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開放式RAN及ASIC的完整定制邏輯連續(xù)體的半導體

發(fā)布時間:2020/11/25 21:57:47 訪問次數(shù):598

FPGA為客戶設計提供了最強的面市速度優(yōu)勢和最高的靈活性,同時ASIC和結(jié)構(gòu)化ASIC設備以最低能耗與成本提供了最好的硬件優(yōu)化性能。FPGA是實現(xiàn)敏捷創(chuàng)新的理想之選,也是探索新一代技術(shù)的最快路徑。FPGA的可編程性幫助客戶針對特定工作負載快速開發(fā)硬件,并適應標準的不斷變化——正如5G早期的發(fā)展和向開放式RAN部署遷移的過程一樣。

英特爾是全球唯一一家提供涵蓋FPGA(如英特爾Agilex和英特爾® Stratix™-10)、結(jié)構(gòu)化ASIC(如英特爾® eASIC N5X)以及ASIC的完整定制邏輯連續(xù)體的半導體公司。這一全面的數(shù)據(jù)處理,可定制邏輯產(chǎn)品組合以業(yè)內(nèi)獨特的方式,幫助英特爾客戶真正實現(xiàn)特定市場解決方案的單位成本、性能、能耗和面市速度優(yōu)化。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel, P-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:4.3 A, 6 A Rds On-漏源導通電阻:47 mOhms, 89 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:6 nC, 7.8 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:2.78 W 通道模式:Enhancement 商標名:TrenchFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 系列:SI4 晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel 商標:Vishay Semiconductors 正向跨導 - 最小值:7 S 下降時間:6 ns, 7.7 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:12 ns, 13 ns 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:14 ns, 17 ns 典型接通延遲時間:5.5 ns, 7 ns 零件號別名:SI4532CDY-GE3 單位重量:187 mg

耗電程度:OLED由于像素點是獨立工作的,因此無論顯示什么顏色都是背光全開,所以LCD注定是非常耗電的,而OLED則可以大幅節(jié)能電能。

屏幕響應時間:畫面的顏色是由像素點顯示來的,而像素點從顏色1變成顏色2是需要時間的,這個時間被稱之為灰階響應時間。如果灰階響應時間太長,在畫面快速滑動的時候,像素點來不及從顏色1變成顏色2,就會導致出現(xiàn)畫面殘留,視覺上就會出現(xiàn)拖影,拖影極其影響視覺觀感。而OLED屏幕幾乎沒有任何拖延。

OLED技術(shù)在提振行業(yè)當前的不景氣方面邁出了一大步,它正在顯示和照明領域開拓出許多高利潤的應用。有源矩陣(AM)OLED而非無源矩陣(PM)OLED將最終主宰這一應用領域。


(素材來源:21ic和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

FPGA為客戶設計提供了最強的面市速度優(yōu)勢和最高的靈活性,同時ASIC和結(jié)構(gòu)化ASIC設備以最低能耗與成本提供了最好的硬件優(yōu)化性能。FPGA是實現(xiàn)敏捷創(chuàng)新的理想之選,也是探索新一代技術(shù)的最快路徑。FPGA的可編程性幫助客戶針對特定工作負載快速開發(fā)硬件,并適應標準的不斷變化——正如5G早期的發(fā)展和向開放式RAN部署遷移的過程一樣。

英特爾是全球唯一一家提供涵蓋FPGA(如英特爾Agilex和英特爾® Stratix™-10)、結(jié)構(gòu)化ASIC(如英特爾® eASIC N5X)以及ASIC的完整定制邏輯連續(xù)體的半導體公司。這一全面的數(shù)據(jù)處理,可定制邏輯產(chǎn)品組合以業(yè)內(nèi)獨特的方式,幫助英特爾客戶真正實現(xiàn)特定市場解決方案的單位成本、性能、能耗和面市速度優(yōu)化。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel, P-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:4.3 A, 6 A Rds On-漏源導通電阻:47 mOhms, 89 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:6 nC, 7.8 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:2.78 W 通道模式:Enhancement 商標名:TrenchFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 系列:SI4 晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel 商標:Vishay Semiconductors 正向跨導 - 最小值:7 S 下降時間:6 ns, 7.7 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:12 ns, 13 ns 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:14 ns, 17 ns 典型接通延遲時間:5.5 ns, 7 ns 零件號別名:SI4532CDY-GE3 單位重量:187 mg

耗電程度:OLED由于像素點是獨立工作的,因此無論顯示什么顏色都是背光全開,所以LCD注定是非常耗電的,而OLED則可以大幅節(jié)能電能。

屏幕響應時間:畫面的顏色是由像素點顯示來的,而像素點從顏色1變成顏色2是需要時間的,這個時間被稱之為灰階響應時間。如果灰階響應時間太長,在畫面快速滑動的時候,像素點來不及從顏色1變成顏色2,就會導致出現(xiàn)畫面殘留,視覺上就會出現(xiàn)拖影,拖影極其影響視覺觀感。而OLED屏幕幾乎沒有任何拖延。

OLED技術(shù)在提振行業(yè)當前的不景氣方面邁出了一大步,它正在顯示和照明領域開拓出許多高利潤的應用。有源矩陣(AM)OLED而非無源矩陣(PM)OLED將最終主宰這一應用領域。


(素材來源:21ic和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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