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意外斷電不會(huì)損壞磁盤內(nèi)的靜態(tài)數(shù)據(jù)

發(fā)布時(shí)間:2020/11/5 12:09:37 訪問(wèn)次數(shù):839

88 PX系列NVMe M.2 2280 ArmourDrive 固態(tài)硬盤使用高質(zhì)量的工業(yè)TLC(每單元3bit)3D NAND閃存,支持從128GB到2TB的廣泛容量。

Forward Insights市場(chǎng)機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),NVMe PCIe 固態(tài)硬盤市場(chǎng)為了滿足這些市場(chǎng)需求,綠芯擴(kuò)大了NVMe M.2 ArmourDrive產(chǎn)品組合,提供無(wú)外置DRAM 2280規(guī)格的固態(tài)硬盤。 

系列NVMe M.2 2280 ArmourDrive產(chǎn)品支持PCIe Gen3 x4接口,可以達(dá)到最高2,500/2,100 MB/s的順序讀/寫性能。產(chǎn)品可以在商業(yè)級(jí)溫度(0至+70攝氏度)或工業(yè)級(jí)溫度(-40至+85攝氏度)下使用,為工業(yè)自動(dòng)化、云計(jì)算、安全、網(wǎng)絡(luò)、廣播和交通運(yùn)輸?shù)榷喾N應(yīng)用提供高可靠、低延遲存儲(chǔ)方案。

88 PX系列無(wú)外置DRAM NVMe M.2 2280 ArmourDrive 固態(tài)硬盤的優(yōu)點(diǎn)包括:

高性能: 高達(dá) 2,500/2,100 MB/s 順序讀寫

低功耗: 工作模式下低至 3,150 mW;Idle模式下低至 2 mW

高數(shù)據(jù)完整性: 意外斷電不會(huì)損壞磁盤內(nèi)的靜態(tài)數(shù)據(jù)

廣泛的產(chǎn)品容量: 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1 TB, 2 TB

商業(yè)級(jí)和工業(yè)級(jí)溫度: 可工作在 0°C to +70°C 或 -40°C to +85°C

支持主機(jī)內(nèi)存緩沖 (HMB)功能: 提高 IOPS性能并降低延遲

數(shù)據(jù)安全: 支持TCG OPAL 2.0 (工業(yè)級(jí)) 或 TCG Pyrite (商業(yè)級(jí))

擴(kuò)充其預(yù)認(rèn)證的無(wú)線模塊產(chǎn)品系列,專門用于滿足現(xiàn)代物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用開(kāi)發(fā)需求。該產(chǎn)品系列包括業(yè)內(nèi)獨(dú)特的全棧多協(xié)議解決方案模塊,滿足商業(yè)和消費(fèi)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用,并具有靈活的封裝選項(xiàng)和高度集成的設(shè)備安全性。

Silicon Labs克服了為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備添加無(wú)線連接所帶來(lái)的挑戰(zhàn)。我們的新模塊為解決射頻工程和測(cè)試的復(fù)雜問(wèn)題提供了簡(jiǎn)單有效的解決方案,使得物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造商能夠快速將預(yù)認(rèn)證和安全的無(wú)線設(shè)備推向市場(chǎng)。

Silicon Labs高集成度的模塊具有多種封裝選項(xiàng),包括系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)和傳統(tǒng)印制電路板(PCB)封裝。SiP模塊包含微型組件,空間受限的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計(jì)通過(guò)基于模塊的解決方案,從而消除了對(duì)復(fù)雜射頻設(shè)計(jì)和認(rèn)證的需求。PCB模塊可實(shí)現(xiàn)靈活的引腳訪問(wèn)以及可擴(kuò)展射頻性能這樣的其他選擇。


(素材來(lái)源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

88 系列NVMe M.2 2280 ArmourDrive 固態(tài)硬盤使用高質(zhì)量的工業(yè)TLC(每單元3bit)3D NAND閃存,支持從128GB到2TB的廣泛容量。

Forward Insights市場(chǎng)機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),NVMe PCIe 固態(tài)硬盤市場(chǎng)為了滿足這些市場(chǎng)需求,綠芯擴(kuò)大了NVMe M.2 ArmourDrive產(chǎn)品組合,提供無(wú)外置DRAM 2280規(guī)格的固態(tài)硬盤。 

系列NVMe M.2 2280 ArmourDrive產(chǎn)品支持PCIe Gen3 x4接口,可以達(dá)到最高2,500/2,100 MB/s的順序讀/寫性能。產(chǎn)品可以在商業(yè)級(jí)溫度(0至+70攝氏度)或工業(yè)級(jí)溫度(-40至+85攝氏度)下使用,為工業(yè)自動(dòng)化、云計(jì)算、安全、網(wǎng)絡(luò)、廣播和交通運(yùn)輸?shù)榷喾N應(yīng)用提供高可靠、低延遲存儲(chǔ)方案。

88 系列無(wú)外置DRAM NVMe M.2 2280 ArmourDrive 固態(tài)硬盤的優(yōu)點(diǎn)包括:

高性能: 高達(dá) 2,500/2,100 MB/s 順序讀寫

低功耗: 工作模式下低至 3,150 mW;Idle模式下低至 2 mW

高數(shù)據(jù)完整性: 意外斷電不會(huì)損壞磁盤內(nèi)的靜態(tài)數(shù)據(jù)

廣泛的產(chǎn)品容量: 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1 TB, 2 TB

商業(yè)級(jí)和工業(yè)級(jí)溫度: 可工作在 0°C to +70°C 或 -40°C to +85°C

支持主機(jī)內(nèi)存緩沖 (HMB)功能: 提高 IOPS性能并降低延遲

數(shù)據(jù)安全: 支持TCG OPAL 2.0 (工業(yè)級(jí)) 或 TCG Pyrite (商業(yè)級(jí))

擴(kuò)充其預(yù)認(rèn)證的無(wú)線模塊產(chǎn)品系列,專門用于滿足現(xiàn)代物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用開(kāi)發(fā)需求。該產(chǎn)品系列包括業(yè)內(nèi)獨(dú)特的全棧多協(xié)議解決方案模塊,滿足商業(yè)和消費(fèi)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用,并具有靈活的封裝選項(xiàng)和高度集成的設(shè)備安全性。

Silicon Labs克服了為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備添加無(wú)線連接所帶來(lái)的挑戰(zhàn)。我們的新模塊為解決射頻工程和測(cè)試的復(fù)雜問(wèn)題提供了簡(jiǎn)單有效的解決方案,使得物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造商能夠快速將預(yù)認(rèn)證和安全的無(wú)線設(shè)備推向市場(chǎng)。

Silicon Labs高集成度的模塊具有多種封裝選項(xiàng),包括系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)和傳統(tǒng)印制電路板(PCB)封裝。SiP模塊包含微型組件,空間受限的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計(jì)通過(guò)基于模塊的解決方案,從而消除了對(duì)復(fù)雜射頻設(shè)計(jì)和認(rèn)證的需求。PCB模塊可實(shí)現(xiàn)靈活的引腳訪問(wèn)以及可擴(kuò)展射頻性能這樣的其他選擇。


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