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對串聯(lián)鋰電池組的充放電保護(hù)

發(fā)布時間:2020/11/2 9:02:02 訪問次數(shù):817

鋰電池保護(hù)板是對串聯(lián)鋰電池組的充放電保護(hù);在充滿電時能保證各單體電池之間的電壓差異小于設(shè)定值(一般±20mV),實現(xiàn)電池組各單體電池的均充,有效地改善了串聯(lián)充電方式下的充電效果;同時檢測電池組中各個單體電池的過壓、欠壓、過流、短路、過溫狀態(tài),保護(hù)并延長電池使用壽命;欠壓保護(hù)使每一單節(jié)電池在放電使用時避免電池因過放電而損壞。

鋰電池保護(hù)板技術(shù)參數(shù)

均衡 電流 :80mA(VCELL=4.20V時)

均衡起控點:4.18±0.03 V過充門限:4.25±0.05 V (4.30±0.05 V可選)

過放門限 :2.90±0.08 V (2.40±0.05 V可選)

過放延時 :5mS

過放釋放 :斷開負(fù)載,并且各單體電池電壓均高于過放門限;

過流釋放 :斷開負(fù)載釋放

過溫保護(hù) :有接口,需安裝可恢復(fù)性溫度保護(hù)開關(guān);

工作電流 :15A(根據(jù)客戶選擇)

靜態(tài)功耗 :<<0.5mA

保護(hù)板過放電保護(hù)控制原理

當(dāng)電芯通過外接的負(fù)載進(jìn)行放電時,電芯的電壓將慢慢降低,同時DW01 內(nèi)部將通過R1電阻實時監(jiān)測電芯電壓,當(dāng)電芯電壓下降到約2.3V時DW01 將認(rèn)為電芯電壓已處于過放電電壓狀態(tài),便立即斷開第1腳的輸出電壓,使第1腳電壓變?yōu)?V,8205A內(nèi)的開關(guān)管因第5腳無電壓而關(guān)閉。此時電芯的B-與保護(hù)板的P-之間處于斷開狀態(tài)。即電芯的放電回路被切斷,電芯將停止放電。

保護(hù)板處于過放電狀態(tài)并一直保持。等到保護(hù)板的P 與P-間接上充電電壓后,DW01 經(jīng)B-檢測到充電電壓后便立即停止過放電狀態(tài),重新在第1腳輸出高電壓,使8205A內(nèi)的過放電控制管導(dǎo)通,即電芯的B-與保護(hù)板的P-又重新接上,電芯經(jīng)充電器直接充電。


28納米光刻機(jī),預(yù)計這28納米光刻機(jī)將在2021年底到2022年之間進(jìn)行量產(chǎn),而且這個28納米光刻機(jī)通過多次曝光之后,可以用于生產(chǎn)14納米甚至10納米的芯片。

作為中國大陸技術(shù)最先進(jìn)、規(guī)模最大的晶圓代工企業(yè),中芯國際歷時多年,制程工藝從0.18微米技術(shù)節(jié)點發(fā)展至如今的N+1工藝。一站式IP和定制芯片企業(yè)芯動科技官方宣布,已完成了全球首個基于中芯國際FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測試,所有IP全自主國產(chǎn),功能一次測試通過。

碳基納米管芯片研發(fā)團(tuán)隊在新型碳基半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了重大的研究成果,并實現(xiàn)了碳基納米管晶體管芯片制造技術(shù)的全球領(lǐng)先地位;中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所成功研發(fā)出了一種新型5nm高精度激光光刻加工方法。


(素材來源:21IC.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


鋰電池保護(hù)板是對串聯(lián)鋰電池組的充放電保護(hù);在充滿電時能保證各單體電池之間的電壓差異小于設(shè)定值(一般±20mV),實現(xiàn)電池組各單體電池的均充,有效地改善了串聯(lián)充電方式下的充電效果;同時檢測電池組中各個單體電池的過壓、欠壓、過流、短路、過溫狀態(tài),保護(hù)并延長電池使用壽命;欠壓保護(hù)使每一單節(jié)電池在放電使用時避免電池因過放電而損壞。

鋰電池保護(hù)板技術(shù)參數(shù)

均衡 電流 :80mA(VCELL=4.20V時)

均衡起控點:4.18±0.03 V過充門限:4.25±0.05 V (4.30±0.05 V可選)

過放門限 :2.90±0.08 V (2.40±0.05 V可選)

過放延時 :5mS

過放釋放 :斷開負(fù)載,并且各單體電池電壓均高于過放門限;

過流釋放 :斷開負(fù)載釋放

過溫保護(hù) :有接口,需安裝可恢復(fù)性溫度保護(hù)開關(guān);

工作電流 :15A(根據(jù)客戶選擇)

靜態(tài)功耗 :<<0.5mA

保護(hù)板過放電保護(hù)控制原理

當(dāng)電芯通過外接的負(fù)載進(jìn)行放電時,電芯的電壓將慢慢降低,同時DW01 內(nèi)部將通過R1電阻實時監(jiān)測電芯電壓,當(dāng)電芯電壓下降到約2.3V時DW01 將認(rèn)為電芯電壓已處于過放電電壓狀態(tài),便立即斷開第1腳的輸出電壓,使第1腳電壓變?yōu)?V,8205A內(nèi)的開關(guān)管因第5腳無電壓而關(guān)閉。此時電芯的B-與保護(hù)板的P-之間處于斷開狀態(tài)。即電芯的放電回路被切斷,電芯將停止放電。

保護(hù)板處于過放電狀態(tài)并一直保持。等到保護(hù)板的P 與P-間接上充電電壓后,DW01 經(jīng)B-檢測到充電電壓后便立即停止過放電狀態(tài),重新在第1腳輸出高電壓,使8205A內(nèi)的過放電控制管導(dǎo)通,即電芯的B-與保護(hù)板的P-又重新接上,電芯經(jīng)充電器直接充電。


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作為中國大陸技術(shù)最先進(jìn)、規(guī)模最大的晶圓代工企業(yè),中芯國際歷時多年,制程工藝從0.18微米技術(shù)節(jié)點發(fā)展至如今的N+1工藝。一站式IP和定制芯片企業(yè)芯動科技官方宣布,已完成了全球首個基于中芯國際FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測試,所有IP全自主國產(chǎn),功能一次測試通過。

碳基納米管芯片研發(fā)團(tuán)隊在新型碳基半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了重大的研究成果,并實現(xiàn)了碳基納米管晶體管芯片制造技術(shù)的全球領(lǐng)先地位;中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所成功研發(fā)出了一種新型5nm高精度激光光刻加工方法。


(素材來源:21IC.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


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