驅(qū)動(dòng)回路的電感兼容差模共模PIR信號(hào)
發(fā)布時(shí)間:2020/11/21 21:15:24 訪問(wèn)次數(shù):682
以Windows NT服務(wù)組件(service)的形式存在于系統(tǒng)中的,它們?cè)谙到y(tǒng)啟動(dòng)后就一直運(yùn)行在后臺(tái),等待事件的觸發(fā)(如某個(gè)TCP端口是否有鏈接請(qǐng)求)。作為服務(wù)組件,其與一般Windows程序的不同之處是:它必然包含名為NtServiceEntry的入口函數(shù),當(dāng)Windows開(kāi)始運(yùn)行一個(gè)服務(wù)組件時(shí),首先運(yùn)行這個(gè)入口函數(shù),而非通常的main函數(shù)。
在入口函數(shù)中,必須定義一個(gè)dispatchTable的結(jié)構(gòu),包括服務(wù)名稱sServiceName以及服務(wù)的實(shí)際主函數(shù)ServiceMain,并通過(guò)StartServiceCtrlDispatcher函數(shù)真正完成服務(wù)的注冊(cè)和運(yùn)行。一旦一個(gè)服務(wù)組件啟動(dòng)后,除了不斷監(jiān)聽(tīng)某端口外,還需要響應(yīng)服務(wù)管理器(service mananger)的不同請(qǐng)求(如暫停服務(wù))。因此將服務(wù)的實(shí)際功能設(shè)計(jì)成一個(gè)子進(jìn)程bridgeThread,由服務(wù)的主進(jìn)程調(diào)用該子進(jìn)程,而服務(wù)的主進(jìn)程則專門(mén)用來(lái)響應(yīng)服務(wù)管理器的請(qǐng)求。
主要特點(diǎn)
兼容差模、共模PIR信號(hào)輸入方式
寬電壓工作范圍1.4V~3.6V
極低的工作電流,3.5μA典型值
兼容差模、共模PIR信號(hào)輸入方式
內(nèi)置片上溫度傳感器可實(shí)現(xiàn)溫度補(bǔ)償
單線通信接口模式(DOCI)
應(yīng)用領(lǐng)域
數(shù)字PIR傳感器,高端應(yīng)用場(chǎng)景
人體入侵檢測(cè)
工業(yè)領(lǐng)域安防、報(bào)警
智能樓宇、智能照明、智能家居

SiC功率器件和模塊的應(yīng)用離不開(kāi)驅(qū)動(dòng)電路及其相應(yīng)的芯片。大多數(shù)驅(qū)動(dòng)電路芯片都是普通的硅器件,均不能耐高溫,其若能在高溫如175℃下工作1000小時(shí),已經(jīng)是鳳毛麟角了。耐高溫只是問(wèn)題的一方面,更嚴(yán)重的是高溫時(shí)器件性能的一致性問(wèn)題。普通硅器件在70℃之上性能弱化得非常之快,因此在高溫下無(wú)法應(yīng)用。歷經(jīng)二十多年創(chuàng)新研發(fā)和應(yīng)用考驗(yàn),Cissoid公司SOI特種硅器件已實(shí)現(xiàn)杰出的耐高溫能力,其在175℃時(shí)可連續(xù)工作15年之長(zhǎng),且全溫度范圍內(nèi)性能有極佳的一致性,是支持SiC高溫應(yīng)用的支柱。
SOI的特種硅半導(dǎo)體技術(shù),全面突破了硅半導(dǎo)體器件的溫度困境,明顯地規(guī)避了硅器件的溫度載流子效應(yīng)(本征載流子濃度隨溫度升高而升高)和結(jié)溫效應(yīng)(有效結(jié)勢(shì)壘隨溫度升高而縮減)的影響,不僅能耐高溫并長(zhǎng)期工作,而且可在全溫度范圍保持良好的性能一致性。
高溫半導(dǎo)體器件長(zhǎng)期以來(lái)為航空航天和石油勘探領(lǐng)域所青睞,Cissoid 開(kāi)發(fā)了針對(duì)SiC MOSFET的耐高溫驅(qū)動(dòng)芯片和方案。這一獨(dú)特的耐高溫性能使其得以盡可能地靠近SiC功率模塊,以使驅(qū)動(dòng)回路的寄生電感達(dá)到最小,從而更有效地抑制振鈴并實(shí)現(xiàn)最佳的效率。
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
以Windows NT服務(wù)組件(service)的形式存在于系統(tǒng)中的,它們?cè)谙到y(tǒng)啟動(dòng)后就一直運(yùn)行在后臺(tái),等待事件的觸發(fā)(如某個(gè)TCP端口是否有鏈接請(qǐng)求)。作為服務(wù)組件,其與一般Windows程序的不同之處是:它必然包含名為NtServiceEntry的入口函數(shù),當(dāng)Windows開(kāi)始運(yùn)行一個(gè)服務(wù)組件時(shí),首先運(yùn)行這個(gè)入口函數(shù),而非通常的main函數(shù)。
在入口函數(shù)中,必須定義一個(gè)dispatchTable的結(jié)構(gòu),包括服務(wù)名稱sServiceName以及服務(wù)的實(shí)際主函數(shù)ServiceMain,并通過(guò)StartServiceCtrlDispatcher函數(shù)真正完成服務(wù)的注冊(cè)和運(yùn)行。一旦一個(gè)服務(wù)組件啟動(dòng)后,除了不斷監(jiān)聽(tīng)某端口外,還需要響應(yīng)服務(wù)管理器(service mananger)的不同請(qǐng)求(如暫停服務(wù))。因此將服務(wù)的實(shí)際功能設(shè)計(jì)成一個(gè)子進(jìn)程bridgeThread,由服務(wù)的主進(jìn)程調(diào)用該子進(jìn)程,而服務(wù)的主進(jìn)程則專門(mén)用來(lái)響應(yīng)服務(wù)管理器的請(qǐng)求。
主要特點(diǎn)
兼容差模、共模PIR信號(hào)輸入方式
寬電壓工作范圍1.4V~3.6V
極低的工作電流,3.5μA典型值
兼容差模、共模PIR信號(hào)輸入方式
內(nèi)置片上溫度傳感器可實(shí)現(xiàn)溫度補(bǔ)償
單線通信接口模式(DOCI)
應(yīng)用領(lǐng)域
數(shù)字PIR傳感器,高端應(yīng)用場(chǎng)景
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SiC功率器件和模塊的應(yīng)用離不開(kāi)驅(qū)動(dòng)電路及其相應(yīng)的芯片。大多數(shù)驅(qū)動(dòng)電路芯片都是普通的硅器件,均不能耐高溫,其若能在高溫如175℃下工作1000小時(shí),已經(jīng)是鳳毛麟角了。耐高溫只是問(wèn)題的一方面,更嚴(yán)重的是高溫時(shí)器件性能的一致性問(wèn)題。普通硅器件在70℃之上性能弱化得非常之快,因此在高溫下無(wú)法應(yīng)用。歷經(jīng)二十多年創(chuàng)新研發(fā)和應(yīng)用考驗(yàn),Cissoid公司SOI特種硅器件已實(shí)現(xiàn)杰出的耐高溫能力,其在175℃時(shí)可連續(xù)工作15年之長(zhǎng),且全溫度范圍內(nèi)性能有極佳的一致性,是支持SiC高溫應(yīng)用的支柱。
SOI的特種硅半導(dǎo)體技術(shù),全面突破了硅半導(dǎo)體器件的溫度困境,明顯地規(guī)避了硅器件的溫度載流子效應(yīng)(本征載流子濃度隨溫度升高而升高)和結(jié)溫效應(yīng)(有效結(jié)勢(shì)壘隨溫度升高而縮減)的影響,不僅能耐高溫并長(zhǎng)期工作,而且可在全溫度范圍保持良好的性能一致性。
高溫半導(dǎo)體器件長(zhǎng)期以來(lái)為航空航天和石油勘探領(lǐng)域所青睞,Cissoid 開(kāi)發(fā)了針對(duì)SiC MOSFET的耐高溫驅(qū)動(dòng)芯片和方案。這一獨(dú)特的耐高溫性能使其得以盡可能地靠近SiC功率模塊,以使驅(qū)動(dòng)回路的寄生電感達(dá)到最小,從而更有效地抑制振鈴并實(shí)現(xiàn)最佳的效率。
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