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電芯的負(fù)極與保護(hù)板的P端直接連通

發(fā)布時(shí)間:2020/11/2 9:00:01 訪問次數(shù):1395

短路保護(hù)功能:能保護(hù),斷開負(fù)載可自恢復(fù)。

主要功能:過充保護(hù)功能,過放保護(hù)功能,短路保護(hù)功能,過流保護(hù)功能,過溫保護(hù)功能,均衡保護(hù)功能。

接口定義:該板的充電口與放電口相互獨(dú)立,兩者共正極,B-為連接電池的負(fù)極,C-為充電口的負(fù)極;P-為放電口的負(fù)極;B-、P-、C-焊盤均是過孔式,焊盤孔直徑均為3mm;電池各充電檢測(cè)接口以DC針座形式輸出。

參數(shù)說明:最大工作電流和過流保護(hù)電流值的配置,單位:A(5/8,8/15,10/20,12/25,15/30,20/40,25/35,30/50,35/60,50/80,80/100),特殊過流值可以按客戶要求定制。

鋰電池保護(hù)板構(gòu)成及工作原理

鋰電池保護(hù)板根據(jù)使用IC,電壓等不同而電路及參數(shù)有所不同,保護(hù)板有兩個(gè)核心部件:一塊保護(hù)IC,它是由精確的比較器來獲得可靠的保護(hù)參數(shù);另外是MOSFET串在主充放電回路中擔(dān)當(dāng)高速開關(guān),執(zhí)行保護(hù)動(dòng)作。下面以DW01 配MOS管8205A進(jìn)行講解:

鋰電池保護(hù)板其正常工作過程

當(dāng)電芯電壓在2.5V至4.3V之間時(shí),DW01 的第1腳、第3腳均輸出高電平(等于供電電壓),第二腳電壓為0V。此時(shí)DW01 的第1腳 、第3腳電壓將分別加到8205A的第5、4腳,8205A內(nèi)的兩個(gè)電子開關(guān)因其G極接到來自DW01 的電壓,故均處于導(dǎo)通狀態(tài),即兩個(gè)電子開關(guān)均處于開狀態(tài)。此時(shí)電芯的負(fù)極與保護(hù)板的P-端相當(dāng)于直接連通,保護(hù)板有電壓輸出。

光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)基本被荷蘭的 ASML、日本的尼康和佳能這三家供應(yīng)商壟斷。根據(jù)賽迪顧問數(shù)據(jù),全球光刻機(jī)市場(chǎng)規(guī)模約160億美元,ASML、尼康和佳能三大龍頭總共占據(jù)95%市場(chǎng),其中EUV市場(chǎng)幾乎被ASML一家獨(dú)占。

中國也能生產(chǎn)光刻機(jī),但以中國目前的技術(shù),只能夠生產(chǎn)低端一些的光刻機(jī)設(shè)備,能夠制造90nm及以上工藝的芯片,而能夠生產(chǎn)7nm甚至5nm芯片的高端光刻機(jī)基本上全部靠ASML供貨。

國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展正當(dāng)時(shí)

隨著中美貿(mào)易摩擦的升級(jí),打破壟斷、提高國產(chǎn)化率,力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備自主可控是重中之重。在這樣的背景下,國家從政策、資金方面支持半導(dǎo)體設(shè)備的國產(chǎn)化,國家大基金二期支持重點(diǎn)就放在國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備和材料上,其中提到將加快開展光刻機(jī)、化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備等核心設(shè)備,以及關(guān)鍵零部件的投資布局,填補(bǔ)國產(chǎn)工藝設(shè)備空白。

(素材來源:21IC.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

短路保護(hù)功能:能保護(hù),斷開負(fù)載可自恢復(fù)。

主要功能:過充保護(hù)功能,過放保護(hù)功能,短路保護(hù)功能,過流保護(hù)功能,過溫保護(hù)功能,均衡保護(hù)功能。

接口定義:該板的充電口與放電口相互獨(dú)立,兩者共正極,B-為連接電池的負(fù)極,C-為充電口的負(fù)極;P-為放電口的負(fù)極;B-、P-、C-焊盤均是過孔式,焊盤孔直徑均為3mm;電池各充電檢測(cè)接口以DC針座形式輸出。

參數(shù)說明:最大工作電流和過流保護(hù)電流值的配置,單位:A(5/8,8/15,10/20,12/25,15/30,20/40,25/35,30/50,35/60,50/80,80/100),特殊過流值可以按客戶要求定制。

鋰電池保護(hù)板構(gòu)成及工作原理

鋰電池保護(hù)板根據(jù)使用IC,電壓等不同而電路及參數(shù)有所不同,保護(hù)板有兩個(gè)核心部件:一塊保護(hù)IC,它是由精確的比較器來獲得可靠的保護(hù)參數(shù);另外是MOSFET串在主充放電回路中擔(dān)當(dāng)高速開關(guān),執(zhí)行保護(hù)動(dòng)作。下面以DW01 配MOS管8205A進(jìn)行講解:

鋰電池保護(hù)板其正常工作過程

當(dāng)電芯電壓在2.5V至4.3V之間時(shí),DW01 的第1腳、第3腳均輸出高電平(等于供電電壓),第二腳電壓為0V。此時(shí)DW01 的第1腳 、第3腳電壓將分別加到8205A的第5、4腳,8205A內(nèi)的兩個(gè)電子開關(guān)因其G極接到來自DW01 的電壓,故均處于導(dǎo)通狀態(tài),即兩個(gè)電子開關(guān)均處于開狀態(tài)。此時(shí)電芯的負(fù)極與保護(hù)板的P-端相當(dāng)于直接連通,保護(hù)板有電壓輸出。

光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)基本被荷蘭的 ASML、日本的尼康和佳能這三家供應(yīng)商壟斷。根據(jù)賽迪顧問數(shù)據(jù),全球光刻機(jī)市場(chǎng)規(guī)模約160億美元,ASML、尼康和佳能三大龍頭總共占據(jù)95%市場(chǎng),其中EUV市場(chǎng)幾乎被ASML一家獨(dú)占。

中國也能生產(chǎn)光刻機(jī),但以中國目前的技術(shù),只能夠生產(chǎn)低端一些的光刻機(jī)設(shè)備,能夠制造90nm及以上工藝的芯片,而能夠生產(chǎn)7nm甚至5nm芯片的高端光刻機(jī)基本上全部靠ASML供貨。

國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展正當(dāng)時(shí)

隨著中美貿(mào)易摩擦的升級(jí),打破壟斷、提高國產(chǎn)化率,力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備自主可控是重中之重。在這樣的背景下,國家從政策、資金方面支持半導(dǎo)體設(shè)備的國產(chǎn)化,國家大基金二期支持重點(diǎn)就放在國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備和材料上,其中提到將加快開展光刻機(jī)、化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備等核心設(shè)備,以及關(guān)鍵零部件的投資布局,填補(bǔ)國產(chǎn)工藝設(shè)備空白。

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