通信波特率230KBPS 64層堆疊的3D NAND閃存芯片
發(fā)布時(shí)間:2020/11/28 17:56:17 訪問(wèn)次數(shù):1192
MAX3100支持高速通信,最高通信波特率可達(dá)230KBPS,低功耗,支持低電壓,設(shè)計(jì)后系統(tǒng)體積小,比采用外部時(shí)鐘8253設(shè)計(jì)的印制版尺寸的一半還小。而且能夠使軟件設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)起來(lái)更可靠。
圖形化界面SIM卡系統(tǒng)應(yīng)用環(huán)境。遠(yuǎn)端管理服務(wù)器:該服務(wù)器是定位于 SCWS 的OTA(Over-The-Air 空中下載)服 務(wù)器,用來(lái)實(shí)現(xiàn)SIM 卡上內(nèi)容的及時(shí)更新、管理、統(tǒng)計(jì)等;
基于RFID的無(wú)線護(hù)理系統(tǒng)軟件實(shí)現(xiàn)包括數(shù)據(jù)庫(kù)和應(yīng)用軟件實(shí)現(xiàn),其中數(shù)據(jù)庫(kù)直接應(yīng)用“軍衛(wèi)一號(hào)”HIS數(shù)據(jù)庫(kù)中的相關(guān)表,包括患者主索引、醫(yī)囑表、價(jià)表等。需添加表為RFID標(biāo)簽與HIS數(shù)據(jù)庫(kù)中患者ID號(hào)對(duì)照表和藥品RF1D標(biāo)簽與醫(yī)囑對(duì)照表等。
NS4150優(yōu)異的全帶寬 EMI抑制能力
優(yōu)異的“上電,掉電”噪聲抑制
3W輸出功率(5V電源、4Ω負(fù)載)
0.1%THD(0.5W輸出功率、3.6V電源)
無(wú)需濾波器Class-D 結(jié)構(gòu)
高達(dá)90%的效率
高PSRR:-80dB(217Hz)
低靜態(tài)電流:3mA(3.6V電源、No load)
工作電壓范圍:3.0V~5.25V
過(guò)流保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、欠壓保護(hù)
MSOP8和SOP8封裝NS4150應(yīng)用插卡音箱
USB音箱
低壓音響系統(tǒng)
96層NAND存儲(chǔ)技術(shù),DRAM也加速邁向1ynm;我國(guó)中芯國(guó)際也實(shí)現(xiàn)16/14nm工藝小規(guī)模量產(chǎn),縮短與國(guó)外差距,長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫和福建晉華也實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)工藝突破,在做量產(chǎn)前準(zhǔn)備。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)圣克拉拉召開(kāi)的全球閃存峰會(huì)上發(fā)布突破性技術(shù)XtackingTM ,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃在2019年第四季度量產(chǎn)64層堆疊的3D NAND閃存芯片。
12英寸FAN OUT工藝量產(chǎn)線,線寬2um/線距2um;Cu Pillar實(shí)現(xiàn)10nm產(chǎn)品的量產(chǎn);成功研發(fā)生產(chǎn)出業(yè)界集成度最佳的射頻物聯(lián)網(wǎng)集成模塊;國(guó)內(nèi)首條12寸Gold Bump生產(chǎn)線成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
MAX3100支持高速通信,最高通信波特率可達(dá)230KBPS,低功耗,支持低電壓,設(shè)計(jì)后系統(tǒng)體積小,比采用外部時(shí)鐘8253設(shè)計(jì)的印制版尺寸的一半還小。而且能夠使軟件設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)起來(lái)更可靠。
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NS4150優(yōu)異的全帶寬 EMI抑制能力
優(yōu)異的“上電,掉電”噪聲抑制
3W輸出功率(5V電源、4Ω負(fù)載)
0.1%THD(0.5W輸出功率、3.6V電源)
無(wú)需濾波器Class-D 結(jié)構(gòu)
高達(dá)90%的效率
高PSRR:-80dB(217Hz)
低靜態(tài)電流:3mA(3.6V電源、No load)
工作電壓范圍:3.0V~5.25V
過(guò)流保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、欠壓保護(hù)
MSOP8和SOP8封裝NS4150應(yīng)用插卡音箱
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低壓音響系統(tǒng)
96層NAND存儲(chǔ)技術(shù),DRAM也加速邁向1ynm;我國(guó)中芯國(guó)際也實(shí)現(xiàn)16/14nm工藝小規(guī)模量產(chǎn),縮短與國(guó)外差距,長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫和福建晉華也實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)工藝突破,在做量產(chǎn)前準(zhǔn)備。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)圣克拉拉召開(kāi)的全球閃存峰會(huì)上發(fā)布突破性技術(shù)XtackingTM ,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃在2019年第四季度量產(chǎn)64層堆疊的3D NAND閃存芯片。
12英寸FAN OUT工藝量產(chǎn)線,線寬2um/線距2um;Cu Pillar實(shí)現(xiàn)10nm產(chǎn)品的量產(chǎn);成功研發(fā)生產(chǎn)出業(yè)界集成度最佳的射頻物聯(lián)網(wǎng)集成模塊;國(guó)內(nèi)首條12寸Gold Bump生產(chǎn)線成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
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