GaN晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開關(guān)損耗，原因在于：

柵極電容和輸出電容更低。

較低的漏源極導通電阻(RDS(ON))可實現(xiàn)更高的電流操作，從而降低了傳導損耗。

無需體二極管，因此反向恢復電荷(QRR)低或為零。

GaN晶體管支持大多數(shù)包含單獨功率因數(shù)校正(PFC)和DC-DC部分的AC/DC電源：前端、無電橋PFC以及其后的LLC諧振轉(zhuǎn)換器（兩個電感和一個電容）。此拓撲完全依賴于圖1所示的半橋和全橋電路。

如果將數(shù)字信號處理器(DSP)作為主控制器，并用GaN晶體管替換硅MOSFET，就需要一種新的隔離技術(shù)來處理更高的開關(guān)頻率。這主要包括隔離式GaN驅(qū)動器。

適合電信和服務(wù)器應(yīng)用的典型AC/DC電源,典型隔離解決方案和要求.

產(chǎn)品種類: 運算放大器 - 運放

RoHS: 詳細信息

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-23-6

通道數(shù)量: 1 Channel

電源電壓-最大: 5.5 V

GBP-增益帶寬產(chǎn)品: 1 MHz

每個通道的輸出電流: 32 mA

SR - 轉(zhuǎn)換速率 : 1 V/us

Vos - 輸入偏置電壓 : 4 mV

電源電壓-最小: 2.5 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

Ib - 輸入偏流: 200 pA

工作電源電流: 107 uA

關(guān)閉: Shutdown

CMRR - 共模抑制比: 46 dB to 86 dB

en - 輸入電壓噪聲密度: 39 nV/sqrt Hz

系列: LMV341-Q1

資格: AEC-Q100

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

放大器類型: Low Voltage Amplifier

特點: Shutdown, Small Size

高度: 1.15 mm

輸入類型: Rail-to-Rail

長度: 2.9 mm

輸出類型: Rail-to-Rail

產(chǎn)品: Operational Amplifiers

電源類型: Single

技術(shù): CMOS

寬度: 1.6 mm

商標: Texas Instruments

In—輸入噪聲電流密度: 0.001 pA/sqrt Hz

工作電源電壓: 2.5 V to 5.5 V

產(chǎn)品類型: Op Amps - Operational Amplifiers

工廠包裝數(shù)量: 3000

子類別: Amplifier ICs

電壓增益 dB: 116 dB

單位重量: 6.500 mg

隔離要求為了充分利用GaN晶體管，要求隔離柵極驅(qū)動器最好具有以下特性：

最大允許柵電壓<7 V

開關(guān)節(jié)點下dv/dt>100 kV/ms ，CMTI為100 kV/μs至200 kV/μs

對于650 V應(yīng)用，高低開關(guān)延遲匹配≤50 ns

用于關(guān)斷的負電壓箝位(–3 V)

有幾種解決方案可同時驅(qū)動半橋晶體管的高端和低端。關(guān)于傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換高壓驅(qū)動器有一個傳說，就是最簡單的單芯片方案僅廣泛用于硅基MOSFET。在一些高端產(chǎn)品（例如，服務(wù)器電源）中，使用ADuM4223雙通道隔離驅(qū)動器來驅(qū)動MOS，以實現(xiàn)緊湊型設(shè)計。

采用GaN時，電平轉(zhuǎn)換解決方案存在一些缺點，如傳輸延遲很大，共模瞬變抗擾度(CMTI)有限，用于高開關(guān)頻率的效果也不是很理想。與單通道驅(qū)動器相比，雙通道隔離驅(qū)動器缺少布局靈活性。同時，也很難配置負偏壓。表1對這些方法做了比較。

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