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低導(dǎo)通和低開(kāi)關(guān)損耗的開(kāi)關(guān)元件

發(fā)布時(shí)間:2020/9/23 20:33:37 訪問(wèn)次數(shù):6684

效率被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)高功率密度的“把關(guān)人”,因?yàn)榻档推骷臒崃恐陵P(guān)重要。如要利用更高的效率,必須縮小解決方案的體積(換句話說(shuō),尺寸必須縮小)。同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效率和小尺寸則需要一種能夠在高工作頻率下高效工作的解決方案。這種解決方案尤其應(yīng)該考慮:

降低開(kāi)關(guān)損耗。一種可以提供低導(dǎo)通和低開(kāi)關(guān)損耗的開(kāi)關(guān)元件。

拓?fù)、控制和電路設(shè)計(jì)。您需要正確的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)才能在高開(kāi)關(guān)頻率下工作;谒鶓(yīng)用的控制技術(shù),考慮到大多數(shù)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淇梢栽诓煌哪J较鹿ぷ鳎鐐鹘y(tǒng)的方波脈沖寬度調(diào)制、零電壓或零電流轉(zhuǎn)換或全諧振模式,控制方法和創(chuàng)新的電路實(shí)現(xiàn)也很重要。

制造商: Analog Devices Inc.

產(chǎn)品種類: 數(shù)字隔離器

RoHS: 詳細(xì)信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-16

系列: ADM2483

通道數(shù)量: 1 Channel

絕緣電壓: 2.5 kVrms

隔離類型: Magnetic Coupling

數(shù)據(jù)速率: 500 kb/s

電源電壓-最大: 5.5 V

電源電壓-最小: 2.7 V

工作電源電流: 2.5 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

產(chǎn)品: Digital Isolators

電源類型: Dual

類型: RS-485 Isolated Transceiver

商標(biāo): Analog Devices

關(guān)閉: No Shutdown

開(kāi)發(fā)套件: EVAL-ADM2483EBZ

雙工: Half Duplex

工作電源電壓: 5 V

產(chǎn)品類型: Digital Isolators

支持協(xié)議: RS-485

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: Interface ICs

單位重量: 666 mg

制造商: Analog Devices Inc.

產(chǎn)品種類: 數(shù)字隔離器

RoHS: 詳細(xì)信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-16

系列: ADM2483

通道數(shù)量: 1 Channel

絕緣電壓: 2.5 kVrms

隔離類型: Magnetic Coupling

數(shù)據(jù)速率: 500 kb/s

電源電壓-最大: 5.5 V

電源電壓-最小: 2.7 V

工作電源電流: 2.5 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

產(chǎn)品: Digital Isolators

電源類型: Dual

類型: RS-485 Isolated Transceiver

商標(biāo): Analog Devices

集成。高工作頻率對(duì)無(wú)源元件的縮放效應(yīng)可以縮小功率轉(zhuǎn)換器的尺寸。但是,功率密度難題中還有另一個(gè)非常重要的部分--集成,見(jiàn)于在硅技術(shù)中通過(guò)單片整合電源、控制元件。在半導(dǎo)體器件方面,設(shè)計(jì)人員正在使用集成多個(gè)半導(dǎo)體裸片的多芯片模塊技術(shù),在許多情況下甚至是無(wú)源器件、電容器和磁性組件。轉(zhuǎn)換器及其外殼的機(jī)械和印刷電路板設(shè)計(jì)無(wú)疑是實(shí)現(xiàn)高功率密度的關(guān)鍵因素。

更佳的熱性能。TI的增強(qiáng)封裝和先進(jìn)的引線框架技術(shù)在最大限度地減小外部冷卻面和實(shí)際硅溫度之間的溫度梯度方面發(fā)揮著重要作用。這些技術(shù)以及相應(yīng)的建模和優(yōu)化能力提供了更佳的熱性能。這不僅可以幫助實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì),而且可以長(zhǎng)期、可靠地運(yùn)行TI的半導(dǎo)體器件。

基礎(chǔ)技術(shù)的結(jié)合是成功完成高功率密度設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。因此,您可以像查看成績(jī)單一樣查看所實(shí)現(xiàn)的功率密度,從而對(duì)設(shè)計(jì)人員應(yīng)用最合適半導(dǎo)體技術(shù)的程度進(jìn)行評(píng)定,以及查看他們是否選擇了正確的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、控制方法、機(jī)械設(shè)計(jì)、熱管理及集成策略。

(素材:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除)


效率被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)高功率密度的“把關(guān)人”,因?yàn)榻档推骷臒崃恐陵P(guān)重要。如要利用更高的效率,必須縮小解決方案的體積(換句話說(shuō),尺寸必須縮小)。同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效率和小尺寸則需要一種能夠在高工作頻率下高效工作的解決方案。這種解決方案尤其應(yīng)該考慮:

降低開(kāi)關(guān)損耗。一種可以提供低導(dǎo)通和低開(kāi)關(guān)損耗的開(kāi)關(guān)元件。

拓?fù)洹⒖刂坪碗娐吩O(shè)計(jì)。您需要正確的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)才能在高開(kāi)關(guān)頻率下工作。基于所應(yīng)用的控制技術(shù),考慮到大多數(shù)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淇梢栽诓煌哪J较鹿ぷ,例如傳統(tǒng)的方波脈沖寬度調(diào)制、零電壓或零電流轉(zhuǎn)換或全諧振模式,控制方法和創(chuàng)新的電路實(shí)現(xiàn)也很重要。

制造商: Analog Devices Inc.

產(chǎn)品種類: 數(shù)字隔離器

RoHS: 詳細(xì)信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-16

系列: ADM2483

通道數(shù)量: 1 Channel

絕緣電壓: 2.5 kVrms

隔離類型: Magnetic Coupling

數(shù)據(jù)速率: 500 kb/s

電源電壓-最大: 5.5 V

電源電壓-最小: 2.7 V

工作電源電流: 2.5 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

產(chǎn)品: Digital Isolators

電源類型: Dual

類型: RS-485 Isolated Transceiver

商標(biāo): Analog Devices

關(guān)閉: No Shutdown

開(kāi)發(fā)套件: EVAL-ADM2483EBZ

雙工: Half Duplex

工作電源電壓: 5 V

產(chǎn)品類型: Digital Isolators

支持協(xié)議: RS-485

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: Interface ICs

單位重量: 666 mg

制造商: Analog Devices Inc.

產(chǎn)品種類: 數(shù)字隔離器

RoHS: 詳細(xì)信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-16

系列: ADM2483

通道數(shù)量: 1 Channel

絕緣電壓: 2.5 kVrms

隔離類型: Magnetic Coupling

數(shù)據(jù)速率: 500 kb/s

電源電壓-最大: 5.5 V

電源電壓-最小: 2.7 V

工作電源電流: 2.5 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

產(chǎn)品: Digital Isolators

電源類型: Dual

類型: RS-485 Isolated Transceiver

商標(biāo): Analog Devices

集成。高工作頻率對(duì)無(wú)源元件的縮放效應(yīng)可以縮小功率轉(zhuǎn)換器的尺寸。但是,功率密度難題中還有另一個(gè)非常重要的部分--集成,見(jiàn)于在硅技術(shù)中通過(guò)單片整合電源、控制元件。在半導(dǎo)體器件方面,設(shè)計(jì)人員正在使用集成多個(gè)半導(dǎo)體裸片的多芯片模塊技術(shù),在許多情況下甚至是無(wú)源器件、電容器和磁性組件。轉(zhuǎn)換器及其外殼的機(jī)械和印刷電路板設(shè)計(jì)無(wú)疑是實(shí)現(xiàn)高功率密度的關(guān)鍵因素。

更佳的熱性能。TI的增強(qiáng)封裝和先進(jìn)的引線框架技術(shù)在最大限度地減小外部冷卻面和實(shí)際硅溫度之間的溫度梯度方面發(fā)揮著重要作用。這些技術(shù)以及相應(yīng)的建模和優(yōu)化能力提供了更佳的熱性能。這不僅可以幫助實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì),而且可以長(zhǎng)期、可靠地運(yùn)行TI的半導(dǎo)體器件。

基礎(chǔ)技術(shù)的結(jié)合是成功完成高功率密度設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。因此,您可以像查看成績(jī)單一樣查看所實(shí)現(xiàn)的功率密度,從而對(duì)設(shè)計(jì)人員應(yīng)用最合適半導(dǎo)體技術(shù)的程度進(jìn)行評(píng)定,以及查看他們是否選擇了正確的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、控制方法、機(jī)械設(shè)計(jì)、熱管理及集成策略。

(素材:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除)


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