ITU-T SG13網(wǎng)絡(luò)2030焦點(diǎn)組第六次全會(huì)上，華為網(wǎng)絡(luò)技術(shù)實(shí)驗(yàn)室提交了New IP文稿，展示了New IP原型。

ITU批準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)通常被非洲、中東和亞洲的發(fā)展中國家采用。華為和其他合作開發(fā)者計(jì)劃11月份在印度舉行的ITU重大電信會(huì)議上竭力使New IP這項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)被通過。

新網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)技術(shù)的某些部分已經(jīng)在建造中，并準(zhǔn)備在2021年初之前進(jìn)行測(cè)試。

TCP/IP協(xié)議是最底層的互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議。這套協(xié)議實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)互聯(lián)依靠的是用戶的IP地址，管理用戶IP地址的是主目錄，管理主目錄的服務(wù)器稱為根服務(wù)器。世界上唯一一臺(tái)主根服務(wù)器設(shè)立在美國，其他根服務(wù)器全部都是輔根服務(wù)器。由美國主導(dǎo)的根服務(wù)器治理體系造成了全球互聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵資源管理和分配的不均衡。同時(shí)，沒有根服務(wù)器的國家在互聯(lián)網(wǎng)安全上也存在隱患。

相較于DRAM、SRAM和NAND Flash等技術(shù)面臨的微縮困境，MRAM可滿足制程進(jìn)一步微縮需求。DRAM制程工藝節(jié)點(diǎn)為1X nm，已接近極限，而Flash走到20 nm以下后，就朝3D制程轉(zhuǎn)型了。MRAM制程則可推進(jìn)至10nm以下。

包括臺(tái)積電、英特爾、三星、格芯等晶圓代工廠和IDM，相繼大力投入MRAM 研發(fā)，而且主要著眼于STT-MRAM，也有越來越多的嵌入式解決方案誕生，用以取代Flash、EEPROM和SRAM。

臺(tái)積電就與中國臺(tái)灣地區(qū)工研院簽訂了MRAM合作發(fā)展計(jì)劃。近些年，該公司一直在開發(fā)22nm制程的嵌入式STT-MRAM，采用超低漏電CMOS技術(shù)。

臺(tái)積電進(jìn)行了eMRAM芯片的“風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)”，2019年生產(chǎn)采用22nm制程的eReRAM芯片。

臺(tái)積電在嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域達(dá)成數(shù)項(xiàng)重要的里程碑：在40nm制程方面，該公司已成功量產(chǎn)Split-Gate（NOR）技術(shù)，支持消費(fèi)類電子產(chǎn)品應(yīng)用，如物聯(lián)網(wǎng)、智慧卡和MCU，以及各種車用電子產(chǎn)品。在28nm制程方面，該公司的嵌入式快閃存儲(chǔ)器支持高能效移動(dòng)計(jì)算和低漏電制程平臺(tái)。

臺(tái)積電發(fā)布了基于ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT-MRAM。該技術(shù)基于臺(tái)積電的22nm ULL（Ultra-Low-Leakage）CMOS工藝，具有10ns的極高讀取速度，讀取功率為0.8mA/MHz/bit。對(duì)于32Mb數(shù)據(jù)，它具有100K個(gè)循環(huán)的寫入耐久性，對(duì)于1Mb數(shù)據(jù)，具有1M個(gè)循環(huán)的耐久性。它支持在260°C下進(jìn)行90s的IR回流焊，在150°C下10年的數(shù)據(jù)保存能力。它以1T1R架構(gòu)實(shí)現(xiàn)單元面積僅為0.046平方微米，25°C下的32Mb陣列的漏電流僅為55mA。

三星28nm制程FD-SOI（28FDS）嵌入式NVM分兩個(gè)階段。第一個(gè)是2017年底之前的電子貨幣風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)，第二個(gè)是2018年底之前的eMRAM風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)。并同時(shí)提供eFlash和eMRAM（STT-MRAM）選項(xiàng)。

三星開始在28nm平臺(tái)上批量生產(chǎn)eMRAM。2019年3月，該公司推出首款商用eMRAM產(chǎn)品。據(jù)悉，eMRAM模塊可以通過添加三個(gè)額外的掩膜集成到芯片制造工藝的后端，因此，該模塊不必要依賴于所使用的前端制造技術(shù)，允許插入使用bulk、FinFET或FD-SOI制造工藝生產(chǎn)的芯片中。三星表示，由于其eMRAM在寫入數(shù)據(jù)之前不需要擦除周期，因此，它比eFlash快1000倍。與eFlash相比，它還使用了較低的電壓，因此在寫入過程中的功耗極低。

Arm發(fā)布了基于三星28FDS工藝技術(shù)的eMRAM編譯器IP，包括一個(gè)支持18FDS (18nm FD-SOI工藝)的eMRAM編譯器。這一平臺(tái)有助于推動(dòng)在5G、AI、汽車、物聯(lián)網(wǎng)和其它細(xì)分市場(chǎng)的功耗敏感應(yīng)用領(lǐng)域的前沿設(shè)計(jì)發(fā)展。

三星發(fā)布了采用28FDS工藝技術(shù)的1Gb嵌入STT-MRAM。基于高度可靠的eMRAM技術(shù)，在滿足令人滿意的讀取，寫入功能和10年保存時(shí)間的情況下，可以實(shí)現(xiàn)90％以上的良率。并且具備高達(dá)1E10周期的耐久性，這些對(duì)于擴(kuò)展eMRAM應(yīng)用有很大幫助。

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