LMG341xR070是集成了驅(qū)動器和保護特性的GaN功率級,在功率電子系統(tǒng)中達到新高度的功率密度和效率.和硅MOSFET相比, LMG341x系列的固有優(yōu)勢是超低輸入和輸出電容,零反向恢復以降低開關(guān)損耗達80%之多,而低開關(guān)節(jié)點振鈴則降低了EMI.這些優(yōu)點使得功率密度和拓撲類似于圖騰柱PFC.集成的驅(qū)動器具有零共源電感,MHz工作時20ns傳輸時延,可調(diào)柵極偏壓增加了可靠性,用戶可調(diào)整轉(zhuǎn)換速率從25到100V/ns.強健的保護特性包括不需要外接保護元件,小于100ns響應(yīng)的過流保護,大于150V/ns的轉(zhuǎn)換速率免疫性,瞬態(tài)過壓免疫性以及超溫保護,所有電源軌上有UVLO保護.器件對級聯(lián)或單獨使用都有優(yōu)秀的性能,用于開關(guān)性能和EMI控制的可調(diào)整的驅(qū)動強度,具有數(shù)字故障狀態(tài)輸出信號,僅需要+12V未穩(wěn)壓電源, 8mm x 8mm QFN封裝.主要用在高密度工業(yè)和消費類電源,多級轉(zhuǎn)換器,太陽能逆變器,工業(yè)馬達驅(qū)動,UPS和高壓電池充電器.

1/16磚式、300 W DC / DC穩(wěn)壓器（EPC9143）。 EPC9143功率模塊把Microchip dsPIC33CK數(shù)字信號控制器（DSC）和最新一代eGaN FET（EPC2053）集成在一起，實現(xiàn)25 A、48 V/12 V和96％效率的功率轉(zhuǎn)換。

500 kHz開關(guān)頻率在非常小的1/16磚式轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)300 W功率，其尺寸僅為33 毫米 x 22.9 毫米（1.3 x 0.9英寸）。

可擴展的兩相設(shè)計可以增加相數(shù)，從而進一步提高功率。 由于Microchip數(shù)字控制器具有高靈活性，因此允許在8 V至72 V范圍內(nèi)調(diào)節(jié)輸入電壓，而輸出電壓在3.3 V至25 V范圍內(nèi)。

磚式DC/DC轉(zhuǎn)換器廣泛用于數(shù)據(jù)中心、電信和汽車應(yīng)用，可將48 V標稱電壓轉(zhuǎn)換為12 V配電總線輸出電壓。 鑒于給定的外形尺寸，業(yè)界的主要趨勢是朝著需要更高的功率密度方向發(fā)展。 其中一個主要應(yīng)用，是高密度48V/12V負載點（POL）轉(zhuǎn)換器，需要12V輸出的穩(wěn)壓功率，例如用于通用PCIe卡和存儲。

eGaN®FET和集成電路具備快速開關(guān)、小尺寸和低成本等優(yōu)勢，能夠以少元件數(shù)量和低成本滿足這些前沿應(yīng)用對功率密度的嚴格要求。

標準包裝：10,000類別：電容器家庭：陶瓷電容器系列：GRM包裝：帶卷（TR）電容：5pF容差：±0.25pF電壓 - 額定：50V溫度系數(shù)：C0G，NP0安裝類型：表面貼裝，MLCC工作溫度：-55°C ~ 125°C應(yīng)用：通用等級：-封裝/外殼：0402（1005 公制）大小/尺寸：0.039" 長 x 0.020" 寬（1.00mm x 0.50mm）高度 - 安裝（最大值）：-厚度（最大值）：0.022"（0.55mm）引線間距：-特性：-引線形式：-其它名稱：490-1274-2

產(chǎn)品種類：Silicone Power Resistors電阻：4.7 Ohms功率額定值：1 W容差：5 %溫度系數(shù)：50 PPM / C端接類型：Axial工作溫度范圍：- 65 C to + 250 C商標：Vishay / Dale外殼直徑：2.16 mm外殼長度：6.35 mm封裝：Reel產(chǎn)品：Power Resistors Wirewound Silicone Coated系列：GROHS：無鉛

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