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電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)功率密度和可靠性

發(fā)布時(shí)間:2020/9/19 20:58:22 訪問次數(shù):4363

RISC-V 技術(shù)并利用多樣化 RISC-V 生態(tài)系統(tǒng)。為滿足這一需求,Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布推出業(yè)界首款基于 RISC-V 的SoC FPGA開發(fā)工具包。這款名為Icicle 的開發(fā)工具包專為業(yè)界領(lǐng)先的低功耗、低成本、基于 RISC-V 的PolarFire® SoC FPGA打造,匯集了眾多的Mi-V 合作伙伴,助力加速不同行業(yè)的客戶設(shè)計(jì)部署和商業(yè)應(yīng)用。

設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可以開始開發(fā)和評(píng)估實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)(RTOS)、調(diào)試器、編譯器、模塊化系統(tǒng)(SOM)和安全解決方案等廣泛的 RISC-V 生態(tài)系統(tǒng)產(chǎn)品,從而輕松部署基于 RISC-V 的可編程 SOC FPGA。Mi-V RISC-V 合作伙伴生態(tài)系統(tǒng)是 Microchip 和眾多第三方為全面支持 RISC-V 設(shè)計(jì)而開發(fā)的一個(gè)不斷擴(kuò)展、全面的工具套件和設(shè)計(jì)資源。


數(shù)據(jù)列表

LTC4215/-2;

標(biāo)準(zhǔn)包裝

100

包裝

管件

零件狀態(tài)

有源

類別

集成電路(IC)

產(chǎn)品族

PMIC - 熱插拔控制器

類型 熱交換控制器,監(jiān)控器

通道數(shù) 1

內(nèi)部開關(guān) 無

應(yīng)用 通用

特性 I2C,OVP,UVLO

可編程特性 自動(dòng)重試,限流,故障超時(shí),閉鎖故障

電壓 - 供電 2.9V ~ 15V

電流 - 輸出(最大值) -

工作溫度 0°C ~ 70°C

電流 - 供電 3mA

安裝類型 表面貼裝型

封裝/外殼 16-SSOP(0.154",3.90mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝 16-SSOP

碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合,推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC  MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽(yáng)能系統(tǒng)、能源存儲(chǔ)和電池化成、不間斷電源(UPS)、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)汽車充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。

650 V CoolSiC  MOSFET器件的額定值在27 mΩ-107 mΩ之間,既可采用典型的TO-247 3引腳封裝,也支持開關(guān)損耗更低的TO-247 4引腳封裝。與過去發(fā)布的所有CoolSiC  MOSFET產(chǎn)品相比,全新650V系列基于英飛凌先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體技術(shù)。通過最大限度地發(fā)揮碳化硅強(qiáng)大的物理特性,確保了器件具有出色的可靠性、出類拔萃的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。它們還具備最高的跨導(dǎo)水平(增益)、4V的閾值電壓(Vth)和短路穩(wěn)健性?偠灾瑴喜奂夹g(shù)可以在毫不折衷的情況下,在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最低的損耗,并在運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)最佳可靠性。

(素材:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除)


RISC-V 技術(shù)并利用多樣化 RISC-V 生態(tài)系統(tǒng)。為滿足這一需求,Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布推出業(yè)界首款基于 RISC-V 的SoC FPGA開發(fā)工具包。這款名為Icicle 的開發(fā)工具包專為業(yè)界領(lǐng)先的低功耗、低成本、基于 RISC-V 的PolarFire® SoC FPGA打造,匯集了眾多的Mi-V 合作伙伴,助力加速不同行業(yè)的客戶設(shè)計(jì)部署和商業(yè)應(yīng)用。

設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可以開始開發(fā)和評(píng)估實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)(RTOS)、調(diào)試器、編譯器、模塊化系統(tǒng)(SOM)和安全解決方案等廣泛的 RISC-V 生態(tài)系統(tǒng)產(chǎn)品,從而輕松部署基于 RISC-V 的可編程 SOC FPGA。Mi-V RISC-V 合作伙伴生態(tài)系統(tǒng)是 Microchip 和眾多第三方為全面支持 RISC-V 設(shè)計(jì)而開發(fā)的一個(gè)不斷擴(kuò)展、全面的工具套件和設(shè)計(jì)資源。


數(shù)據(jù)列表

LTC4215/-2;

標(biāo)準(zhǔn)包裝

100

包裝

管件

零件狀態(tài)

有源

類別

集成電路(IC)

產(chǎn)品族

PMIC - 熱插拔控制器

類型 熱交換控制器,監(jiān)控器

通道數(shù) 1

內(nèi)部開關(guān) 無

應(yīng)用 通用

特性 I2C,OVP,UVLO

可編程特性 自動(dòng)重試,限流,故障超時(shí),閉鎖故障

電壓 - 供電 2.9V ~ 15V

電流 - 輸出(最大值) -

工作溫度 0°C ~ 70°C

電流 - 供電 3mA

安裝類型 表面貼裝型

封裝/外殼 16-SSOP(0.154",3.90mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝 16-SSOP

碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合,推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC  MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽(yáng)能系統(tǒng)、能源存儲(chǔ)和電池化成、不間斷電源(UPS)、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)汽車充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。

650 V CoolSiC  MOSFET器件的額定值在27 mΩ-107 mΩ之間,既可采用典型的TO-247 3引腳封裝,也支持開關(guān)損耗更低的TO-247 4引腳封裝。與過去發(fā)布的所有CoolSiC  MOSFET產(chǎn)品相比,全新650V系列基于英飛凌先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體技術(shù)。通過最大限度地發(fā)揮碳化硅強(qiáng)大的物理特性,確保了器件具有出色的可靠性、出類拔萃的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。它們還具備最高的跨導(dǎo)水平(增益)、4V的閾值電壓(Vth)和短路穩(wěn)健性?偠灾,溝槽技術(shù)可以在毫不折衷的情況下,在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最低的損耗,并在運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)最佳可靠性。

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