晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝低導(dǎo)通電阻

發(fā)布時(shí)間:2020/8/11 21:33:54 訪問次數(shù):1299

總柵極電荷（柵源+柵漏）、柵極開關(guān)電荷、輸出電荷。

與TPH4R008NH（U-MOS Ⅷ-H系列）進(jìn)行比較，TPH2R408QM的漏源導(dǎo)通電阻×總柵極電荷改善約為15%、漏源導(dǎo)通電阻×柵極開關(guān)電荷改善約為10%、漏源導(dǎo)通電阻×輸出電荷改善約為31%。

NFAP1060L3TT包括1個(gè)高壓驅(qū)動(dòng)器、6個(gè)IGBT和1個(gè)熱敏電阻器，適用于驅(qū)動(dòng)永磁同步 (PMSM) 電機(jī)、無刷直流 (BLDC) 電機(jī)和交流異步電機(jī)。該器件具有全面的保護(hù)功能，包括交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護(hù)、外部關(guān)斷和欠壓鎖定。過流保護(hù)電路上連接有內(nèi)部比較器和基準(zhǔn)，可用于設(shè)置過流保護(hù)水平。

適用于汽車前照燈照明控制開關(guān)和反向電壓保護(hù)的N溝道MOSFET產(chǎn)品“SSM6K818R”、“SSM6K809R”和“SSM6K810R”，擴(kuò)大了產(chǎn)品陣容。

具有三種不同電壓（30 V/60 V/100 V）的產(chǎn)品排列在一起，能夠根據(jù)串聯(lián)連接的LED數(shù)量支持照明模式。采用最新工藝[1]，產(chǎn)品具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導(dǎo)通電阻，有助于降低設(shè)備的功耗。SSM6K809R和SSM6K810R是高抗ESD產(chǎn)品。

AS1341-TD_EK_ST

制造商:ams

產(chǎn)品描述:ams/編程器，開發(fā)系統(tǒng)

標(biāo)準(zhǔn)包裝：1

類別：編程器，開發(fā)系統(tǒng)

家庭：評(píng)估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS

主要用途：DC/DC，LDO 步降

輸出和類型：1，非隔離

功率 - 輸出：-

電壓 - 輸出：3.3V

電流 - 輸出：600mA

電壓 - 輸入：4.5 V ~ 20 V

穩(wěn)壓器拓?fù)洌航祲?/span>

頻率 - 開關(guān)：200kHz

板類型：完全填充

所含物品：板

使用的 IC/零件：AS1341

其它名稱：AS1341 EBAS1341 EB-NDAS1341-TD EK ST

使用模具樹脂提高封裝強(qiáng)度的緊湊型負(fù)載開關(guān)IC的封裝照片：TCK207AN東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）推出了“TCK207AN”，這是一款具有增強(qiáng)封裝強(qiáng)度的緊湊型負(fù)載開關(guān)IC。

DFN4A封裝是新開發(fā)的緊湊型模具樹脂封裝。與傳統(tǒng)的WCSP[1]相比，它的高強(qiáng)度封裝使產(chǎn)品在安裝到板上時(shí)或安裝之后較難因接觸或撞擊而損壞。此外，其低導(dǎo)通電阻和低電流消耗有助于降低器件的功耗。

它適用于要求高可靠性的SSD電源和在惡劣環(huán)境下使用的筆記本電腦。

注：

WCSP：晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝特點(diǎn)晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝低導(dǎo)通電阻：RON=21.5mΩ（典型值）低靜態(tài)電流（導(dǎo)通狀態(tài)）：IQ＝22μA（典型值）應(yīng)用SSD、筆記本電腦、電子詞典等電源系統(tǒng)。

與SOP-8封裝相比，TSOP6F封裝可減少約70%的占地面積，有助于使設(shè)備更小。

由于新產(chǎn)品將符合AEC-Q101，因此可用于汽車和其他用途。

LED越來越多地用于汽車前照燈、轉(zhuǎn)向燈和日間行車燈，以滿足降低功耗、延長使用壽命和提高安全性的要求。隨著使用的led越來越多，照明設(shè)備也從單一的燈轉(zhuǎn)向使用各種照明模式的多個(gè)燈。由于使用多個(gè)燈，每盞燈的功耗降低，這增加了對(duì)新產(chǎn)品等小型半功率MOSFET的需求。