Xperi 晶圓對(duì)晶圓工藝的第一步是使用化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）拋光晶圓表面，即通過(guò)化學(xué)方法和機(jī)械方法拋光表面。在這一過(guò)程中，銅焊板略微凹陷在晶圓表面，得到淺而均勻的凹槽，有較好的良率。

不過(guò)，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）實(shí)現(xiàn)過(guò)程困難，拋光過(guò)度會(huì)使銅焊盤(pán)的凹槽太大，最終可能導(dǎo)致某些焊盤(pán)無(wú)法接和，拋光不足則會(huì)留下銅殘留物造成短路。針對(duì)這一問(wèn)題，Xperi 開(kāi)發(fā)出 200nm 和 300nm CMP 功能。在過(guò)去十年中，CMP 技術(shù)在設(shè)備設(shè)計(jì)、材料選擇和監(jiān)控方面都進(jìn)行了創(chuàng)新，能夠達(dá)到精準(zhǔn)控制，讓過(guò)程可重復(fù)且具有穩(wěn)定性。

晶圓對(duì)晶圓的鍵合方式正在發(fā)展，當(dāng)我看到這種方式的過(guò)程時(shí)，看到工具開(kāi)發(fā)的方向時(shí)，我認(rèn)為這是一項(xiàng)非常復(fù)雜的集成任務(wù)，但是臺(tái)積電這樣的公司正在推動(dòng)這個(gè)行業(yè)的發(fā)展，我們可以對(duì)其抱有期待。

封裝的混合鍵合與傳統(tǒng)的 IC 封裝在某些方面是不同的。IC 封裝是在一個(gè) OSAT（Outsourced Semiconductor Assembly and Test，委外封測(cè)代工廠）或封裝廠中進(jìn)行的，而銅混合鍵合卻是在晶圓廠的潔凈室中進(jìn)行，而不是 OSAT 中。與傳統(tǒng)封裝處理尺寸缺陷不同，混合鍵合對(duì)微小的納米級(jí)缺陷非常敏感，需要工廠級(jí)的潔凈室來(lái)防止微小缺陷干擾生產(chǎn)過(guò)程。

考慮到這些工藝使用已知的昂貴優(yōu)良裸片，失敗成本很高。在組件之間，有一些突起形成垂直的電氣連接，控制凸塊高度和共面性對(duì)于確保堆疊組件之間的可靠性至關(guān)重要。

工業(yè)自動(dòng)化控制技術(shù)的發(fā)展，自控水平越來(lái)越高，對(duì)過(guò)程參數(shù)控制精度要求越來(lái)越嚴(yán)，要求變送器表不僅精度高，而且要功能多、穩(wěn)定可靠、能準(zhǔn)確傳送過(guò)程參數(shù)（壓力、差壓、絕壓、流量）、抗干擾能力強(qiáng)、使用維護(hù)簡(jiǎn)單，并能與控制器、執(zhí)行器等設(shè)備組成功能強(qiáng)大的控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)通訊和過(guò)程的自動(dòng)控制。所以，過(guò)去的變送器由于受測(cè)量原理和通訊所限，很難實(shí)現(xiàn)這種高精度控制要求，因此，自然而然地產(chǎn)生了原理先進(jìn)具有通訊功能的智能變送器。這類(lèi)先進(jìn)的智能變送器集現(xiàn)代科技與一身，是微電子技術(shù)、精密機(jī)械加工技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)和現(xiàn)代通訊技術(shù)完美結(jié)合的產(chǎn)物，能實(shí)現(xiàn)過(guò)程控制的多種要求，推動(dòng)了整個(gè)自控技術(shù)的向前發(fā)展。先進(jìn)的智能變送器是工業(yè)過(guò)程控制技術(shù)發(fā)展的需要，也是工藝過(guò)程實(shí)現(xiàn)高精度控制的必須，具有很好的市場(chǎng)前景。

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