一個(gè)雙輸出SEPIC變換器,只有一個(gè)磁元件產(chǎn)生5V和-5V雙輸出。圖中所示的兩個(gè)電感器繞在單個(gè)BH環(huán)形磁芯上。5V輸出拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是標(biāo)準(zhǔn)的降壓變換器。若沒(méi)有C4 -5V拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為簡(jiǎn)單的與降壓變換器耦合的反激變換繞法。

C4構(gòu)成SEPIC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)改善了調(diào)整率和有助于L1A和L1B之間均分電流。沒(méi)有C4,則繞組L1B上的電壓相對(duì)L1A變化,這是由于相對(duì)負(fù)載和耦合損耗所致。C4為保持在繞組L1B上的相等電壓提供一低阻抗通路,這改善了調(diào)整度。

兩個(gè)繞組的單磁芯BH Electronics#511-1013。D1和D3是ON Semiconductor公司的MBRD140。假若負(fù)載可能到零,則可用1K~5K的預(yù)加載來(lái)改善負(fù)載調(diào)整率。

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標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品家庭：晶體管（BJT） - 單路系列：-包裝：帶盒（TB）晶體管類型：PNP電流 - 集電極（Ic）（最大值）：800mA電壓 - 集射極擊穿（最大值）：25V不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）：700mV @ 50mA，500mA電流 - 集電極截止（最大值）：100nA不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）：250 @ 100mA，1V功率 - 最大值：625mW頻率 - 躍遷：100MHz安裝類型：通孔封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線供應(yīng)商器件封裝：TO-92-3

高頻逆變器是一種DC to AC的變壓器，它其實(shí)與轉(zhuǎn)化器是一種電壓逆變的過(guò)程。高頻逆變器的工作原理，轉(zhuǎn)換器是將電網(wǎng)的交流電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榉�(wěn)定的12V直流輸出，而逆變器是將Adapter輸出的12V直流電壓轉(zhuǎn)變?yōu)楦哳l的高壓交流電;兩個(gè)部分同樣都采用了用得比較多的脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù)。

其核心部分都是一個(gè)PWM集成控制器，Adapter用的是UC3842，逆變器則采用TL5001芯片。TL5001的工作電壓范圍3.6～40V，其內(nèi)部設(shè)有一個(gè)誤差放大器，一個(gè)調(diào)節(jié)器、振蕩器、有死區(qū)控制的PWM發(fā)生器、低壓保護(hù)回路及短路保護(hù)回路等。

ENB電壓由主板上的MCU提供，其值為0或3V ，當(dāng)ENB=0時(shí)，逆變器不工作，而ENB=3V時(shí)，逆變器處于正常工作狀態(tài)而DIM電壓由主板提供，其變化范圍在0~5V之間，將不同的DIM值反饋給PWM控制器反饋端，逆變器向負(fù)載提供的電流也將不同，DIM值越小，逆變器輸出的電流就越大。

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