∑-△型ADC利用高抽樣率和數字信號處理技術，將抽樣，量化、數字信號處理融為了一體，從而獲得了高精度的ADC，目前可達24位，主要應用于高精度數據采集特別是數字音響系統(tǒng)、多媒體、地簇勘探儀器、聲納等電子測量領域。

采用何種電路結構，若要提高轉換速度。就要以較低的分辨宰和較大的功耗來作為代價:而要獲得較高的分辨率，則要犧牲轉換速度和功耗;為了降低功耗，卻又得不到較高的速度和分辨率。因此在系統(tǒng)應用中，必須根據實際需要來選擇適當電路結構和技術指標的ADC。

產品種類: 音頻放大器

RoHS: 詳細信息

系列: TPA4411

產品: Headphone Amplifiers

類: Class-AB

輸出功率: 80 mW

安裝風格: SMD/SMT

類型: 2-Channel Stereo

封裝 / 箱體: QFN-20

音頻 - 負載阻抗: 16 Ohms

THD + 噪聲: 0.05 %

電源電壓-最大: 4.5 V

電源電壓-最小: 1.8 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

描述/功能: Headphone

特點: Fixed Gain

高度: 0.73 mm

輸入類型: Single

長度: 4 mm

輸出類型: 2-Channel Stereo

電源類型: Single

寬度: 4 mm

商標: Texas Instruments

增益: 63.52 dB

通道數量: 2 Channel

電源電流—最大值: 10 mA

開發(fā)套件: TPA4411EVM

濕度敏感性: Yes

工作電源電流: 8 mA

工作電源電壓: 1.8 V to 4.5 V

輸出信號類型: Differential

Pd-功率耗散: 3450 mW

產品類型: Audio Amplifiers

PSRR - 電源抑制比: 80 dB

工廠包裝數量: 3000

子類別: Audio ICs

單位重量: 38.100 mg

DRAM較其它內存類型的一個優(yōu)勢是它能夠以IC(集成電路)上每個內存單元更少的電路實現。DRAM 的內存單元基于電容器上貯存的電荷。典型的DRAM 單元使用一個電容器及一個或三個FET(場效應晶體管)制成。典型的SRAM (靜態(tài)隨機訪問內存)內存單元采取六個FET 器件，降低了相同尺寸時每個IC 的內存單元數量。與DRAM 相比，SRAM 使用起來更簡便，接口更容易，數據訪問時間更快。

DRAM核心結構由多個內存單元組成，這些內存單元分成由行和列組成的兩維陣列。訪問內存單元需要兩步。先尋找某個行的地址，然后在選定行中尋找特定列的地址。先在DRAM IC 內部讀取整個行，然后列地址選擇DRAM IC I/O(輸入/ 輸出)針腳要讀取或要寫入該行的哪一列。