NB-IoT發(fā)送傳感器數(shù)據(jù)的應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2020/9/1 23:25:26 訪問(wèn)次數(shù):2859
新產(chǎn)品、應(yīng)用演示和技術(shù)專家團(tuán)將隨意法半導(dǎo)體2020年STM32全國(guó)研討會(huì)一起“拜訪”國(guó)內(nèi)城市。作為第14屆STM32全國(guó)研討會(huì),此次活動(dòng)仍將注重于為本地市場(chǎng)和客戶創(chuàng)造與ST解決方案面對(duì)面的機(jī)會(huì)。ST與國(guó)內(nèi)的教育機(jī)構(gòu)保持合作,參加了諸多本地行業(yè)展覽會(huì).
并在我們的活動(dòng)頁(yè)面上報(bào)名參展。為了迎接全國(guó)研討會(huì)活動(dòng)的到來(lái),我們將發(fā)布一系列文章。重點(diǎn)討論云計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)連接以及工業(yè)與安全應(yīng)用。人工智能和感知技術(shù),以及我們?nèi)绾螌⑦@些創(chuàng)新成果全都整合在一起。
STM32 Nucleo開(kāi)發(fā)板插接Quectel 的NB - IoT shield板的功能演示。我們還將展示Quectel和Fibocom開(kāi)發(fā)的LTE Cat 1 shields板卡。這種演示方式非常有意義,I-CUBE-QUECTEL軟件擴(kuò)展包讓開(kāi)發(fā)人員能夠創(chuàng)建通過(guò)NB-IoT發(fā)送傳感器數(shù)據(jù)的應(yīng)用。雖然工程師早已知道ST提供這樣的擴(kuò)展軟件,但是在親自看到軟件運(yùn)行后,會(huì)對(duì)該解決方案的實(shí)用性有更深刻的理解。 ST代表將幫助他們解決開(kāi)發(fā)難點(diǎn),從而更快地啟動(dòng)開(kāi)發(fā)項(xiàng)目。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
發(fā)貨限制:
此產(chǎn)品可能需要其他文件才能從美國(guó)出口。
RoHS: N
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 3300 V
集電極—射極飽和電壓: 3.4 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 660 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4.8 kW
封裝 / 箱體: IHM
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
封裝: Tray
高度: 38 mm
長(zhǎng)度: 140 mm
技術(shù): Si
寬度: 130 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
安裝風(fēng)格: Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V
產(chǎn)品類型: IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量: 2
子類別: IGBTs
零件號(hào)別名: FF400R33KF2CNOSA1 SP000100614 FF400R33KF2CNOSA1,400 A 130 mm雙 采用第二代IGBT和發(fā)射極控制二極管 - 為牽引和工業(yè)應(yīng)用提供經(jīng)驗(yàn)豐富的解決方案。
也可用作200 A半橋模塊:特征描述高可靠性和堅(jiān)固的模塊結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì)高功率密度可實(shí)現(xiàn)緊湊型逆變器設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)封裝應(yīng)用領(lǐng)域
TCAD解決方案被SemiQ 采用,SemiQ是碳化硅電源設(shè)備、模塊和外延片的開(kāi)發(fā)商和制造商。
Victory TCAD是一個(gè)經(jīng)過(guò)行業(yè)充分驗(yàn)證的過(guò)程和器件建模解決方案,它允許用戶在2D或3D中虛擬原型真實(shí)的器件,并在直流、交流和瞬態(tài)模擬中測(cè)試器件性能;谖锢淼腡CAD設(shè)備與周圍SPICE電路配對(duì)的能力允許用戶可在實(shí)際電路中的開(kāi)發(fā)產(chǎn)品。
SemiQ是SiC功率器件、模塊和外延片的領(lǐng)先供應(yīng)商。為了滿足我們?cè)陔娏ζ骷O(shè)計(jì)方面日益增長(zhǎng)的需求,并加快下一代設(shè)備的開(kāi)發(fā),我們?cè)u(píng)估了Silvaco的Victory TCAD工藝和器件模擬解決方案。在Silvaco及時(shí)而專業(yè)的技術(shù)支持下,以及專門(mén)為電力設(shè)備設(shè)計(jì)定制的獨(dú)特工具功能,我們能夠迅速采用新功能,如氧化模擬,以提高我們對(duì)下一代設(shè)備的了解。我們對(duì)他們的TCAD解決方案做出了多年的承諾,并替換了我們現(xiàn)有的工具。
混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車、電源和光伏逆變器的需求推動(dòng),電力器件市場(chǎng)正快速增長(zhǎng)。我們的Victory TCAD解決方案因其獨(dú)特的模擬和分析技術(shù)而廣泛應(yīng)用于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件市場(chǎng)。我們很高興為SemiQ提供我們的Victory TCAD解決方案,并通過(guò)我們的大力支持,使他們能夠加快下一代產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。
(素材:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除)
新產(chǎn)品、應(yīng)用演示和技術(shù)專家團(tuán)將隨意法半導(dǎo)體2020年STM32全國(guó)研討會(huì)一起“拜訪”國(guó)內(nèi)城市。作為第14屆STM32全國(guó)研討會(huì),此次活動(dòng)仍將注重于為本地市場(chǎng)和客戶創(chuàng)造與ST解決方案面對(duì)面的機(jī)會(huì)。ST與國(guó)內(nèi)的教育機(jī)構(gòu)保持合作,參加了諸多本地行業(yè)展覽會(huì).
并在我們的活動(dòng)頁(yè)面上報(bào)名參展。為了迎接全國(guó)研討會(huì)活動(dòng)的到來(lái),我們將發(fā)布一系列文章。重點(diǎn)討論云計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)連接以及工業(yè)與安全應(yīng)用。人工智能和感知技術(shù),以及我們?nèi)绾螌⑦@些創(chuàng)新成果全都整合在一起。
STM32 Nucleo開(kāi)發(fā)板插接Quectel 的NB - IoT shield板的功能演示。我們還將展示Quectel和Fibocom開(kāi)發(fā)的LTE Cat 1 shields板卡。這種演示方式非常有意義,I-CUBE-QUECTEL軟件擴(kuò)展包讓開(kāi)發(fā)人員能夠創(chuàng)建通過(guò)NB-IoT發(fā)送傳感器數(shù)據(jù)的應(yīng)用。雖然工程師早已知道ST提供這樣的擴(kuò)展軟件,但是在親自看到軟件運(yùn)行后,會(huì)對(duì)該解決方案的實(shí)用性有更深刻的理解。 ST代表將幫助他們解決開(kāi)發(fā)難點(diǎn),從而更快地啟動(dòng)開(kāi)發(fā)項(xiàng)目。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
發(fā)貨限制:
此產(chǎn)品可能需要其他文件才能從美國(guó)出口。
RoHS: N
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 3300 V
集電極—射極飽和電壓: 3.4 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 660 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4.8 kW
封裝 / 箱體: IHM
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
封裝: Tray
高度: 38 mm
長(zhǎng)度: 140 mm
技術(shù): Si
寬度: 130 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
安裝風(fēng)格: Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V
產(chǎn)品類型: IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量: 2
子類別: IGBTs
零件號(hào)別名: FF400R33KF2CNOSA1 SP000100614 FF400R33KF2CNOSA1,400 A 130 mm雙 采用第二代IGBT和發(fā)射極控制二極管 - 為牽引和工業(yè)應(yīng)用提供經(jīng)驗(yàn)豐富的解決方案。
也可用作200 A半橋模塊:特征描述高可靠性和堅(jiān)固的模塊結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì)高功率密度可實(shí)現(xiàn)緊湊型逆變器設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)封裝應(yīng)用領(lǐng)域
TCAD解決方案被SemiQ 采用,SemiQ是碳化硅電源設(shè)備、模塊和外延片的開(kāi)發(fā)商和制造商。
Victory TCAD是一個(gè)經(jīng)過(guò)行業(yè)充分驗(yàn)證的過(guò)程和器件建模解決方案,它允許用戶在2D或3D中虛擬原型真實(shí)的器件,并在直流、交流和瞬態(tài)模擬中測(cè)試器件性能;谖锢淼腡CAD設(shè)備與周圍SPICE電路配對(duì)的能力允許用戶可在實(shí)際電路中的開(kāi)發(fā)產(chǎn)品。
SemiQ是SiC功率器件、模塊和外延片的領(lǐng)先供應(yīng)商。為了滿足我們?cè)陔娏ζ骷O(shè)計(jì)方面日益增長(zhǎng)的需求,并加快下一代設(shè)備的開(kāi)發(fā),我們?cè)u(píng)估了Silvaco的Victory TCAD工藝和器件模擬解決方案。在Silvaco及時(shí)而專業(yè)的技術(shù)支持下,以及專門(mén)為電力設(shè)備設(shè)計(jì)定制的獨(dú)特工具功能,我們能夠迅速采用新功能,如氧化模擬,以提高我們對(duì)下一代設(shè)備的了解。我們對(duì)他們的TCAD解決方案做出了多年的承諾,并替換了我們現(xiàn)有的工具。
混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車、電源和光伏逆變器的需求推動(dòng),電力器件市場(chǎng)正快速增長(zhǎng)。我們的Victory TCAD解決方案因其獨(dú)特的模擬和分析技術(shù)而廣泛應(yīng)用于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件市場(chǎng)。我們很高興為SemiQ提供我們的Victory TCAD解決方案,并通過(guò)我們的大力支持,使他們能夠加快下一代產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。
(素材:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除)
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