多電平拓撲磁性元件晶體管 的模塊
發(fā)布時間:2020/11/5 8:56:15 訪問次數(shù):831
用于48 V DC/DC轉(zhuǎn)換的 EPC9148 和 EPC9153 演示板。 EPC9153是一款250 W超薄電源模塊,采用簡單且低成本的同步降壓配置,峰值效率高達98.2%,元件的最大厚度為6.5 毫米。EPC9148使用多電平拓撲結(jié)構(gòu),元件的最大厚度小于4 毫米,峰值效率為98%。
該兩款演示板集成了Microchip公司的 dsPIC33CK 數(shù)字信號控制器(DSC)和EPC公司最新一代 100 V氮化鎵場效應(yīng)晶體管 ,具有超薄外形尺寸,在12.5 A時,實現(xiàn)超過 98%的效率。由于Microchip數(shù)字控制器具有高靈活性,允許在44 V~60 V范圍內(nèi)調(diào)節(jié)輸入電壓,而輸出電壓在5 V~20 V范圍內(nèi)。
EPC9148 多電平轉(zhuǎn)換器縮小了支持磁性元件的模塊尺寸,同時在緊湊的解決方案中,實現(xiàn)高效率。 EPC9148 演示板的亮點之一是采用Würth Elektronik的超薄功率電感器,從而實現(xiàn)具有超高功率密度的設(shè)計。

新元件從設(shè)計上大幅簡化了并聯(lián)連接,從而廣泛適用于緊湊型牽引變頻器,以及可再生能源和工業(yè)領(lǐng)域的各種應(yīng)用。
新元件配備阻燃等級為 UL94 V-0 的人造樹脂填充塑料外殼,并且滿足 IEC 61071、IEC 61881-1 和 EN 45545-2 HL3 R23 標(biāo)準關(guān)于防火和煙霧排放等級的要求,是火車上應(yīng)用的理想之選。
OptiMOS 40 V 低電壓功率 MOSFET,采用源極底置 (SD, Source-Down) PQFN 封裝,尺寸為 3.3mm x 3.3 mm。這款 40 V SD MOSFET 適用于服務(wù)器的 SMPS、電信和 OR-ing,還適用于電池保護、電動工具和充電器等應(yīng)用。
電源(VCC) 芯片內(nèi)部的模擬和數(shù)字電路使用的不同電源總線在此引腳匯合,這樣使得噪聲最小。去耦電容應(yīng)盡量靠近芯片。
地線(VSSA, VSSD) 芯片內(nèi)部的模擬和數(shù)字電路的不同地線匯合在這個引腳。
錄音 (REC) 高電平有效。只要REC變高(不管芯片處在節(jié)電狀態(tài)還是正在放音),芯片即開始錄音。錄音期間,REC必須保持為高。REC變低或內(nèi)存錄滿后,錄音周期結(jié)束,芯片自動寫入一個信息結(jié)束標(biāo)志(EOM),使以后的重放操作可以及時停止。然后芯片自動進入節(jié)電狀態(tài)。注:REC的上升沿有84毫秒防顫,防止按鍵誤觸發(fā)。
邊沿觸發(fā)放音(PLAYE) 此端出現(xiàn)上升沿時,芯片開始放音。放音持續(xù)到EOM標(biāo)志或內(nèi)存結(jié)束,之后芯片自動進入節(jié)電狀態(tài)。開始放音后,可以釋放PLAYE。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
用于48 V DC/DC轉(zhuǎn)換的 EPC9148 和 EPC9153 演示板。 EPC9153是一款250 W超薄電源模塊,采用簡單且低成本的同步降壓配置,峰值效率高達98.2%,元件的最大厚度為6.5 毫米。EPC9148使用多電平拓撲結(jié)構(gòu),元件的最大厚度小于4 毫米,峰值效率為98%。
該兩款演示板集成了Microchip公司的 dsPIC33CK 數(shù)字信號控制器(DSC)和EPC公司最新一代 100 V氮化鎵場效應(yīng)晶體管 ,具有超薄外形尺寸,在12.5 A時,實現(xiàn)超過 98%的效率。由于Microchip數(shù)字控制器具有高靈活性,允許在44 V~60 V范圍內(nèi)調(diào)節(jié)輸入電壓,而輸出電壓在5 V~20 V范圍內(nèi)。
EPC9148 多電平轉(zhuǎn)換器縮小了支持磁性元件的模塊尺寸,同時在緊湊的解決方案中,實現(xiàn)高效率。 EPC9148 演示板的亮點之一是采用Würth Elektronik的超薄功率電感器,從而實現(xiàn)具有超高功率密度的設(shè)計。

新元件從設(shè)計上大幅簡化了并聯(lián)連接,從而廣泛適用于緊湊型牽引變頻器,以及可再生能源和工業(yè)領(lǐng)域的各種應(yīng)用。
新元件配備阻燃等級為 UL94 V-0 的人造樹脂填充塑料外殼,并且滿足 IEC 61071、IEC 61881-1 和 EN 45545-2 HL3 R23 標(biāo)準關(guān)于防火和煙霧排放等級的要求,是火車上應(yīng)用的理想之選。
OptiMOS 40 V 低電壓功率 MOSFET,采用源極底置 (SD, Source-Down) PQFN 封裝,尺寸為 3.3mm x 3.3 mm。這款 40 V SD MOSFET 適用于服務(wù)器的 SMPS、電信和 OR-ing,還適用于電池保護、電動工具和充電器等應(yīng)用。
電源(VCC) 芯片內(nèi)部的模擬和數(shù)字電路使用的不同電源總線在此引腳匯合,這樣使得噪聲最小。去耦電容應(yīng)盡量靠近芯片。
地線(VSSA, VSSD) 芯片內(nèi)部的模擬和數(shù)字電路的不同地線匯合在這個引腳。
錄音 (REC) 高電平有效。只要REC變高(不管芯片處在節(jié)電狀態(tài)還是正在放音),芯片即開始錄音。錄音期間,REC必須保持為高。REC變低或內(nèi)存錄滿后,錄音周期結(jié)束,芯片自動寫入一個信息結(jié)束標(biāo)志(EOM),使以后的重放操作可以及時停止。然后芯片自動進入節(jié)電狀態(tài)。注:REC的上升沿有84毫秒防顫,防止按鍵誤觸發(fā)。
邊沿觸發(fā)放音(PLAYE) 此端出現(xiàn)上升沿時,芯片開始放音。放音持續(xù)到EOM標(biāo)志或內(nèi)存結(jié)束,之后芯片自動進入節(jié)電狀態(tài)。開始放音后,可以釋放PLAYE。

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