如何改善導(dǎo)通電阻與柵極電荷特性
發(fā)布時(shí)間:2020/8/11 21:21:56 訪問次數(shù):1177
BD71847AMWV還集成了一個(gè)可配置的電源時(shí)序器,可對其12個(gè)開關(guān)穩(wěn)壓器/線性穩(wěn)壓器的啟動時(shí)序進(jìn)行編程,包括根據(jù)SoC的要求調(diào)節(jié)其輸出電壓。處理器的電源模式轉(zhuǎn)換通過握手I/O接口和可編程電源按鈕觸發(fā)。
器件中多功能單刀開關(guān)電源按鈕的行為可通過I2C接口在廣泛的范圍內(nèi)進(jìn)行編程。該接口的輸入耐壓范圍較寬,不需要電平轉(zhuǎn)換器。該接口還可用于修改電氣性能,比如輸出電壓、DVS斜率(如適用)、工作模式等。為確保系統(tǒng)安全,該P(yáng)MIC還包含一個(gè)32.768kHz晶振驅(qū)動器和一個(gè)看門狗定時(shí)器。
羅姆還提供了一個(gè)開發(fā)環(huán)境,以幫助用戶輕松評估BD71847AMWV。恩智浦公司i.MX 8M mini評估套件中已嵌入電源管理IC BD71847AMWV,相應(yīng)的驅(qū)動器也已集成到評估套件的板級支持包中。
“U-MOS X-H系列”產(chǎn)品線新增采用其最新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET。新款MOSFET適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源。
新增產(chǎn)品包括采用表面貼裝SOP Advance封裝的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封裝的“TPN19008QM”。
由于采用了其最新一代的工藝制造技術(shù),與當(dāng)前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V產(chǎn)品相比,新款80V U-MOS X-H產(chǎn)品的漏源導(dǎo)通電阻降低了大約40%。通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),漏源導(dǎo)通電阻與柵極電荷特性[1]之間的平衡也得到了進(jìn)一步的改善。新產(chǎn)品可提供業(yè)界最低[3]功耗。
東芝正在擴(kuò)展其降耗型產(chǎn)品線,從而為降低設(shè)備功耗提供幫助。應(yīng)用開關(guān)電源(高效AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等)電機(jī)控制設(shè)備(電機(jī)驅(qū)動等)
特性業(yè)界最低[3]功耗(通過改善導(dǎo)通電阻與柵極電荷特性[2]之間的平衡)業(yè)界最低[3]導(dǎo)通電阻: RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V (TPH2R40QM)
RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V (TPN19008QM)高額定通道溫度:Tch=175℃

功能特點(diǎn):
輸入電壓范圍:2.7V至5.5V
6個(gè)可編程快速開關(guān)DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器
6個(gè)通用LDO
用于高速SDXC卡的1.8V/3.3v電源多路復(fù)用器
低成本BOM——同時(shí)解決元件容差、偏置和熱劣化以及老化等問題
可實(shí)現(xiàn)更低功耗、改良工作時(shí)間和更優(yōu)異散熱性能的優(yōu)化電源架構(gòu)
OTP可配置、軟件可編程電源控制時(shí)序器
與i.MX 8M Mini兼容的電源控制硬件邊帶信令
單刀多功能電壓按鈕功能
32.768kHz晶振驅(qū)動器
廣泛的保護(hù)功能(軟啟動、電源軌錯(cuò)誤檢測、過壓保護(hù)、過流保護(hù)等)
電源電壓容限I2C I/F(最大1 MHz)
說明:
羅姆全新PMIC為恩智浦公司i.MX 8M mini處理器提供更出色的供電方式
BD71847AMWV在單個(gè)芯片上集成了系統(tǒng)所需的各種電源

BD71847AMWV還集成了一個(gè)可配置的電源時(shí)序器,可對其12個(gè)開關(guān)穩(wěn)壓器/線性穩(wěn)壓器的啟動時(shí)序進(jìn)行編程,包括根據(jù)SoC的要求調(diào)節(jié)其輸出電壓。處理器的電源模式轉(zhuǎn)換通過握手I/O接口和可編程電源按鈕觸發(fā)。
器件中多功能單刀開關(guān)電源按鈕的行為可通過I2C接口在廣泛的范圍內(nèi)進(jìn)行編程。該接口的輸入耐壓范圍較寬,不需要電平轉(zhuǎn)換器。該接口還可用于修改電氣性能,比如輸出電壓、DVS斜率(如適用)、工作模式等。為確保系統(tǒng)安全,該P(yáng)MIC還包含一個(gè)32.768kHz晶振驅(qū)動器和一個(gè)看門狗定時(shí)器。
羅姆還提供了一個(gè)開發(fā)環(huán)境,以幫助用戶輕松評估BD71847AMWV。恩智浦公司i.MX 8M mini評估套件中已嵌入電源管理IC BD71847AMWV,相應(yīng)的驅(qū)動器也已集成到評估套件的板級支持包中。
“U-MOS X-H系列”產(chǎn)品線新增采用其最新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET。新款MOSFET適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源。
新增產(chǎn)品包括采用表面貼裝SOP Advance封裝的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封裝的“TPN19008QM”。
由于采用了其最新一代的工藝制造技術(shù),與當(dāng)前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V產(chǎn)品相比,新款80V U-MOS X-H產(chǎn)品的漏源導(dǎo)通電阻降低了大約40%。通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),漏源導(dǎo)通電阻與柵極電荷特性[1]之間的平衡也得到了進(jìn)一步的改善。新產(chǎn)品可提供業(yè)界最低[3]功耗。
東芝正在擴(kuò)展其降耗型產(chǎn)品線,從而為降低設(shè)備功耗提供幫助。應(yīng)用開關(guān)電源(高效AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等)電機(jī)控制設(shè)備(電機(jī)驅(qū)動等)
特性業(yè)界最低[3]功耗(通過改善導(dǎo)通電阻與柵極電荷特性[2]之間的平衡)業(yè)界最低[3]導(dǎo)通電阻: RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V (TPH2R40QM)
RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V (TPN19008QM)高額定通道溫度:Tch=175℃

功能特點(diǎn):
輸入電壓范圍:2.7V至5.5V
6個(gè)可編程快速開關(guān)DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器
6個(gè)通用LDO
用于高速SDXC卡的1.8V/3.3v電源多路復(fù)用器
低成本BOM——同時(shí)解決元件容差、偏置和熱劣化以及老化等問題
可實(shí)現(xiàn)更低功耗、改良工作時(shí)間和更優(yōu)異散熱性能的優(yōu)化電源架構(gòu)
OTP可配置、軟件可編程電源控制時(shí)序器
與i.MX 8M Mini兼容的電源控制硬件邊帶信令
單刀多功能電壓按鈕功能
32.768kHz晶振驅(qū)動器
廣泛的保護(hù)功能(軟啟動、電源軌錯(cuò)誤檢測、過壓保護(hù)、過流保護(hù)等)
電源電壓容限I2C I/F(最大1 MHz)
說明:
羅姆全新PMIC為恩智浦公司i.MX 8M mini處理器提供更出色的供電方式
BD71847AMWV在單個(gè)芯片上集成了系統(tǒng)所需的各種電源

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