互補驅(qū)動電路的關(guān)斷回路阻抗小

發(fā)布時間:2020/10/25 11:27:44 訪問次數(shù):788

基于可控硅調(diào)光范圍主要是擴大具有自主調(diào)光控制多重保護功能，MP4030可以大大提高系統(tǒng)的可靠性和安全性。 MP4030功能自動重新啟動，所有的故障保護功能，包括過電壓保護，短路保護，可編程的初級側(cè)的過電流保護，VCC欠壓鎖定和過溫保護。 MP4030封裝為SOIC8。

初級側(cè)控制，無需次級反饋電路

內(nèi)部的充電電路在VCC快速啟動

精確的線路調(diào)整

高功率因數(shù)

無閃爍的相位控制可控硅調(diào)光，調(diào)光范圍擴大。

邊界導(dǎo)通模式操作

逐周期電流限制

可編程的初級側(cè)的過電流保護

過電壓保護

短路保護

過溫保護

一個8引腳SOIC封裝

功率MOSFET屬于電壓型控制器件，只要柵極和源極之間施加的電壓超過其閥值電壓就會導(dǎo)通。由于MOSFET存在結(jié)電容，關(guān)斷時其漏源兩端電壓的突然上升將會通過結(jié)電容在柵源兩端產(chǎn)生干擾電壓。常用的互補驅(qū)動電路的關(guān)斷回路阻抗小，關(guān)斷速度較快，但它不能提供負壓，故抗干擾性較差。為了提高電路的抗干擾性，可在此種驅(qū)動電路的基礎(chǔ)上增加一級有V1、V2、R組成的電路，產(chǎn)生一個負壓。

當(dāng)V1導(dǎo)通時，V2關(guān)斷，兩個MOSFET中的上管的柵、源極放電，下管的柵、源極充電，即上管關(guān)斷，下管導(dǎo)通，則被驅(qū)動的功率管關(guān)斷;反之V1關(guān)斷時，V2導(dǎo)通，上管導(dǎo)通，下管關(guān)斷，使驅(qū)動的管子導(dǎo)通。因為上下兩個管子的柵、源極通過不同的回路充放電，包含有V2的回路，由于V2會不斷退出飽和直至關(guān)斷，所以對于S1而言導(dǎo)通比關(guān)斷要慢，對于S2而言導(dǎo)通比關(guān)斷要快，所以兩管發(fā)熱程度也不完全一樣，S1比S2發(fā)熱嚴重。

驅(qū)動電路的缺點是需要雙電源，且由于R的取值不能過大，否則會使V1深度飽和，影響關(guān)斷速度，所以R上會有一定的損耗。mos管開關(guān)電路正激式驅(qū)動電路電路原理，N3為去磁繞組，S2為所驅(qū)動的功率管。R2為防止功率管柵極、源極端電壓振蕩的一個阻尼電阻。因不要求漏感較小，且從速度方面考慮，一般R2較小，故在分析中忽略不計。

其等效電路圖脈沖不要求的副邊并聯(lián)一電阻R1，它做為正激變換器的假負載，用于消除關(guān)斷期間輸出電壓發(fā)生振蕩而誤導(dǎo)通。同時它還可以作為功率MOSFET關(guān)斷時的能量泄放回路。該驅(qū)動電路的導(dǎo)通速度主要與被驅(qū)動的S2柵極、源極等效輸入電容的大小、S1的驅(qū)動信號的速度以及S1所能提供的電流大小有關(guān)。由仿真及分析可知，占空比D越小、R1越大、L越大，磁化電流越小，U1值越小，關(guān)斷速度越慢。

電路具有以下優(yōu)點：

電路結(jié)構(gòu)簡單可靠，實現(xiàn)了隔離驅(qū)動。

只需單電源即可提供導(dǎo)通時的正、關(guān)斷時負壓。

占空比固定時，通過合理的參數(shù)設(shè)計，此驅(qū)動電路也具有較快的開關(guān)速度。