徑向引線藍(lán)色套筒絕緣的圓柱形鋁外殼額定電壓最高達(dá)63V

發(fā)布時(shí)間:2023/6/14 23:36:08 訪問次數(shù):60

新系列低阻抗、汽車級(jí)小型鋁電解電容器--- 170 RVZ，紋波電流高達(dá)3.8A，可在+105°C高溫下工作，105°C條件下使用壽命長(zhǎng)達(dá)10,000小時(shí)。

與上一代解決方案相比，Vishay BCcomponents 170 RVZ系列電容器阻抗更低，紋波電流提高10%至15 %，設(shè)計(jì)人員可使用更少的元器件，從而提高設(shè)計(jì)靈活性并節(jié)省電路板空間。此外，器件符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)，從10 mm x 12 mm到18 mm x 40 mm，提供各種小型外形尺寸封裝。

170 RVZ系列電容器采用徑向引線，藍(lán)色套筒絕緣的圓柱形鋁外殼，額定電壓最高達(dá)63V，容量為100 μF至6800μF，阻抗低。電容器具有防充放電功能。

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標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱 PDIP

最高工作溫度 125

元素輸入 2-IN

最大高電平輸出電流 -4.2(Min)

包裝長(zhǎng)度 19.69(Max)

最低工作電源電壓 3

引腳數(shù) 14

包裝高度 5.08(Max) - 0.51(Min)

最大低電平輸出電流 4.2(Min)

封裝 Tube

最大工作電源電壓 18

鉛形狀 Through Hole

輸入數(shù) 2

安裝類型 Through Hole

輸出 - 電流高，低 3.4mA, 3.4mA

邏輯類型 NAND Gate

電流 - 靜態(tài)（最大） 4μA

供應(yīng)商設(shè)備封裝 14-PDIP

電壓 - 電源 3 V ~ 18 V

最大傳遞延遲@ V ，最大CL 130ns @ 15V, 50pF

邏輯電平 - 高 3.6 V ~ 10.8 V

邏輯電平 - 低1.5 V 〜 4 V 0.9 V ~ 4 V

電路數(shù) 4

新型40 V n溝道MOSFET半橋功率級(jí)---SiZ240DT，可用來提高白色家電以及工業(yè)、醫(yī)療和通信應(yīng)用的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiZ240DT在小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm單體封裝中集成高邊和低邊MOSFET，導(dǎo)通電阻和導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）達(dá)到業(yè)界出色水平。

SiZ240DT中的兩個(gè)TrenchFET®MOSFET內(nèi)部采用半橋配置連接。SiZ240DT的通道1 MOSFET，通常用作同步降壓轉(zhuǎn)換器的控制開關(guān)，10 V時(shí)最大導(dǎo)通電阻為8.05 mΩ，4.5 V時(shí)為12.25 mΩ。通道2 MOSFET，通常用作同步開關(guān)，10V時(shí)導(dǎo)通電阻為8.41 mΩ，4.5 V時(shí)為13.30 mΩ。