相控陣波束轉(zhuǎn)向示例。波前從兩個(gè)不同方向射向四個(gè)天線元件。在接收路徑上的每個(gè)天線元件后面都會(huì)產(chǎn)生延時(shí)，之后所有四個(gè)信號(hào)再匯總到一起。延時(shí)與波前到達(dá)每個(gè)元件的時(shí)間差一致。產(chǎn)生的延時(shí)會(huì)導(dǎo)致四個(gè)信號(hào)同相到達(dá)合并點(diǎn)。

這種一致的合并會(huì)增強(qiáng)組合器輸出的信號(hào)。產(chǎn)生的延時(shí)相同，波前與天線元件垂直�，F(xiàn)在產(chǎn)生的延時(shí)與四個(gè)信號(hào)的相位不一致，因此組合器輸出會(huì)被大幅削弱。

在相控陣中，延時(shí)是波束轉(zhuǎn)向所需的可量化變量。但也可以通過相移來仿真延時(shí)，這在許多實(shí)現(xiàn)中是十分常見且實(shí)用的做法。

英飛凌200 - 250 v

HEXFET®功率場(chǎng)效應(yīng)管

英飛凌200-250V HEXFET®Power mosfet®Power mosfet提供多種mosfet，包括各種封裝、電流和RDS(on)評(píng)級(jí)。這些200-250V HEXFET®功率mosfet采用最新的加工技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)低通電阻每硅區(qū)。這一優(yōu)勢(shì)，再加上英飛凌HEXFET®Power mosfts的快速開關(guān)速度和堅(jiān)固耐用的設(shè)備設(shè)計(jì)，為設(shè)計(jì)師提供了一個(gè)非常高效和可靠的設(shè)備，可用于多種應(yīng)用。

產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:  技術(shù):Si安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-247-3通道數(shù)量:1 Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:200 VId-連續(xù)漏極電流:94 A

RF信號(hào)源與線性陣列相隔較遠(yuǎn)。如果RF源較遠(yuǎn)，則球形波前的大半徑會(huì)導(dǎo)致大致平行的波傳播路徑。所有波束角均相等，每個(gè)相鄰元件的路徑長(zhǎng)度(L = d × sinθ)均超過隔壁元件。這樣簡(jiǎn)化了數(shù)學(xué)計(jì)算，意味著我們推導(dǎo)出來的雙元件等式可以應(yīng)用到數(shù)千個(gè)元件，但前提是這些元件間隔相同。

D表示天線直徑（對(duì)于等間隔線性陣列為(N-1) × d）

對(duì)于小型陣列（D值�。┗虻皖l（λ值大），遠(yuǎn)場(chǎng)距離較小。但對(duì)于大型陣列（或高頻），遠(yuǎn)場(chǎng)距離可能長(zhǎng)達(dá)數(shù)千米,這樣測(cè)試和校準(zhǔn)陣列就十分困難。對(duì)于這類情況，可以使用更為詳細(xì)的近場(chǎng)模型，然后再按比例擴(kuò)展到真實(shí)世界使用的遠(yuǎn)場(chǎng)陣列。

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