內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商美光今日宣布量產(chǎn)業(yè)界首款基于低功耗 DDR5(LPDDR5)DRAM 的通用閃存存儲(UFS)多芯片封裝產(chǎn)品 uMCP5。

本次發(fā)布是美光于今年三月宣布 uMCP5 出樣的延續(xù)，為移動市場設(shè)定了新標(biāo)準(zhǔn)，成為首款使用最新一代 UFS NAND 存儲和低功耗 DRAM 的多芯片封裝產(chǎn)品。

該款多芯片封裝產(chǎn)品搭載美光 LPDDR5 內(nèi)存、高可靠性 NAND 以及領(lǐng)先的 UFS3.1 控制器，實現(xiàn)了此前只在使用獨(dú)立內(nèi)存和存儲芯片的昂貴旗艦手機(jī)上才有的高級功能。

uMCP5 的出現(xiàn)使諸如圖像識別、高級人工智能(AI)、多攝像頭支持、增強(qiáng)現(xiàn)實(AR)和高分辨率顯示等最新技術(shù)能在中高端手機(jī)上予以普及，從而惠及更多的消費(fèi)者。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 - ADC

RoHS: 詳細(xì)信息

系列: ADS574

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: PDIP-28

分辨率: 12 bit

通道數(shù)量: 1 Channel

接口類型: Parallel

采樣比: 40 kS/s

輸入類型: Single-Ended

結(jié)構(gòu): SAR

模擬電源電壓: 5 V

數(shù)字電源電壓: 4.5 V to 5.5 V

SNR – 信噪比: 72 dB

最小工作溫度: 0 C

最大工作溫度: + 70 C

封裝: Tube

特點(diǎn): Internal Reference

高度: 4.57 mm

長度: 35.69 mm

轉(zhuǎn)換器數(shù)量: 1 Converter

寬度: 6.73 mm

商標(biāo): Texas Instruments

參考類型: Internal

DNL - 微分非線性: +/- 1 LSB

INL - 積分非線性: +/- 1 LSB

工作電源電壓: 4.5 V to 5.5 V

Pd-功率耗散: 100 mW

產(chǎn)品類型: ADCs - Analog to Digital Converters

參考電壓: 2.5 V

工廠包裝數(shù)量: 13

子類別: Data Converter ICs

單位重量: 2.064 g

智能手機(jī)需要存儲和處理海量數(shù)據(jù)，這使基于 LPDDR4 的中端芯片組的內(nèi)存帶寬變得捉襟見肘，帶來的后果是視頻分辨率降低、出現(xiàn)影響體驗的延遲，以及部分功能受限。借助 LPDDR5，美光將內(nèi)存帶寬從 3,733 Mb/秒大幅提高至 6,400 Mb/秒，即使在處理大數(shù)據(jù)量時，也可為移動用戶提供無縫、即時的體驗。

uMCP5 專為下一代5G設(shè)備而設(shè)計，能輕松快速地處理和存儲大量數(shù)據(jù)，且無需在性能和功耗之間進(jìn)行妥協(xié)。高性能的內(nèi)存和存儲使 uMCP5 能夠充分支持 5G 下載速度，并同時運(yùn)行更多應(yīng)用程序。

要將5G的潛力從宣傳層面變?yōu)楝F(xiàn)實，需要智能手機(jī)能夠應(yīng)對通過網(wǎng)絡(luò)和下一代應(yīng)用程序傳輸?shù)暮Ａ繑?shù)據(jù)。我們的 uMCP5 在單個封裝中結(jié)合了最快的內(nèi)存和存儲，為顛覆性的5G技術(shù)帶來了更多可能，幫助消費(fèi)者從容應(yīng)對數(shù)據(jù)挑戰(zhàn)。

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