降低電源尺寸面臨的挑戰(zhàn),一款高功率的適配器注定要加入智能化的設(shè)計(jì)，這就需要利用充電協(xié)議對(duì)輸出特性做出相應(yīng)的調(diào)整來(lái)實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)快速的充電，這些是需要通過(guò)軟件來(lái)完成的，而軟件的指令來(lái)自充電器的負(fù)載，當(dāng)充電控制變得越來(lái)越復(fù)雜時(shí)，無(wú)形中增加了很多元器件的數(shù)目，如此一來(lái)電源的復(fù)雜性和面積都在相應(yīng)的增加，如何面對(duì)市場(chǎng)需求所帶來(lái)的挑戰(zhàn),PI一直前行在創(chuàng)新的道路上，并且早已為電源小型化打下的基礎(chǔ)。

功率開(kāi)關(guān)在電源效率提高，體積做小的過(guò)程中是一個(gè)至關(guān)重要的器件。許多的損耗也是來(lái)自功率器件。GaN(氮化鎵)技術(shù)憑借其禁帶寬度大、導(dǎo)熱率高、耐高溫、高硬度等特性已逐漸被應(yīng)用到電子產(chǎn)品，比如充電器。

下一代三星Galaxy旗艦設(shè)備可能會(huì)配備這種新的ISOCELL Vizion 33D傳感器，以獲得更好的攝影和AR/VR體驗(yàn)。

制造商

ON Semiconductor

制造商零件編號(hào)

NUP2105LT1G

描述

TVS DIODE 24V 44V SOT23-3

對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí) （MSL） 1（無(wú)限）

詳細(xì)描述 44V-Clamp-8A（8-20μs）-Ipp-Tvs-Diode-表面貼裝-SOT-23-3（TO-236）

類(lèi)型 齊納

雙向通道 2

電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值） 24V（最�。�

電壓 - 擊穿（最小值） 26.2V

電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp 44V

電流 - 峰值脈沖（10/1000μs） 8A（8/20μs）

功率 - 峰值脈沖 350W

電源線(xiàn)路保護(hù) 無(wú)

應(yīng)用 通用

不同頻率時(shí)的電容 30pF @ 1MHz

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類(lèi)型 表面貼裝

封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）

PI 將該公司的PowiGaN 功率開(kāi)關(guān)集成到InnoSwitch3中，PowiGaN 有更低的導(dǎo)通電阻，更低的開(kāi)關(guān)損耗，因此無(wú)需散熱片和導(dǎo)熱片，極大的改善了電源的尺寸。同時(shí)在InnoSwitch3中還引入了“熱折返”的特性。

在室內(nèi)和室外條件下，該傳感器可以高精度地探測(cè)到5米以?xún)?nèi)的物體深度。深溝隔離技術(shù)（DTI）最大限度地提高了像素之間的隔離度以減少串?dāng)_，而背面散射技術(shù)（BST）提高了傳感器的量子效率。

為了能夠?qū)焖僖苿?dòng)的物體進(jìn)行精確的深度測(cè)量，ISOCELL Vizion 33D具有4抽頭解調(diào)系統(tǒng)，支持高達(dá)120fps的幀速率。傳感器中的每個(gè)像素可以同時(shí)接收四個(gè)相位信號(hào)（0°、90°、180°和270°），這意味著它只需一幀就可以生成深度圖像。

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