新一代Airfast射頻多芯片模塊（MCM）利用恩智浦最新LDMOS技術(shù)的強(qiáng)大性能，采用集成設(shè)計(jì)技術(shù)，將頻率范圍擴(kuò)展至4.0 GHz

提供比前一代產(chǎn)品更高的輸出功率，支持更強(qiáng)大的5G mMIMO無線電的部署，能夠覆蓋更大的城市區(qū)域

在2.6 GHz頻率下實(shí)現(xiàn)高達(dá)45%的效率提升，幫助降低5G網(wǎng)絡(luò)的整體耗電量

第2代Airfast射頻功率多芯片模塊（MCM），其設(shè)計(jì)目的是滿足蜂窩基站的5G mMIMO有源天線系統(tǒng)的演進(jìn)要求。全新的一體式功率放大器模塊系列的重點(diǎn)是加快5G網(wǎng)絡(luò)的覆蓋，它基于恩智浦的最新LDMOS技術(shù)，提供更高的輸出功率、更廣的頻率范圍和更高的效率，外形尺寸與恩智浦前一代MCM產(chǎn)品相同。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放

RoHS: 詳細(xì)信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSSOP-8

通道數(shù)量: 2 Channel

電源電壓-最大: 16 V

GBP-增益帶寬產(chǎn)品: 2.18 MHz

每個(gè)通道的輸出電流: 50 mA

SR - 轉(zhuǎn)換速率 : 3.6 V/us

Vos - 輸入偏置電壓 : 2.5 mV

電源電壓-最小: 4.4 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

Ib - 輸入偏流: 60 pA

工作電源電流: 1.1 mA

關(guān)閉: No Shutdown

CMRR - 共模抑制比: 70 dB to 75 dB

en - 輸入電壓噪聲密度: 50 nV/sqrt Hz

系列: TLC2272

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

放大器類型: Low Noise Amplifier

特點(diǎn): High Cload Drive

高度: 1.15 mm

輸入類型: Rail-to-Rail

長(zhǎng)度: 3 mm

輸出類型: Rail-to-Rail

產(chǎn)品: Operational Amplifiers

電源類型: Single, Dual

技術(shù): LinCMOS

寬度: 4.4 mm

商標(biāo): Texas Instruments

雙重電源電壓: +/- 3 V, +/- 5 V

In—輸入噪聲電流密度: 0.0006 pA/sqrt Hz

最大雙重電源電壓: +/- 8 V

最小雙重電源電壓: +/- 2.2 V

工作電源電壓: 4.4 V to 16 V, +/- 2.2 V to +/- 8 V

產(chǎn)品類型: Op Amps - Operational Amplifiers

工廠包裝數(shù)量: 2000

子類別: Amplifier ICs

商標(biāo)名: LinCMOS

Vcm - 共模電壓: Negative Rail to Positive Rail - 1 V

電壓增益 dB: 104.86 dB

單位重量: 39 mg

我們的產(chǎn)品能夠提供更高的功率，采用更加經(jīng)濟(jì)高效和緊湊的設(shè)計(jì)。這樣可以加快客戶和網(wǎng)絡(luò)移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商的產(chǎn)品上市速度，幫助他們滿足對(duì)5G擴(kuò)展的需求。

用于5G擴(kuò)展的全面多芯片模塊產(chǎn)品組合,恩智浦的射頻功率多芯片模塊包括LDMOS IC，配合采用集成式Doherty分路器和合路器，進(jìn)行50歐姆輸入/輸出匹配。這種高集成度消除了射頻復(fù)雜性，避免多次原型制作，元器件數(shù)量減少則有助于提高產(chǎn)量，縮短認(rèn)證周期時(shí)間。

第2代產(chǎn)品完善了去年發(fā)布的初代系列產(chǎn)品，提高了頻率和功率級(jí)。兩代產(chǎn)品具有相同的引腳輸出格式，讓射頻設(shè)計(jì)人員能夠快速從一種設(shè)計(jì)升級(jí)到另一種設(shè)計(jì)，從而縮短整體開發(fā)時(shí)間。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）