950nm到1150nm光波段近紅外進(jìn)行光譜優(yōu)化
發(fā)布時間:2020/11/10 23:35:59 訪問次數(shù):1843
羅姆公司的三大戰(zhàn)略:第一個是功率器件,第二個是通用器件,第三個是模擬器件。羅姆的功率元器件戰(zhàn)略即力爭全球領(lǐng)先的市場份額。在全球的市場上羅姆二極管的市場份額占第三位,大約占有10%左右的份額;如果只在車載市場上看羅姆二極管的份額在全球是第一位,大約占20%。ROHM功率器件制造本部、功率二極管制造部、商品開發(fā)部組長田中宏幸先生如此介紹ROHM的市場地位。
羅姆功率二極管60%的銷售份額來自于車載市場,在動力傳動系統(tǒng)等車載系統(tǒng)(xEV等)、工業(yè)設(shè)備逆變器、各種電源設(shè)備等,全部都是支持AEC-Q101,都是對應(yīng)車載的產(chǎn)品,在車載上可以高溫運(yùn)轉(zhuǎn),可以使它節(jié)能,可以使小型化的新產(chǎn)品。
二極管,特別是肖特基二極管在汽車行業(yè)上會得到很大的應(yīng)用,比如汽車行業(yè),包括電動汽車,從2019-2024年的5年期間增長比較大,平均年增長15%左右”,水原先生如此描述汽車行業(yè)二極管的發(fā)展趨勢,就是“CASE”,C是Connected,跟外部相連的信息娛樂系統(tǒng);A,是自動駕駛或者Autonomous;S是我們所說的Share,也就是網(wǎng)關(guān);E就是三電、電氣化,OBC、逆變器、DC/DC或者LED燈。
DLP650LNIR。這是首個適用于大功率近紅外系統(tǒng)的DMD。該DMD設(shè)計(jì)能夠支持波長范圍950nm到1150nm光波段近紅外并進(jìn)行光譜優(yōu)化,功率達(dá)160 W。這顆芯片組可以把我們帶到近紅外領(lǐng)域,使金屬粉末打印成為可能,幫助DLP技術(shù)從支持3D領(lǐng)域擴(kuò)展到了金屬粉末打印。無論是UV還是近紅外,DLP技術(shù)仍然可以保持固有的優(yōu)勢,高分辨率、高精度、160W高功率確保在激光燒結(jié)成型上達(dá)到最好的3D產(chǎn)品打印質(zhì)量。工業(yè)近紅外可以應(yīng)用于3D打印、數(shù)字打印和動態(tài)激光打標(biāo)。
7nm EUV工藝的下一代手機(jī)處理器Exynos 9825。三星稱,通過7nm EUV工藝,新處理器的生產(chǎn)過程可以減少 20% 的光罩流程,使整個制造過程更簡單,還能節(jié)省時間和金錢,另外還達(dá)成40%面積縮小、以及20%性能增加與55%的功耗降低目標(biāo)。臺積電也在6月份宣布批量生產(chǎn)7nmN7+工藝,這是臺積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)。并表明這種新工藝的產(chǎn)量已經(jīng)可以達(dá)到原來7nm工藝的水平了。
在EUV之外,7nm 節(jié)點(diǎn)還有另外一種技術(shù)路徑,即采用 193nm 波長+SAQP 四重圖案化達(dá)到所需分辨率。下圖黃線中紅點(diǎn)處即代表采用193i 浸沒式光刻機(jī)+SAQP四重圖案技術(shù),對應(yīng)英特爾所選擇的技術(shù)路線;7nm在藍(lán)線中藍(lán)色區(qū)域代表采用EUV光刻機(jī)單次圖案化,代表臺積電和三星所選擇的技術(shù)路線。在之后的 5nm 節(jié)點(diǎn),193i 光刻機(jī)技術(shù)難度更大,采用 EUV 雙重圖案化是較為合理的選擇。
DLP技術(shù)也可適用于汽車透明車窗投影,在保持車窗透明度不干涉駕駛員視野的同時,可以顯示足夠多的信息,提供更多的交互。
羅姆公司的三大戰(zhàn)略:第一個是功率器件,第二個是通用器件,第三個是模擬器件。羅姆的功率元器件戰(zhàn)略即力爭全球領(lǐng)先的市場份額。在全球的市場上羅姆二極管的市場份額占第三位,大約占有10%左右的份額;如果只在車載市場上看羅姆二極管的份額在全球是第一位,大約占20%。ROHM功率器件制造本部、功率二極管制造部、商品開發(fā)部組長田中宏幸先生如此介紹ROHM的市場地位。
羅姆功率二極管60%的銷售份額來自于車載市場,在動力傳動系統(tǒng)等車載系統(tǒng)(xEV等)、工業(yè)設(shè)備逆變器、各種電源設(shè)備等,全部都是支持AEC-Q101,都是對應(yīng)車載的產(chǎn)品,在車載上可以高溫運(yùn)轉(zhuǎn),可以使它節(jié)能,可以使小型化的新產(chǎn)品。
二極管,特別是肖特基二極管在汽車行業(yè)上會得到很大的應(yīng)用,比如汽車行業(yè),包括電動汽車,從2019-2024年的5年期間增長比較大,平均年增長15%左右”,水原先生如此描述汽車行業(yè)二極管的發(fā)展趨勢,就是“CASE”,C是Connected,跟外部相連的信息娛樂系統(tǒng);A,是自動駕駛或者Autonomous;S是我們所說的Share,也就是網(wǎng)關(guān);E就是三電、電氣化,OBC、逆變器、DC/DC或者LED燈。
DLP650LNIR。這是首個適用于大功率近紅外系統(tǒng)的DMD。該DMD設(shè)計(jì)能夠支持波長范圍950nm到1150nm光波段近紅外并進(jìn)行光譜優(yōu)化,功率達(dá)160 W。這顆芯片組可以把我們帶到近紅外領(lǐng)域,使金屬粉末打印成為可能,幫助DLP技術(shù)從支持3D領(lǐng)域擴(kuò)展到了金屬粉末打印。無論是UV還是近紅外,DLP技術(shù)仍然可以保持固有的優(yōu)勢,高分辨率、高精度、160W高功率確保在激光燒結(jié)成型上達(dá)到最好的3D產(chǎn)品打印質(zhì)量。工業(yè)近紅外可以應(yīng)用于3D打印、數(shù)字打印和動態(tài)激光打標(biāo)。
7nm EUV工藝的下一代手機(jī)處理器Exynos 9825。三星稱,通過7nm EUV工藝,新處理器的生產(chǎn)過程可以減少 20% 的光罩流程,使整個制造過程更簡單,還能節(jié)省時間和金錢,另外還達(dá)成40%面積縮小、以及20%性能增加與55%的功耗降低目標(biāo)。臺積電也在6月份宣布批量生產(chǎn)7nmN7+工藝,這是臺積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)。并表明這種新工藝的產(chǎn)量已經(jīng)可以達(dá)到原來7nm工藝的水平了。
在EUV之外,7nm 節(jié)點(diǎn)還有另外一種技術(shù)路徑,即采用 193nm 波長+SAQP 四重圖案化達(dá)到所需分辨率。下圖黃線中紅點(diǎn)處即代表采用193i 浸沒式光刻機(jī)+SAQP四重圖案技術(shù),對應(yīng)英特爾所選擇的技術(shù)路線;7nm在藍(lán)線中藍(lán)色區(qū)域代表采用EUV光刻機(jī)單次圖案化,代表臺積電和三星所選擇的技術(shù)路線。在之后的 5nm 節(jié)點(diǎn),193i 光刻機(jī)技術(shù)難度更大,采用 EUV 雙重圖案化是較為合理的選擇。
DLP技術(shù)也可適用于汽車透明車窗投影,在保持車窗透明度不干涉駕駛員視野的同時,可以顯示足夠多的信息,提供更多的交互。
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