臺(tái)積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進(jìn)度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。供應(yīng)鏈透露，有別于3nm和5nm采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET），臺(tái)積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場(chǎng)效電晶體（MBCFET）架構(gòu)。

臺(tái)積電去年成立了2nm專(zhuān)案研發(fā)團(tuán)隊(duì)，尋找可行路徑進(jìn)行開(kāi)發(fā)�？剂砍杀�、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問(wèn)題。

極紫外光（EUV）微顯影技術(shù)的提升，使臺(tái)積電研發(fā)多年的納米片（Nano Sheet）堆疊關(guān)鍵技術(shù)更為成熟，良率提升進(jìn)度較預(yù)期順利。臺(tái)積電此前透露2nm研發(fā)生產(chǎn)將在新竹寶山，規(guī)劃P1到P4四個(gè)超大型晶圓廠，占地90多公頃。

JQYX2000×1.9風(fēng)吸式糧食扦樣器本機(jī)是一種新型多功能扦樣器，對(duì)立筒倉(cāng)、房式倉(cāng)、地下倉(cāng)的散存谷物(小麥、玉米、

高粱、稻谷等)可在0-20米范圍內(nèi)隨意扦樣、埋設(shè)測(cè)量電纜和藥劑投放。所扦樣品能較好

地保持原糧的原始質(zhì)量狀況。

產(chǎn)品參數(shù)：  

 功率:1000w 200V 50Hz

重量:主機(jī)6.5Kg

吸管0.35kg(鋁) 0.76kg(鋼)

外形:主機(jī)326×540×206mm

吸管22 x 1000mm/根

得益于FinFET 的發(fā)明，2011年英特爾推出了商業(yè)化的22nm FinFET。此后，基于FinFET業(yè)界將半導(dǎo)體

臺(tái)積電同樣采用MBCFET架構(gòu)。臺(tái)積電總裁魏哲家日前于玉山科技協(xié)會(huì)晚宴專(zhuān)講時(shí)透露，臺(tái)積電制程每前進(jìn)一個(gè)世代，客戶(hù)的產(chǎn)品速度效能提升30%- 40%，功耗可以降低20%-30%。

在GAA技術(shù)的采用上，三星更顯激進(jìn)。據(jù)悉三星3nm就會(huì)導(dǎo)入GAA，使其3nm工藝相比7nm性能提升35%，功耗降低50%。但臺(tái)積電要到2nm才會(huì)導(dǎo)入GAA技術(shù)。

GAA可以帶來(lái)性能和功耗的降低，但成本也非常高。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)International Business Strategies (IBS)給出的數(shù)據(jù)顯示，28nm之后芯片的成本迅速上升。28nm工藝的成本為0.629億美元， 5nm將暴增至 4.76 億美元。三星稱(chēng)其3nm GAA 的成本可能會(huì)超過(guò)5億美元。

新的晶體管也可能帶來(lái)革命性的改變，一種叫做Bizen的晶體管架構(gòu)，可能從另一方向打破CMOS極限。

(素材：eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除）