HDD磁頭的播放元件應(yīng)用了電阻因外部磁場而變的磁阻效應(yīng)(Magnetoresistance effect)的原理，在1980年代以后，經(jīng)歷了AMR(各向異性磁阻效應(yīng)：Anisotropic magnetoresistance effect)元件、GMR(巨磁阻效應(yīng)：Giant magnetoresistance effect)元件、TMR(穿隧磁阻效應(yīng)：Tunnel magnetoresistance effect)元件，技術(shù)逐漸進步，推進了HDD的記錄密度飛躍性的提高。

TMR元件的磁性結(jié)構(gòu)與GMR元件基本相同，但GMR元件的電流平行于膜面流過，而TMR元件的電流垂直于膜面流過。

依靠先進的薄膜過程技術(shù)制造的TMR元件是一種薄膜元件，具有2層強磁性體層(自由層/固定層)夾住1～2nm的薄絕緣體的勢壘層的結(jié)構(gòu)。固定層的磁化方向被固定，但自由層的磁化方向根據(jù)外部磁場方向而變，元件的電阻也隨之而變。當(dāng)固定層與自由層的磁化方向平行時，電阻最小，勢壘層流過大電流。另外，當(dāng)磁化方向為反向平行時，電阻極端地變大，勢壘層幾乎沒有電流流過。

當(dāng)自由層與固定層的磁化方向平行時，電阻變小，流過大電流。

當(dāng)自由層與固定層的磁化方向為反向平行時，電阻變大，只流過微弱的電流。

TMR傳感器的輸出是AMR傳感器的20倍，GMR傳感器的6倍

制造商: STMicroelectronics

產(chǎn)品種類: 開關(guān)穩(wěn)壓器

RoHS: 詳細(xì)信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: HTSSOP-16

輸出電壓: 5 V

輸出電流: 1.5 A

輸出端數(shù)量: 1 Output

最大輸入電壓: 38 V

拓?fù)浣Y(jié)構(gòu): Buck

最小輸入電壓: 4 V

開關(guān)頻率: 250 kHz to 2 MHz

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

資格: AEC-Q100

系列: A6986F

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

商標(biāo): STMicroelectronics

濕度敏感性: Yes

產(chǎn)品類型: Switching Voltage Regulators

工廠包裝數(shù)量: 2500

子類別: PMIC - Power Management ICs

單位重量: 59.400 mg

太陽誘電的多層陶瓷電容器通過從材料開始進行研發(fā)和生產(chǎn)，為廣大客戶提供多種小型、薄型、大容量、高可靠性的產(chǎn)品系列，以滿足客戶的需求�；陔娙萜魇袌鲂枨蠡�?qū)U大的方向性戰(zhàn)略所開展的產(chǎn)品研發(fā)除多層陶瓷電容器外，電容器還包括電解電容器和薄膜電容器等類型。隨著節(jié)能化、物聯(lián)網(wǎng)化的進一步加速發(fā)展，可以預(yù)見高性能電容器的需求量將在中長期內(nèi)有所增長。多層陶瓷電容器對于實現(xiàn)電子設(shè)備的小型化、高性能化來說尤其不可或缺。太陽誘電將通過從材料開始進行研發(fā)和生產(chǎn)，為廣大客戶提供多種小型、薄型、大容量、高可靠性。

高介電常數(shù)型陶瓷電容器具有電介質(zhì)受電壓作用時會發(fā)生變形（畸變）的特性。因此，當(dāng)陶瓷電容器施加可聽頻率（20 Hz至20 kHz）的電壓時，陶瓷電容器產(chǎn)生振動，并且傳遞到基板，隨著振動增強從而產(chǎn)生噪音。太陽誘電備有“低失真大容量多層陶瓷電容器（CF_LD）“、“帶框多層陶瓷電容器“、“LW逆轉(zhuǎn)型多層陶瓷電容器（LWDC™）“等產(chǎn)品，以解決噪音問題。

通過拓寬并縮短元件內(nèi)部電流路徑（減少ESL），使高頻帶的阻抗下降，從而有助于高速驅(qū)動的IC進行穩(wěn)定的工作。