)中高端市場與新興領(lǐng)域全面進(jìn)擊IGBT業(yè)務(wù),持續(xù)引入國內(nèi)外一流的IGBT產(chǎn)品公司,涵蓋工業(yè)、汽車電子與白色家電等應(yīng)用領(lǐng)域,坐實(shí)IGBT晶圓代工的領(lǐng)先地位。公司12英寸IGBT技術(shù)研發(fā)進(jìn)展順利,未來將為全球客戶提供更具競爭力的IGBT代工解決方案。

bq25790是5A一個到四個電池開關(guān)模式全集成降壓-升壓電池充電器,用于鋰電池和鋰聚合電池, 包括有4個開關(guān)的MOSFET(Q1,Q2,Q3和Q4),輸入和充電電流檢測電路,電池FET(QBAT)和降壓-升壓轉(zhuǎn)換器所有的回路補(bǔ)償.器件對充電電池在USB Type-C™和USB供電(USB-PD)應(yīng)用如智能手機(jī),平板電腦和其它手持設(shè)備的全輸入電壓范圍內(nèi)提供高功率密度和設(shè)計(jì)靈活性.該器件采用750kHz和1.5MHz可編程開關(guān)頻率,具有優(yōu)化的效率:3A ICHG時,2個電池的效率為96.5%(9V輸入),15V輸入時效率為94.5%.充電電流高達(dá)5A,分辨率為10mA,工作電壓3.6V到24V, 絕對最大額定值為30V,檢查USB BC1.2, SDP, CDP, DCP, HVDCP和非標(biāo)準(zhǔn)適配器,可檢查USB BC1.2, SDP, CDP, DCP, HVDCP和非標(biāo)準(zhǔn)適配器. 2個電池時的充電電壓調(diào)整率為±0.5%高精度,充電電流調(diào)整度為±5%,輸入電流調(diào)整度為±5%,器件具有熱調(diào)節(jié)和熱關(guān)斷特性,輸入/電池OVP和OCP,轉(zhuǎn)換器MOSFET OCP以及充電安全計(jì)時器.56引腳2.9x3.3mm WCSP封裝. 主要用在智能手機(jī),平板電腦和無人機(jī),無線揚(yáng)聲器和數(shù)碼相機(jī),移動打印機(jī),電子銷售終端(EPOS).

(素材來源:21IC.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

深圳市永拓豐科技有限公司http://ytf01.51dzw.com/



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中芯國際是大陸最先進(jìn)的晶圓體代工廠,不過現(xiàn)階段中芯國際只有14nm工藝的技術(shù),對比臺積電的7nm甚至5nm,差距確實(shí)非常明顯,至于為什么有這么大的差距,主要是因?yàn)橹行緡H無法購買到全球最先進(jìn)的ASML光刻機(jī)。

國內(nèi)代工最先進(jìn)的芯片的有實(shí)力的廠商確實(shí)仍是比較少,因?yàn)檫@是一個長期的資金投入與研制發(fā)的過程,想在短時間內(nèi)打破仍是較難的。最主要是因?yàn)樾酒み^高的門檻,其中最大的門檻是科技水平:

臺積電的最新工藝是5nm,據(jù)稱蘋果的A14芯片臺積電已經(jīng)使用5nm的工藝開始量產(chǎn)了;而像其它芯片代工企業(yè),格芯等停留在10nm停滯不前,三星則據(jù)稱今年也將進(jìn)入5nm,但還沒完全確切的消息。

科技門檻之外還有一個資金門檻。尤其是當(dāng)芯片進(jìn)入到5nm時代后,想要繼續(xù)往下研究發(fā)展,那就真的是“機(jī)器一響,黃金萬兩”,除了三星、臺積電外,其他企業(yè)都很難有這種級別的資金支持。

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華虹半導(dǎo)體作為全球首家提供場截止型(FS, Field Stop)IGBT量產(chǎn)技術(shù)的8英寸晶圓代工企業(yè),在IGBT制造領(lǐng)域具有深厚經(jīng)驗(yàn),無論是導(dǎo)通壓降、關(guān)斷損耗還是工作安全區(qū)、可靠性等目前均達(dá)到了國際領(lǐng)先水平。公司擁有先進(jìn)的全套IGBT薄晶圓背面加工工藝。華虹半導(dǎo)體量產(chǎn)的IGBT產(chǎn)品系列眾多,電壓涵蓋600V至1700V,電流從10A到400A,產(chǎn)品線逐漸從民生消費(fèi)類跨入工業(yè)商用、新能源汽車等領(lǐng)域。除了追求高壓功率器件所需的更高功率密度和更低損耗,公司正在開發(fā)片上集成傳感器的智能化IGBT工藝技術(shù)與更高可靠性的新型散熱IGBT技術(shù),以更好地服務(wù)全球市場對IGBT產(chǎn)品的增長性需求。

12英寸功率器件代工生產(chǎn)線,‘8英寸+12英寸’齊頭并進(jìn),提供客戶更廣泛的差異化技術(shù)與更充足的產(chǎn)能。近年來,公司瞄準(zhǔn)中高端市場與新興領(lǐng)域全面進(jìn)擊IGBT業(yè)務(wù),持續(xù)引入國內(nèi)外一流的IGBT產(chǎn)品公司,涵蓋工業(yè)、汽車電子與白色家電等應(yīng)用領(lǐng)域,坐實(shí)IGBT晶圓代工的領(lǐng)先地位。公司12英寸IGBT技術(shù)研發(fā)進(jìn)展順利,未來將為全球客戶提供更具競爭力的IGBT代工解決方案。

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