開(kāi)爾文連接測(cè)試技術(shù),當(dāng)被測(cè)電阻阻值小于幾歐，測(cè)試引線的電阻和探針與測(cè)試點(diǎn)的接觸電阻與被測(cè)電阻相比已不能忽略不計(jì)時(shí)，若仍采用兩線測(cè)試方法必將導(dǎo)致測(cè)試誤差增大。此時(shí)可采用開(kāi)爾文連接方式（或稱四線測(cè)試方式）來(lái)進(jìn)行測(cè)試。

開(kāi)爾文連接有兩個(gè)要求：對(duì)于每個(gè)測(cè)試點(diǎn)都有一條激勵(lì)線F和一條檢測(cè)線S，二者嚴(yán)格分開(kāi)，各自構(gòu)成獨(dú)立回路；同時(shí)要求S線必須接到一個(gè)有極高輸入阻抗的測(cè)試回路上，使流過(guò)檢測(cè)線S的電流極小，近似為零。

r表示引線電阻和探針與測(cè)試點(diǎn)的接觸電阻之和。由于流過(guò)測(cè)試回路的電流為零，在 r3，r4上的壓降也為零，而激勵(lì)電流 I在r1，r2上的壓降不影響I在被測(cè)電阻上的壓降，所以電壓表可以準(zhǔn)確測(cè)出Rt兩端的電壓值，從而準(zhǔn)確測(cè)量出R t的阻值。測(cè)試結(jié)果和r無(wú)關(guān)，有效地減小了測(cè)量誤差。

按照作用和電位的高低，這四條線分別被稱為高電位施加線（HF）、低電位施加線（LF）、高電位檢測(cè)線（HS）和低電位檢測(cè)線（LS）。

制造商:AMS

產(chǎn)品描述:

電壓 - 輸出（最小值/固定）：1.25V（5V）

電流 - 輸出：600mA

頻率 - 開(kāi)關(guān)：200kHz

同步整流器：無(wú)

工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-WDFN 裸露焊盤(pán)

輸出配置：正

輸出類(lèi)型：可調(diào)（固定）

輸出數(shù)：1

電壓 - 輸入（最小值）：4.5V

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FET 類(lèi)型：P 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：12A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）：21nC

電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1125pF

電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：20V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：44 毫歐 @ 12A，10V

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

采用一種變形的開(kāi)爾文連接方式來(lái)進(jìn)行測(cè)試，不再使用隔離方法。它仍采用四根線，但根據(jù)需要將其中一對(duì)或兩對(duì)F，S線分開(kāi)接在不同的點(diǎn)上來(lái)進(jìn)行測(cè)試。這種方式稱為分離開(kāi)爾文連接方式。三個(gè)電阻要進(jìn)行四次測(cè)試才能計(jì)算出它們的阻值，四次測(cè)試的接法分別1，2，3點(diǎn)為連接點(diǎn)。接法可直接測(cè)出R1的值；可測(cè)出 R2與R3的并聯(lián)值R p；分別測(cè)出阻值R2 ′和R3′。分析可知R2′/R 3′=R2/R3 ,1/Rp=1/R2+1/ R3；可以解出R2 =Rp×（1+R2′/ R3′），R3=R 2×R3′/R2 ′。

在測(cè)試中還常常遇到被測(cè)電阻的兩端都沒(méi)有測(cè)試點(diǎn)，隱藏在電阻網(wǎng)絡(luò)中的情況，如R-2R網(wǎng)絡(luò)。這時(shí)也需要使用分離開(kāi)爾文連接來(lái)進(jìn)行測(cè)試。