達(dá)林頓晶體管陣列驅(qū)動(dòng)TD62081APG/AFG系列產(chǎn)品為高電壓、大電流產(chǎn)品所有單元都有集成箝位二極管，用于開關(guān)感性負(fù)載。

應(yīng)用包括繼電器，錘子，燈和顯示(LED)驅(qū)動(dòng)程序。

附加到零件號(hào)的后綴(G)表示一個(gè)前導(dǎo)無(Pb)的產(chǎn)品。

國(guó)產(chǎn) 6 英寸碳化硅 MOSFET 晶圓，基于碳化硅(第三代半導(dǎo)體材料)制成，用于新能源車、光伏發(fā)電等新能源產(chǎn)業(yè)。

碳化硅 MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管)新能源汽車作電驅(qū)動(dòng)的話，續(xù)航里程可以有 5% 到 10% 的提升;比如說用了碳化硅工藝器件的光伏逆變器的話，效率也可以非常大的提升尤其在能耗上面降低 50% 。

制造商: STMicroelectronics

產(chǎn)品種類: ARM微控制器 - MCU

RoHS: 詳細(xì)信息

系列: STM32F103VE

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: LQFP-100

核心: ARM Cortex M3

程序存儲(chǔ)器大小: 512 kB

數(shù)據(jù)總線寬度: 32 bit

ADC分辨率: 12 bit

最大時(shí)鐘頻率: 72 MHz

輸入/輸出端數(shù)量: 80 I/O

數(shù)據(jù) RAM 大小: 64 kB

工作電源電壓: 2 V to 3.6 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Tray

高度: 1.4 mm

長(zhǎng)度: 14 mm

程序存儲(chǔ)器類型: Flash

寬度: 14 mm

商標(biāo): STMicroelectronics

數(shù)據(jù) Ram 類型: SRAM

接口類型: CAN, I2C, SPI, USART, USB

濕度敏感性: Yes

ADC通道數(shù)量: 16 Channel

計(jì)時(shí)器/計(jì)數(shù)器數(shù)量: 8 Timer

處理器系列: ARM Cortex M

產(chǎn)品類型: ARM Microcontrollers - MCU

工廠包裝數(shù)量: 540

子類別: Microcontrollers - MCU

電源電壓-最大: 3.6 V

電源電壓-最小: 2 V

商標(biāo)名: STM32

單位重量: 1.319 g

利用氫氣在極高的壓力下壓縮成簡(jiǎn)單的固體分子，首次創(chuàng)造出了在室溫下具有超導(dǎo)性的材料。這項(xiàng)研究是由物理和機(jī)械工程助理教授蘭加·迪亞斯（Ranga Dias）的實(shí)驗(yàn)室完成的，并在近日成為《自然》（Nature）雜志的封面故事。

超導(dǎo)體是指在特定溫度下電阻為0的導(dǎo)體，零電阻和完全抗磁性是超導(dǎo)體的兩個(gè)重要特性。迪亞斯表示，開發(fā)室溫超導(dǎo)材料是凝聚態(tài)物質(zhì)物理學(xué)的“圣杯”，研究者們已經(jīng)尋找了一個(gè)多世紀(jì)，這些材料“絕對(duì)可以改變我們所知道的世界”。

為了創(chuàng)造新的記錄，迪亞斯和他的研究團(tuán)隊(duì)將氫、碳和硫結(jié)合在一起，以光化學(xué)合成方法在一個(gè)金剛石壓腔中合成了簡(jiǎn)單的有機(jī)衍生碳質(zhì)硫氫化物。金剛石壓腔是一個(gè)用來檢測(cè)極高壓力下極微量材料的研究設(shè)備。