靜態(tài)電流方面，TI的強(qiáng)項(xiàng)一直便是做低靜態(tài)電流，這款產(chǎn)品就擁有小于1μA的靜態(tài)電流，這意味著最小系統(tǒng)下，電源擁有更低的待機(jī)功耗，從而使得電池儲(chǔ)存時(shí)間演唱了5倍。這是TI目前嘗試的更低靜態(tài)電流，TI仍然會(huì)持續(xù)優(yōu)化開關(guān)的靜態(tài)電流。

在30W的充電功率下，使用新產(chǎn)品，可使快速充電效率達(dá)到97%。

150mΩ、70mΩ和50mΩ GaN FETs的完整產(chǎn)品組合正在研發(fā)和批量生產(chǎn)，而在TI GaN平臺(tái)上進(jìn)一步擴(kuò)展了汽車、并網(wǎng)存儲(chǔ)和太陽能燈領(lǐng)域的新應(yīng)用。

最近TI展出了GaN方向的900V，5kW雙向轉(zhuǎn)化器的演示，通過演示可以看出在沒有外圍冷卻風(fēng)扇的情況下，峰值效率可以高達(dá)99.2%，功率密度能比傳統(tǒng)的IGBT方案高出3倍左右。而在這樣的解決方案中，也使用了自家的 C2000數(shù)字控制器產(chǎn)品，提供了一整套的解決方案。

GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）被人稱之為“第三代半導(dǎo)體材料”，究其歷史，第一代以Si、Ge為代表、第二代以GaAs、InP III-V族化合物為代表、第三代以SiC、GaN為代表。第三代半導(dǎo)體材料用其優(yōu)異的材料物理特性，為電子器件性能功耗和尺寸提供了更多的發(fā)揮空間。

GaN一般多用于1200V以下的中低壓功率器件及射頻、光伏、光電領(lǐng)域，而碳化硅（SiC）則主要適用于高壓功率器件領(lǐng)域。但無論從哪方面性能來說，都不難發(fā)現(xiàn)身為第三代半導(dǎo)體材料的GaN全面碾壓硅和第二代半導(dǎo)體材料。

TI就已經(jīng)研發(fā)相關(guān)技術(shù)，而業(yè)界在2015年左右才陸陸續(xù)續(xù)有這樣的話題和需求，不難看出TI的布局是超前的。與西門子共同演示和10千瓦云電網(wǎng)產(chǎn)品。將會(huì)有超過3000萬小時(shí)的可靠性測試，來增加對(duì)于新的產(chǎn)品和新的原物料的信心。

GaN本身能讓我們實(shí)現(xiàn)開關(guān)的速度更快，在開關(guān)的過程中，就會(huì)產(chǎn)生功率、功耗甚至熱的損失。當(dāng)我們把開關(guān)速度加快，就能夠把功率和功耗上的損耗以及過沖減少。

目前TI在GaN方面的最新規(guī)劃和進(jìn)展集中在三點(diǎn)：

目前TI在GaN上實(shí)現(xiàn)了速度翻倍，功耗減半。在切換速度上可以達(dá)到150V/ns，開關(guān)頻率可以高達(dá)2MHz甚至10MHz以上的速度，Mark Gary為記者介紹道。

TI在GaN上擁有終身可靠性。具體來說，擁有自我保護(hù)，可以防止極端浪涌、電流和溫度條件，擁有超過3000萬可靠性小時(shí)的實(shí)驗(yàn)資料，超過10年低于1FIT，能夠確保這個(gè)產(chǎn)品終身的可靠性。

TI的GaN會(huì)在自己的工廠和供應(yīng)鏈上生產(chǎn)，以保證支持客戶的不間斷業(yè)務(wù)。如今仍然可以看到GaN成本是高于Silicon（硅）的，但從長遠(yuǎn)發(fā)展上看GaN更具發(fā)展優(yōu)勢(shì)的。Mark Gary表示，以整體的系統(tǒng)和客戶上面的效率來看，當(dāng)產(chǎn)品尺寸進(jìn)一步縮小，熱和功耗方面的損失進(jìn)一步減少以后，產(chǎn)品本身能夠?qū)崿F(xiàn)比現(xiàn)有原物料更佳的成本基礎(chǔ)，我們認(rèn)為這是未來很重要的一個(gè)趨勢(shì)。

TI的觀點(diǎn)一直是強(qiáng)調(diào)整體的解決方案和整個(gè)系統(tǒng)層面的成本效益，而不是單純針對(duì)于目前GaN或者硅產(chǎn)品的材料成本比較，更加值得關(guān)注的是仍然是整體系統(tǒng)和應(yīng)用層面的效益。TI在GaN方面提供的仍然是整體解決方案，并在整體上具有成本優(yōu)勢(shì)。

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