新型200V n溝道MOSFET---SiSS94DN，器件采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封裝，10 V條件下典型導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的61 mΩ。同時(shí)，經(jīng)過(guò)改進(jìn)的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為854 mΩ*nC。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN專門用來(lái)提高功率密度，占位面積比采用6mm x 5mm封裝相似導(dǎo)通電阻的器件減小65 %。

功率半導(dǎo)體的技術(shù)和材料創(chuàng)新都致力于提高能量轉(zhuǎn)化效率（理想轉(zhuǎn)化率100%），基于 SIC 材料的功率器件相比傳統(tǒng)的 Si 基功率器件效率高、損耗小，在新能源車、光伏風(fēng)電、不間斷電源、家電工控等有廣闊的應(yīng)用前景。目前 SIC 行業(yè)發(fā)展的瓶頸主要在于 SIC 襯底成本高（是 Si 的 4-5 倍，預(yù)計(jì)未來(lái) 3-4 年價(jià)格會(huì)逐漸降為 Si 的 2 倍），同時(shí) SIC MOS 為代表的 SIC 器件產(chǎn)品穩(wěn)定性需要時(shí)間驗(yàn)證。國(guó)內(nèi)外 SIC 產(chǎn)業(yè)鏈日趨成熟，成本也在持續(xù)下降，產(chǎn)業(yè)鏈爆發(fā)的拐點(diǎn)臨近。

制造商: Analog Devices Inc.

產(chǎn)品種類: RS-232接口集成電路

RoHS: 詳細(xì)信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-16

系列: ADM3232E

功能: Transceiver

數(shù)據(jù)速率: 460 kb/s

激勵(lì)器數(shù)量: 2 Driver

接收機(jī)數(shù)量: 2 Receiver

電源電壓-最大: 5.5 V

電源電壓-最小: 3 V

工作電源電流: 3 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

ESD 保護(hù): ESD Protection

封裝: Tube

高度: 1.5 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

輸出類型: Single-Ended

產(chǎn)品: RS-232 Transceivers

電源類型: Single Supply

寬度: 4 mm

商標(biāo): Analog Devices

關(guān)閉: Without Shutdown

收發(fā)器數(shù)量: 1 Transceiver

工作電源電壓: 3 V to 5.5 V

產(chǎn)品類型: RS-232 Interface IC

支持協(xié)議: RS-232

接收機(jī)信號(hào)類型: Single-Ended

工廠包裝數(shù)量: 48

子類別: Interface ICs

單位重量: 666 mg

制造商: Analog Devices Inc.

產(chǎn)品種類: RS-232接口集成電路

RoHS: 詳細(xì)信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-16

系列: ADM3232E

功能: Transceiver

數(shù)據(jù)速率: 460 kb/s

激勵(lì)器數(shù)量: 2 Driver

接收機(jī)數(shù)量: 2 Receiver

電源電壓-最大: 5.5 V

電源電壓-最小: 3 V

工作電源電流: 3 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

ESD 保護(hù): ESD Protection

封裝: Tube

高度: 1.5 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

輸出類型: Single-Ended

產(chǎn)品: RS-232 Transceivers

電源類型: Single Supply

寬度: 4

Si 基器件在 600V 以上高電壓以及高功率場(chǎng)合達(dá)到其性能的極限；為了提升在高壓/高功率下器件的性能，第三代半導(dǎo)體材料 SiC （寬禁帶）應(yīng)運(yùn)而生；

第三代半導(dǎo)體主要是 SIC 和 GaN，第二代和第三代也稱作化合物半導(dǎo)體，即兩種元素組成的半導(dǎo)體材料，區(qū)別于硅/鍺等單質(zhì)半導(dǎo)體：

SIC 材料具有明顯的性能優(yōu)勢(shì)。SiC 和 GaN 是第三代半導(dǎo)體材料，與第一二代半導(dǎo)體材料相比，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率等性能優(yōu)勢(shì)，所以又叫寬禁帶半導(dǎo)體材料，特別適用于 5G 射頻器件和高電壓功率器件。

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