臺(tái)積電還將在5nm和3nm工藝制程之間推出4nm工藝制程。

將啟動(dòng)4nm工藝作為5nm工藝的延伸。4nm工藝將兼容5nm工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則，較5nm工藝更有性價(jià)比優(yōu)勢(shì)，瞄準(zhǔn)的是下一波的5nm產(chǎn)品，計(jì)劃在2022年大規(guī)模量產(chǎn)。

3nm沿用FinEFT技術(shù)，主要是考量客戶在導(dǎo)入5nm制程的設(shè)計(jì)也能用在3nm制程中，無需面臨需要重新設(shè)計(jì)產(chǎn)品的問題，臺(tái)積電可以保持自身的成本競(jìng)爭(zhēng)力，獲得更多的客戶訂單。

3nm工藝將會(huì)在2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)，4nm工藝作為5nm工藝的延伸，可能會(huì)在上半年量產(chǎn)。并且3nm工藝是繼5nm之后臺(tái)積電全新一代的芯片制程工藝節(jié)點(diǎn)，與今年的5nm工藝相比，3nm工藝的晶體管密度提高了15%，性能提高了10-15%，能源效率也提高了20-25%。

制造商: Texas Instruments產(chǎn)品種類: 低壓差穩(wěn)壓器

RoHS: 詳細(xì)信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-5

輸出電壓: 1.24 V to 5 V

輸出電流: 3 A

輸出端數(shù)量: 1 Output

極性: Positive

最大輸入電壓: 5.5 V

最小輸入電壓: 2.8 V

輸出類型: Adjustable

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

回動(dòng)電壓: 150 mV

系列: TPS758A01

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 4.58 mm

長(zhǎng)度: 10.16 mm

工作溫度范圍: - 40 C to + 125 C

寬度: 8.42 mm

商標(biāo): Texas Instruments

回動(dòng)電壓—最大值: 300 mV at 3 A

電壓調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度: 3 %

Ib - 輸入偏流: 125 uA

線路調(diào)整率: 0.04 % / V

負(fù)載調(diào)節(jié): 0.15 %

濕度敏感性: Yes

工作電源電流: 120 uA

產(chǎn)品類型: LDO Voltage Regulators

參考電壓: 1.24 V

工廠包裝數(shù)量: 500

子類別: PMIC - Power Management ICs

單位重量: 1.456 g

電源管理半導(dǎo)體本中的主導(dǎo)部分是電源管理IC，大致可歸納為下述8種：

AC/DC調(diào)制IC。內(nèi)含低電壓控制電路及高壓開關(guān)晶體管。

DC/DC調(diào)制IC。包括升壓/降壓調(diào)節(jié)器，以及電荷泵。

功率因數(shù)控制PFC預(yù)調(diào)制IC。提供具有功率因數(shù)校正功能的電源輸入電路。

脈沖調(diào)制或脈幅調(diào)制PWM/ PFM控制IC。為脈沖頻率調(diào)制和/或脈沖寬度調(diào)制控制器，用于驅(qū)動(dòng)外部開關(guān)。

線性調(diào)制IC（如線性低壓降穩(wěn)壓器LDO等）。包括正向和負(fù)向調(diào)節(jié)器，以及低壓降LDO調(diào)制管。

電池充電和管理IC。包括電池充電、保護(hù)及電量顯示IC，以及可進(jìn)行電池?cái)?shù)據(jù)通訊“智能”電池 IC。

熱插板控制IC（免除從工作系統(tǒng)中插入或拔除另一接口的影響）。

MOSFET或IGBT的驅(qū)動(dòng)IC。