開發(fā)尺寸更小而功率更大的充電器。STDES-PFCBIDIR還使用了STM32G474微控制器，就它的高分辨率定時(shí)器意味著工程師可以更輕松地驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET，并使用更小的無源元件，從而降低了材料清單成本。

一個(gè)65 W快充參考設(shè)計(jì)。得益于我們的MasterGaN1芯片，演示充電器的功率密度將達(dá)到30 W /英寸。GaN晶體管的帶隙甚至比SiC還寬，使其成為解決這個(gè)問題的主要候選技術(shù)。而MasterGaN1 系統(tǒng)級(jí)封裝意味著使用這種新材料比以前簡單多了。

混合三種音頻來源

一般的MIDI 1 + / SP-MIDI

WAV(PCM + IMA ADPCM)

麥克風(fēng)或線路輸入

編碼IMA ADPCM從麥克風(fēng)線輸入或混合輸出

輸入流可以使用不同的采樣率

EarSpeaker空間處理

低音和高音控制

經(jīng)營一個(gè)12 - 13 MHz時(shí)鐘

內(nèi)部鎖相環(huán)時(shí)鐘乘數(shù)

低功耗操作

高質(zhì)量芯片上的立體DAC沒有通道間相位誤差

立體聲耳機(jī)司機(jī)駕駛一-30歐姆負(fù)載的能力

單獨(dú)的操作電壓模擬信號(hào)、數(shù)字信號(hào)和I / O

5.5用戶代碼/數(shù)據(jù)簡約RAM芯片上

串行控制和數(shù)據(jù)接口

可以作為一個(gè)奴隸協(xié)同處理器嗎

SPI flash引導(dǎo)為特殊的應(yīng)用程序

UART用于調(diào)試目的

可能會(huì)添加新的功能與軟件和4 GPIO管腳

在相控陣中，延時(shí)是波束轉(zhuǎn)向所需的可量化變量。但也可以通過相移來仿真延時(shí)，這在許多實(shí)現(xiàn)中是十分常見且實(shí)用的做法。波束斜視的部分討論延時(shí)與相移的影響，但目前我們先來了解相移實(shí)現(xiàn)，然后推導(dǎo)相應(yīng)相移的波束轉(zhuǎn)向計(jì)算。

使用移相器而非延時(shí)的相控陣排列。我們將瞄準(zhǔn)線方向(θ = 0°)定義為垂直于天線正面。瞄準(zhǔn)線右側(cè)定義為正角θ，瞄準(zhǔn)線左側(cè)定義為負(fù)角。

要顯示波束轉(zhuǎn)向所需的相移，可以在相鄰元件之間繪制一組直角三角形，ΔΦ表示這些相鄰元件之間的相移。