傳感器BF82160使用業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的65nm加工工藝，具有低功耗、高集成、防靜電及高性價(jià)比；同時(shí)采用其獨(dú)有的FD（Finger Detection）喚醒技術(shù)，相較于傳統(tǒng)的TP（Touch Point）喚醒模式，可實(shí)現(xiàn)更低功耗生物識(shí)別應(yīng)用以及有效規(guī)避指紋鎖在低溫環(huán)境下的失效性。

中印云端在模組中運(yùn)用的貝特萊與PB（Precise Biometrics）合作的算法符合金融車規(guī)級(jí)安全標(biāo)準(zhǔn)。該算法支持以FAR（False Acceptance Rate）認(rèn)假率小于百萬(wàn)分之一，F(xiàn)RR（False Rejection Rate）拒真率小于1%的高精度有效識(shí)別硅膠、指模等假指紋情況；同時(shí)可通過(guò)采集活體和假指紋圖像來(lái)創(chuàng)建數(shù)據(jù)庫(kù)，進(jìn)行算法訓(xùn)練，從而改進(jìn)指紋匹配能力，提升識(shí)別速度。

隨著智能社會(huì)加速實(shí)現(xiàn)，智能生物識(shí)別及進(jìn)入系統(tǒng)也在日常工作、生活場(chǎng)景中得到快速普及。我們很高興與貝特萊、中印云端達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，充分發(fā)揮各自在產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、營(yíng)銷方面的優(yōu)勢(shì)，快速推出適合中國(guó)及全球市場(chǎng)需求的解決方案，共同拓展市場(chǎng)。我們將致力于提供安全、可靠、便捷、靈活的指紋識(shí)別模組解決方案。

在人工智能（AI）、5G等推動(dòng)下，以MRAM（磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (FRAM)、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（PRAM），以及可變電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM）為代表的新興存儲(chǔ)技術(shù)逐漸成為市場(chǎng)熱點(diǎn)。這些新技術(shù)吸引各大晶圓廠不斷投入，最具代表性的廠商包括臺(tái)積電、英特爾、三星和格芯（Globalfoundries）。

半導(dǎo)體制造技術(shù)持續(xù)朝更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)，傳統(tǒng)的DRAM和NAND Flash面臨越來(lái)越嚴(yán)峻的微縮挑戰(zhàn)，DRAM 已接近微縮極限，而NAND Flash則朝3D方向轉(zhuǎn)型。

傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)在高速運(yùn)算上也遭遇阻礙，處理器與存儲(chǔ)器之間的“墻”成為了提升運(yùn)算速度和效率的最大障礙。特別是AI的發(fā)展，數(shù)據(jù)需求量暴增，“墻”的負(fù)面效應(yīng)愈加突出，越來(lái)越多的半導(dǎo)體廠商正在加大對(duì)新興存儲(chǔ)技術(shù)的研發(fā)和投資力度，尋求成本更佳、速度更快、效能更好的存儲(chǔ)方案。

最受期待的就是MRAM，各大廠商在它上面投入的力度也最大。MRAM屬于非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，是利用具有高敏感度的磁電阻材料制造的存儲(chǔ)器，斷電時(shí)，MRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，且耗能較低，讀寫速度快，可媲美SRAM，比Flash速度快百倍，在存儲(chǔ)容量方面能替代DRAM，且數(shù)據(jù)保存時(shí)間長(zhǎng)，適合高性能應(yīng)用。

MRAM的基本結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié)，研發(fā)難度高，目前主要分為兩大類：傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM，前者以磁場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，后者則采用自旋極化電流驅(qū)動(dòng)。

臺(tái)積電已經(jīng)完成22nm嵌入式STT-MRAM技術(shù)驗(yàn)證，進(jìn)入量產(chǎn)階段。在此基礎(chǔ)上，該公司還在推進(jìn)16 nm 制程的STT-MRAM研發(fā)工作。

除了MRAM，臺(tái)積電也在進(jìn)行著ReRAM的研發(fā)工作，并發(fā)表過(guò)多篇基于金屬氧化物結(jié)構(gòu)的ReRAM論文。

由于新興存儲(chǔ)技術(shù)將需要整合邏輯制程技術(shù)，因此現(xiàn)有存儲(chǔ)器廠商要卡位進(jìn)入新市場(chǎng)，門檻相對(duì)較高，而臺(tái)積電在這方面具有先天優(yōu)勢(shì)，因?yàn)樵摴�司擁有很�?qiáng)的邏輯制程生產(chǎn)能力，因此，臺(tái)積電跨入新興存儲(chǔ)市場(chǎng)會(huì)具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

臺(tái)灣地區(qū)工研院在新興存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域研發(fā)投入已超過(guò)10年，通過(guò)元件創(chuàng)新、材料突破、電路優(yōu)化等方式，開發(fā)出了更快、更耐久、更穩(wěn)定、更低功耗的新一代存儲(chǔ)技術(shù)，目前，正在與臺(tái)積電在這方面進(jìn)行合作。未來(lái)，臺(tái)積電在新興存儲(chǔ)器發(fā)展方面，工研院將會(huì)有所貢獻(xiàn)，但具體內(nèi)容并未透露。

三星在MRAM研發(fā)方面算是起步較早的廠商，開始了這項(xiàng)工作，開始進(jìn)行STT-MRAM的研發(fā)，之后不斷演進(jìn)，生產(chǎn)出了8Mb的eMRAM。

三星Foundry業(yè)務(wù)部門的發(fā)展路徑主要分為兩條，從28nm節(jié)點(diǎn)開始，一條是按照摩爾定律繼續(xù)向下發(fā)展，不斷提升FinFET的工藝節(jié)點(diǎn)，從14nm到目前的7nm，進(jìn)而轉(zhuǎn)向下一步的5nm。

另一條線路就是FD-SOI工藝，該公司還利用其在存儲(chǔ)器制造方面的技術(shù)和規(guī)模優(yōu)勢(shì)，著力打造eMRAM，以滿足未來(lái)市場(chǎng)的需求。這方面主要采用28nm制程。

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