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模式切換和常數(shù)設(shè)定音頻處理器

發(fā)布時(shí)間:2020/11/5 8:59:38 訪問(wèn)次數(shù):1084

EPC9153 演示板提供簡(jiǎn)單且低成本的同步降壓配置,從而使元件可以實(shí)現(xiàn)纖薄的最大厚度、98.2%的峰值效率和在20 V輸出時(shí),上升溫度少于40°C。eGaN FET憑借其快速的開(kāi)關(guān)性能,提高整體效率,而它的芯片級(jí)占位面積使其易于散熱,從而實(shí)現(xiàn)緊湊型設(shè)計(jì)所需的低上升溫度。

計(jì)算機(jī)、顯示器、智能電話和其它消費(fèi)電子系統(tǒng)變得越來(lái)越纖薄,功能卻越來(lái)越強(qiáng)大。我們很高興與Microchip Technology和Würth Elektronik合作,開(kāi)發(fā)超薄且高效的解決方案,以應(yīng)對(duì)在有限的空間和體積內(nèi)取得更高的功率的挑戰(zhàn)。

產(chǎn)品名稱:NJW1147

功能名稱:帶BBE ViVA的音頻處理器

概要

NJW1147是帶BBE ViVA高清晰3D聲音處理的電視音頻處理器。BBE的傳統(tǒng)聲音清晰度增強(qiáng)技術(shù)與新的ViVA 3D處理相結(jié)合,制造出真實(shí)、令人振奮的空間效果。BBE ViVA與新聞、音樂(lè)、電影節(jié)目以及視頻游戲兼容。NJW1147包括處理電視音頻信號(hào)所需的全部功能,例如音量控制、音調(diào)控制、平衡、靜音、AGC功能以及NJRC專有的環(huán)繞聲處理功能eala。eala重新生成自然的環(huán)繞聲,具有清晰的聲向。所有模式切換和常數(shù)設(shè)定都由I2C總線接口控制。

特征

工作電壓 (8到13V)

I2C總線接口

BBE聲音增強(qiáng) (低提升和高提升:最大15dB)

BBE ViVA高清晰3D聲音

eala(NJRC獨(dú)創(chuàng)環(huán)繞聲)

AGC電路(減少不同輸入源之間的音量差。)

模擬環(huán)繞聲

Bi-CMOS技術(shù)

封裝 (SS0P32)

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路,其目標(biāo)應(yīng)用包括 直流- 直流轉(zhuǎn)換器 、  無(wú)線電源傳送 、  包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、 功率逆變器 、 激光雷達(dá)(LiDAR)  及 D類音頻放大器 等應(yīng)用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。宜普公司正在擴(kuò)大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列,為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本。


(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

EPC9153 演示板提供簡(jiǎn)單且低成本的同步降壓配置,從而使元件可以實(shí)現(xiàn)纖薄的最大厚度、98.2%的峰值效率和在20 V輸出時(shí),上升溫度少于40°C。eGaN FET憑借其快速的開(kāi)關(guān)性能,提高整體效率,而它的芯片級(jí)占位面積使其易于散熱,從而實(shí)現(xiàn)緊湊型設(shè)計(jì)所需的低上升溫度。

計(jì)算機(jī)、顯示器、智能電話和其它消費(fèi)電子系統(tǒng)變得越來(lái)越纖薄,功能卻越來(lái)越強(qiáng)大。我們很高興與Microchip Technology和Würth Elektronik合作,開(kāi)發(fā)超薄且高效的解決方案,以應(yīng)對(duì)在有限的空間和體積內(nèi)取得更高的功率的挑戰(zhàn)。

產(chǎn)品名稱:NJW1147

功能名稱:帶BBE ViVA的音頻處理器

概要

NJW1147是帶BBE ViVA高清晰3D聲音處理的電視音頻處理器。BBE的傳統(tǒng)聲音清晰度增強(qiáng)技術(shù)與新的ViVA 3D處理相結(jié)合,制造出真實(shí)、令人振奮的空間效果。BBE ViVA與新聞、音樂(lè)、電影節(jié)目以及視頻游戲兼容。NJW1147包括處理電視音頻信號(hào)所需的全部功能,例如音量控制、音調(diào)控制、平衡、靜音、AGC功能以及NJRC專有的環(huán)繞聲處理功能eala。eala重新生成自然的環(huán)繞聲,具有清晰的聲向。所有模式切換和常數(shù)設(shè)定都由I2C總線接口控制。

特征

工作電壓 (8到13V)

I2C總線接口

BBE聲音增強(qiáng) (低提升和高提升:最大15dB)

BBE ViVA高清晰3D聲音

eala(NJRC獨(dú)創(chuàng)環(huán)繞聲)

AGC電路(減少不同輸入源之間的音量差。)

模擬環(huán)繞聲

Bi-CMOS技術(shù)

封裝 (SS0P32)

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路,其目標(biāo)應(yīng)用包括 直流- 直流轉(zhuǎn)換器 、  無(wú)線電源傳送 、  包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、 功率逆變器 、 激光雷達(dá)(LiDAR)  及 D類音頻放大器 等應(yīng)用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。宜普公司正在擴(kuò)大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列,為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本。


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